1、打開封裝，一般有三種方法。全剝離法，集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內部電路。缺陷是由于內部電路和引線全部被破壞，無法再進行電動態分析 。方法二局總去除法，三研磨機研磨集成電路表面的樹脂直到芯片。優點是開封過種不損壞內部電路和引線，開封后可以進行電動態分析。方法三是自自動法用硫酸噴射達到局部去除的效果。
2、缺陷定位，定位具體失效位置在集成電路失效分析中，是一個重要而困難的項目，缺陷定位后才能發現失效機理及缺陷特征。
a.Emission顯微鏡技術，具有非破壞性和快速精準的特性。它使用光電子探測器來檢測產生光電效應的區域。由于在硅片上產生缺陷的部位，通常會發生不斷增長的電子--空穴再結全而產生強烈的光子輻射。
b.OBIRCH技術是利用激光束感應材料電阻率變化的測試技術。對不同材料經激光束掃描，可得到不同材料電阻率變化，這一方法可以測試金屬布線內部的那些可靠性隱患。
C.液晶熱點檢測一般由偏振顯微鏡，可調節溫度的樣品臺，以及控制電路構成。在由晶體各向異性變為晶體各向同性時，所需要的臨界溫度能量很小，以此來提高靈敏度。同時相變溫度應控制在30-90度，偏振顯微鏡要在正交偏振光的使用，這樣可以提高液晶相變反應的靈敏度。