高精度掩膜對準光刻機是一種用于農學、生物學、化學、物理學領域的分析儀器，于2017年11月7日啟用。
技術指標
支持4英寸晶圓；曝光波長：350-450nm；曝光燈功率：350W；分辨率：優于0.8mm（光刻膠厚度1微米時）；套刻精度：0.5mm；光強均勻度：優于±2％；更換汞燈后及汞燈全壽命周期內無需均勻性校正；曝光模式：可支持硬接觸、軟接觸、接近和真空等模式.。
主要功能
光刻設備用于半導體圖形制作，是半導體芯片加工工藝的最初步驟，是半導體圖形制作的第一步是所有半導體應用中的最初和關鍵工藝之一。光刻效果的好壞和使用的穩定性直接影響了微圖形的制作。因此光刻設備為半導體工藝的關鍵設備。