新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL

　　近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。

　　以Helge Weman教授為首的挪威科技大學電子與電訊系的研究團隊和CrayoNanoAS公司共同研制，并聯合申請了ZL。該產品采用自動分子束外延生長法，在原子級薄石墨烯上生成半導體納米線，新電極具有透明、韌性佳且價格低廉。Weman教授認為這種納米線雖然不是一個全新產品，但它是半導體裝置生產方法的一個新模板，該技術ZL可應用于未來太陽能電池和發光二極管的生產。