IBM新型碳納米管芯片：單芯片上制造上萬晶體管

        美國IBM公司使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確放置在了一顆芯片內，并且通過了測試。多年來，我們的芯片都根據摩爾定律發展：從以前的微米單位到現在的納米單位，從以往的90納米到65納米到現在的32納米。但隨著工藝的加強，良品率逐漸 降低，而且難以再提升，人們一直期望找到一種新的材料，可以替代傳統芯片中的硅，以便延續摩爾定律，而IBM邁進了第一步。

        作為一種半導體材料，碳納米管有著很多優于硅的天然屬性，特別適合在幾千個原子的尺度上建造納米級晶體管，其中的電子也可以比硅晶體管更輕松地轉移，實現更快速的數據傳輸，納米管的形狀也是在原子尺度上組成晶體管的上佳之選。

IBM的成果表明，人們可以在預定的基底位置上用大量的碳納米管晶體管蝕刻集成電路，其中隔離半導體納米管、在晶圓上放置高密度碳材料設備尤為關鍵，因為最終商業性芯片需要集成數以幾十億晶體管。

IBM 首先給碳納米管涂上一種表面活性劑(想象成使之更易溶于水的“肥皂”)，然后用化學處理過的氧化鉿(HfO2)和二氧化硅(SiO2)制作基底，其中溝槽 部分使用氧化鉿，再將基底放到碳納米管溶液里，納米管就會通過化學鍵附著到氧化鉿溝槽里，而基底的其他部分仍然是“干凈”的，最終得以在單個芯片上制造上 萬個晶體管。