半導體行業探討：EUV技術與HighNAEUV的光刻革命

EUV（極紫外光刻）技術在半導體行業備受矚目。據ASML公布的2023年第三季度報告，EUV光刻機的預定額從5億歐元猛增至第四季度的56億歐元，預計將在2025年前后交付。這一技術由日本工程師木下博夫提出，經過幾十年的發展，ASML成為唯一能夠量產EUV光刻機的廠商。

EUV技術相對傳統DUV技術具有明顯優勢，包括更低成本批量生產、更強處理能力、更低能耗、更簡化工藝等。EUV的發展歷程可追溯到上世紀80年代中期，當時日本的木下博夫提出了EUVL的想法。然而，這一技術經歷了多年的質疑和挑戰，直到ASML在2019年推出首款商用EUV產品。

EUV的成功轉折點發生在1997年，當時英特爾決定投資10億美元共同開發EUV技術。經過多年研發，ASML的EUV光刻機終于在2019年投入使用，成為半導體行業的重要工具。EUV技術的商業成功也體現在市場規模的增長，預計在2028年將達到253億美元。

然而，隨著技術的發展，新一代的High-NA EUV技術逐漸嶄露頭角。ASML的新型EUV光刻機EXE采用了更大數值孔徑（NA）的物鏡，提高了光刻精度。雖然High-NA EUV技術受到歡迎，但由于其高昂的價格，目前只有少數公司，包括臺積電、英特爾和三星，敢于下訂單。

然而，臺積電在采用High-NA EUV技術方面顯得謹慎。一些分析認為，臺積電可能對這項技術的采用采取謹慎態度，因為它可能會增加成本，而且目前可能缺乏足夠的大客戶需求。相比之下，英特爾在采用High-NA EUV技術方面表現更為積極，已經收到了ASML的主要組件，并準備投入使用。

因此，未來High-NA EUV技術在半導體行業的競爭仍然不確定，各大公司的選擇將取決于成本、需求和技術發展的平衡。