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  • 發布時間:2007-12-07 09:27 原文鏈接: 2007年中國科學院杰出科技成就獎評審結果公示

    根據《中國科學院杰出科技成就獎條例》(試行)的有關規定,經2007年中國科學院杰出科技成就獎評審委員會評審,確定2007年中國科學院杰出科技成就獎建議名單:楊學明、EAST大科學工程研究集體、強場物理若干前沿問題研究集體和高端硅基SOI材料研究集體,現予以公布,同時在中國科學院網站上公布。

        自公布之日起1個月內為異議期。任何單位和個人對評審結果如有異議,應以書面形式向中國科學院科技獎勵管理部門(計劃財務局)提出,我們將本著對異議提出者負責的態度予以嚴格保密。

        單位名義提出的異議,應在異議材料上加蓋單位公章,并寫明聯系人地址、電話和電子信箱。

        個人名義提出的異議,應在異議材料上簽署真實姓名,并寫明本人工作單位、聯系地址、電話和電子信箱。

        聯系單位:中國科學院計劃財務局知識產權管理處

        聯 系 人:楊興憲

        聯系地址:北京市三里河路52號

        郵政編碼:100864

        聯系電話:68597359

        傳 真:68597311、68597363

        Email:xxyang@cashq.ac.cn

        中國科學院計劃財務局

        2007年12月5日

        
    2007年中國科學院杰出科技成就獎授獎建議名單


        楊學明

        工作單位:

        中國科學院大連化學物理研究所

        主要科技貢獻:利用自行研制的、領先國際的分子束科學儀器,將反應散射動力學實驗研究推向了振轉量子態分辨的高水平,在化學反應量子過渡態及共振態動力學研究方面取得了重要的系列性成果,解決了反應動力學領域中一些國際公認的科學難題,對化學反應動力學的發展作出了杰出貢獻。共發表SCI論文130多篇,其中SCIENCE 5篇, NATURE 1篇, PRL 8篇, JACS 1篇;主編英文專著一部。他在化學反應動力學上的成果受到了學術界廣泛關注和高度評價,相關的研究成果被評選為“2006年中國十大科技進展新聞”。2006年他被選為美國物理學會會士。多年來,他擔任分子反應動力學國家重點實驗室主任,帶領該實驗室步入國際先進行列;同時他還擔任了“973”項目首席科學家,為我國化學動力學的發展作出了突出貢獻。

        EAST大科學工程研究集體

        研究集體所在單位:

        中國科學院合肥物質科學研究院

        研究集體主要科技貢獻:EAST大科學工程研究集體開拓創新,奮力拼搏,在資金有限和我國工業基礎薄弱的條件下,在國際上尚無全超導托卡馬克的情況下,通過國內合作及廣泛的國際交流,邊建設、邊研發,解決了大型超導磁體、大規模低溫制冷等一系列關鍵技術問題,自主設計、加工制造了關鍵部件,并在此基礎上高質量完成總裝,成功進行了工程調試及兩輪物理實驗,首次成功獲得限制器位形和各種偏濾器位形的高溫等離子體放電,建成了世界上成功運行的第一個全超導非圓截面托卡馬克核聚變實驗裝置。該裝置具有完整的自主知識產權,目前處于國際同類裝置領先水平。EAST大科學工程研究2005年被國家人事部、中國科學院評為“中國科學院先進集體”,2006年榮獲中國科學院“創新文化優秀團隊”稱號,2007年 榮獲“安徽省先進集體”稱號。

        研究集體突出貢獻者及工作單位:

        萬元熙 中國科學院合肥物質科學研究院

        主要科技貢獻:項目總負責人。完成先進方案可行性論證、擴初設計、先進物理和工程技術方案,確保項目完成后成為國際上率先建成的唯一具有先進磁位形的全超導先進托卡馬克。

        翁佩德 中國科學院合肥物質科學研究院

        主要科技貢獻:項目副總經理兼總工程師。主持完成了超導托卡馬克裝置和低溫系統的工程設計,確定了主機各主要部件的設計要求和設計方案,解決了多項關鍵技術問題。

        李建剛 中國科學院合肥物質科學研究院

        主要科技貢獻:項目副總經理。在物理設計、實現單、雙偏濾器運行、各子系統工程設計準則及要求等方面作出重要貢獻。

        研究集體主要完成者及工作單位:

        高大明 中國科學院合肥物質科學研究院

        武松濤 中國科學院合肥物質科學研究院

        萬寶年 中國科學院合肥物質科學研究院

        付 鵬 中國科學院合肥物質科學研究院

        白宏宇 中國科學院合肥物質科學研究院

        畢延芳 中國科學院合肥物質科學研究院

        張曉東 中國科學院合肥物質科學研究院

        姚達毛 中國科學院合肥物質科學研究院

        吳維越 中國科學院合肥物質科學研究院

        王孔嘉 中國科學院合肥物質科學研究院

        武 玉  中國科學院合肥物質科學研究院

        陳灼民 中國科學院合肥物質科學研究院

        羅家融 中國科學院合肥物質科學研究院

        潘引年 中國科學院合肥物質科學研究院

        辜學茂 中國科學院合肥物質科學研究院

        劉小寧 中國科學院合肥物質科學研究院

        劉正之 中國科學院合肥物質科學研究院

        強場物理若干前沿問題研究集體

        研究集體所在單位:

        中國科學院物理研究所

        研究集體主要科技貢獻:該研究集體采用系列創新的單元技術,先后建成綜合性能居國際先進水平的系列化超強激光裝置,并自主建立和發展了相關實驗診斷設備和數值模擬程序組成的強場物理研究平臺。對強場物理的若干前沿問題進行了深入研究,特別是揭示了超短超強激光吸收機制相互轉換的規律;提出了強激光場對電子的隨機加熱和加速等新機制;實現了強場產生超熱電子的定向發射和控制;證實了快點火激光聚變新方案中錐形靶對超熱電子的聚焦作用,解決了困惑人們多年的錐靶中子增強之謎;提出了產生超強THz輻射新理論,并得到初步實驗證實;揭示了超短超強激光在大氣中傳輸及超長距離自聚焦等離子體通道產生的規律等。研究成果得到強場物理界國內外同行的廣泛肯定和引用。

        研究集體突出貢獻者及工作單位:

        張 杰 中國科學院物理研究所

        主要科技貢獻:創建了強場物理研究平臺,通過實驗和數值模擬研究,在強場物理前沿問題取得系列創新成果。

        盛政明 中國科學院物理研究所

        主要科技貢獻:發展了強場物理研究系列化數值模擬程序,并通過理論研究和數值模擬,并結合實驗研究,取得多項創新成果。

        魏志義 中國科學院物理研究所

        主要科技貢獻:負責實施包括極光I,II,III在內的飛秒TW超強激光平臺的研究建設工作,并實現了一系列單元技術創新研究。

        研究集體主要完成者及工作單位:

        李玉同 中國科學院物理研究所

        魯 欣 中國科學院物理研究所

        董全力 中國科學院物理研究所

        滕 浩 中國科學院物理研究所

        王兆華 中國科學院物理研究所

        遠曉輝 中國科學院物理研究所

        于全芝 中國科學院物理研究所

        奚婷婷 中國科學院物理研究所

        令維軍 中國科學院物理研究所

        武慧春 中國科學院物理研究所

        郝作強 中國科學院物理研究所

        張 喆 中國科學院物理研究所

        金 展 中國科學院物理研究所

        陳 民 中國科學院物理研究所

        徐妙華 中國科學院物理研究所

        鄭志遠 中國科學院物理研究所

        王 鵬 中國科學院物理研究所

        高端硅基SOI材料研究集體

        研究集體所在單位:

        中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        研究集體主要科技貢獻:SOI(Silicon-on-Insulator)技術是國際微電子領域發展的前沿,SOI電路具有高速、低功耗、抗輻照等優點,被國際上公認為是“21世紀的硅集成電路技術” 。該研究集體從國家微電子領域持續發展中的重大科技需求出發,對SOI技術進行了系統深入的研究并實現了SOI材料的高技術產業化,取得了一系列科學技術的重大創新:以大劑量離子注入形成SOI結構的物理效應和化學效應的創新性基礎研究;突破SOI材料產業化的關鍵技術和制備SOI的超低劑量氧離子注入(SLD)新工藝;在國際上獨創了結合注氧隔離和鍵合兩種技術的注氧鍵合(Simbond)SOI新技術;用離子束改性技術大幅度提高SOI材料抗輻射水平;研究成功有效克服SOI自加熱效應的SOI新結構材料;從上海微系統所孵化出新傲高科技公司,成功生產4~6英寸SOI產品,成為國際高端硅基材料供應商之一。該研究集體對我國微電子和相關產業的持續發展作出重大貢獻,所完成的SOI材料研究項目獲得2006年度國家科技進步獎一等獎。

        研究集體突出貢獻者及工作單位:

        王 曦 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        主要科技貢獻:突破實現SOI材料產業化的技術難題和超低劑量氧離子注入形成SOI的 SLD新工藝,在國際上獨創了注氧鍵合(Simbond)SOI新技術,用離子束改性技術大幅度提高SOI材料抗輻射水平。

        林成魯 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        主要科技貢獻:以大劑量離子注入形成SOI結構的創新性基礎研究, 突破實現SOI材料產業化的關鍵技術,研究成功有效克服SOI自加熱效應的SOI新結構材料。

        陳 猛 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        主要科技貢獻:突破SOI材料產業化的關鍵技術和超低劑量氧離子注入形成SOI的 SLD新工藝,在國際上獨創了注氧鍵合(Simbond)SOI新技術。

        研究集體主要完成者及工作單位:

        張 苗 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        俞躍輝 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        張 峰 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        李 煒 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        宋志棠 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        張正選 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        劉衛麗 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        林梓鑫 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        陳 靜 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        徐彥芬 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        陳雪梅 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        李東蘇 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        朱愛倩 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        葉 斐 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        林心如 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        李守臣 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

        封松林 中國科學院上海微系統與信息技術研究所

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