中芯國際推出自主研發38納米NAND閃存工藝

　　9月11日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱中芯國際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。

　　 據悉，NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，是近年來發展最為迅速的非易失性存儲（NVM）產品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。也可利用此技術帶動串行外設接口（SPI）NAND市場的發展以及不斷增長的物聯網相關產品的應用。此次中芯國際成功推出38納米NAND閃存技術，能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術的需求。