半導體的 光電導是指半導體受光照而引起電導率的改變。最早是1873年W.史密斯在 硒上發現的。 20世紀的前40年內，又先后在 氧化亞銅、 硫化鉈、 硫化鎘等 材料中發現，并利用這 現象制成幾種可用作光強 測量及 自動控制的 光電管。自40年代開始，由于 半導體物理學的發展，先是 硫化鉛的，爾后是其他半導體的光電導得到了充分研究。并由此發展了從紫外、 可見到 紅外各個 波段的 輻射探測器。研究這種現象也是探索半導體基本性能的重要方法之一。
電導率正比于 載流子濃度及其 遷移率的 乘積。因此凡是能 激發出 載流子的 入射光都能產生光電導。入射光可以使 電子從 價帶激發到 導帶，因而同時增加電子和 空穴的 濃度；也可以使 電子躍遷發生在 雜質能級與某一 能帶之間，因而只增加電子濃度或只增加空穴濃度。前一過程引起的光電導稱為 本征光電導，后一過程引起的光電導稱為 雜質光電導。不管哪一種光電導，入射光的 光子能量都必須等于或大于與該激發過程相應的 能隙 Δ （ 禁帶寬度或 雜質能級到某一能帶限的 距離），也就是光電導有一個最大的響應 波長，稱為光電導的 長波限λ。