俄歇電子能譜儀的測試結果

俄歇電子能譜

俄歇電子數目N(E)隨其能量E的分布曲線稱為俄歇電子能譜。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。俄歇電子峰有很高的背底，有的峰還不明顯，不易探測和分辯。為此通常采用電子能量分布的一次微分譜，即N’(E)=dN(E)/dE來顯示俄歇電子峰。這時俄歇電子峰形成正負兩個峰，一般負值大于正峰。微分譜的特點是靈敏，背底扣除問題自動得到解決，峰明銳且易辨識，特別是如圖中的碳和鈣峰。習慣上將原先的N(E)譜稱為積分譜。

俄歇電子像

若調整電子能量分析器，使其僅檢測制定元素的俄歇能量范圍，讓細聚焦的入射電子束在試樣表面沿指定直線或區域掃描，同步探測俄歇電子信號，就能獲得俄歇線掃描圖或俄歇電子圖像。利用俄歇圖像和電子顯微圖像相比較，亦可得到元素分布與表面形貌的相關性。下圖分別是某半導體元件的吸收電流顯微圖，俄歇能譜面分布（依次為氧、金元素）圖以及俄歇能譜線掃描（依次為氧、金元素）圖。顯然各圖的結果是很對應的。