中國科學院近代物理研究所材料研究中心的科研人員與中科院微電子研究所等合作，利用蘭州重離子加速器（HIRFL）提供的高能重離子，在新建的單粒子效應實驗終端對SOI和體硅靜態隨機讀取存儲器（SRAM）開展單粒子效應加速器地面模擬實驗，在離子臨界射程多樣性和機理研究方面取得新進展。
單粒子效應是宇航電子元器件在空間輻射環境中發生故障的主要誘因。地面模擬實驗中離子臨界射程一直是國內外單粒子效應加速器實驗中的重要參數，尤其是近年來隨著國內單粒子效應加速器模擬實驗的大量開展，對該問題機理的研究迫在眉睫。國外的多個測試標準對離子臨界射程的規定不一致，國內航天標準QJ
10005-2008指出，離子在硅中的射程要大于30 μm。
近代物理所科研人員利用HIRFL提供的重離子具有能量高、射程長的優勢，通過使用降能片靈活調節重離子在SRAM器件中的射程，使用重離子實驗和仿真計算相結合的研究方法，發現重離子臨界射程并不是一個固定值，而是依賴于離子種類、器件的類型和多層金屬布線厚度。通過實驗測量，得到SOI SRAM器件中的離子臨界射程為20.7 μm到40.6 μm，而體硅SRAM器件中的離子臨界射程超過60.4 μm。科研人員提出了一個“最壞”臨界射程計算公式，其計算結果與實驗符合較好。
該項研究得到國家自然科學基金大科學裝置聯合基金重點項目及其它項目的支持。
研究成果發表在該方向最具影響力的期刊IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 61, NO. 3, PAGE 1459-1467, JUNE 2014。
4 Mb 體硅SRAM中的離子臨界射程
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