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  • 發布時間:2024-02-27 10:53 原文鏈接: 石英晶體微天平原理

    壓電效應的解釋

    在某些類型的材料(通常為晶體)上施加機械應變,會導致材料上產生電勢。反之,在同樣的材料上施加電壓就會產生機械應變(形變)。撤去電壓,晶體恢復原狀。燃氣烤爐上的點火器是壓電效應日常使用的一個好例子。按下按鈕使得彈簧錘撞擊石英晶體,由此產生一個大電壓,通過與金屬線的間隙放電,引燃燃氣。

    石英是至今帶振蕩器的儀器上使用廣泛的材料,一部分是因為歷史原因(批晶體是自然收獲的),一部分是因為其的商業化(現在人工合成)。切割石英晶體的方法很多,每一種切法,在施加電壓時有不同的振動模式。AT切向石英晶體因其室溫時的低溫度系數,在QCM應用中采用得多。這也意味著,小的溫度變化只造成頻率的微小變化。該晶體有沿厚度方向切變的振動模式,如圖1所示。

    Quartz Crystal No Applied Potential

    未施加電壓的石英晶體
          Quartz Crystal Under Applied Potential

    施加電壓下的石英晶體

    圖1 厚度切變示意圖

    在晶體表面施加交變電壓(幾乎所有案例中都為正弦波)會引起晶體振蕩。當晶體的厚度(tq)是聲波長的兩倍時,會產生駐波,此時施加電壓頻率的倒數是駐波的周期。該頻率稱為共振頻率f0,由下式可得:

    Basics-of-an-eQCM.pdf.jpg

     (1)

    其中,μq是切變模量(剪切應力與剪切應變之比),ρq是密度,tq是晶體厚度。在共振頻率,振蕩過程中能量損失量小。每個循環峰能量存儲與能量損失之比,被稱為質量因子Q,由下式定義:

    Basics-of-an-eQCM.pdf 2.jpg

    (2)

    其中fc是ZX頻率,fFWHM是半高全寬。半高全寬也叫帶寬。石英晶體在空氣中時,Q能夠超100,000,而在溶液中時Q降為約3000。這是因為晶體受到了溶液的阻尼作用。該阻尼作用增加了每個循環能量的損失量,降低了Q,如圖2所示。

    Comparison of High Q and Low Q

    圖2 高Q(實線)和低Q(虛線)的比較

    等效電路模型

    電聲系統的力學模型(圖3)包含一個質量(M)、一個塑性(Cm)和一個電阻(rf)。塑性代表振蕩過程中的能量存儲,電阻代表振蕩過程中的能量耗散。

    Quartz Crystal Microbalance Equivalent Mechanical Model

    圖3 石英晶體微天平等效力學模型

    QCM力學模型可以由多種不同方式電學建模。簡單的模型是RLC電路,如圖4所示。

    Basics-of-an-eQCM.pdf 7.jpg

    圖4 RLC電路

    其中,R1代表振蕩過程中的能量耗散,C1代表能量存儲,Li代表與位移質量相關的慣性成分。在共振頻率fs,電路的阻抗值小,數值大小與R1相同,如圖5所示。

    Impedance Spectrum for a Series RLC Circuit

    圖5 串聯RLC電路阻抗譜

    實現石英晶體電接觸簡單的方法是在晶體每個面上加上電極。這些電極在RLC電路基礎上引入了一個額外的電容(C0),與串聯電路并聯,如圖6所示。該電路通常稱為Butterworth van Dyke (BvD)模型。

    Basics-of-an-eQCM.pdf 8.jpg

    圖6 Butterworth van Dyke等效電路模型

    上述電路有兩個共振頻率:fs和fp。分別代表串聯共振頻率(跟原始RLC電路中一樣)和并聯共振頻率。下圖顯示的是BvD模型的阻抗譜,小值在fs處,大值在fp處。

    Impedance Spectrum for the Butterworth van Dyke Equivalent Circuit Model
    圖7 Butterworth van Dyke等效電路模型對應阻抗譜

    依賴鎖相振蕩器的大多數商用QCM手動抵消C0,只報告串聯共振頻率fs,因為fs≈f0,fs明顯依賴于L1。eQCM 10M顯示fs和fp兩個頻率,以及相關阻抗譜。

    因為這兩個共振頻率都依賴L1,電極表面上的質量變化將導致頻率的變化。當沉積膜很薄且是剛性的,頻率的降低可采用Sauerbrey方程4與質量的增加直接相關聯。

    Basics-of-an-eQCM.pdf 3.jpg

    (3)

    其中,f0是晶體的基頻,如方程(1)中定義的,m是增加的質量,n是諧波數(如5 MHz晶體在5 MHz驅動時n=1),μq和ρq也跟方程(1)里定義的一樣。方程(3)可以簡化為:

    Basics-of-an-eQCM.pdf 4.jpg

    (4)

    其中,Cf是校正常數。5 MHz AT切向石英晶體在空氣中的校正常數為56.6 Hz cm2 g-1。

    電化學實驗大多數是低載量的,可以直接采用Sauerbrey方程(4)將頻率變化與質量變化關聯。

    一旦沉積了薄膜且石英晶體浸于液體中,BvD模型可以修改成下圖,包含與液體的耦合。

    Basics-of-an-eQCM.pdf 9.jpg

    圖8 石英晶體浸于液體中的等效電路模型

    三個新元件分別說明膜質量負載Lf和液體負載(基于LL和RL)。新的質量負載Lf和LL都對頻率減小有影響, 如圖9中的黑色箭頭所示。原始的BvD模型(黑線)共振頻率約為300 kHz,高于修改后的BvD模型(紅線)。需要注意的是,盡管增加了膜和液體負載,共振曲線的形狀不變。

    Comparison of BvD and Modified BvD Models

    圖9 BvD和修正BvD模型比較

    知道液體粘度和密度,就可以采用方程(5)計算晶體浸于液體時頻率的降低值。

    Basics-of-an-eQCM.pdf 5.jpg

    (5)

    其中,fa是晶體在空氣中的頻率,ηL是液體粘度,ρL是液體密度,μq是石英晶體的切變模量,ρq是石英晶體密度。

    例如,當晶體浸入純水中時,頻率降低約為800 Hz。

    方程(4)僅在假設膜很薄且為剛性時成立。當膜不再薄或不再為剛性時,BvD模型可進一步修正如下:

    Basics-of-an-eQCM.pdf 9.jpg

    圖10 石英晶體涂敷聚合物膜且浸于液體中的一種可能等效電路模型

    加入了兩組特征元件:膜負載(ηfρf)和彈性(μf)。基于膜粘度(ηf)、密度(ρf)和彈性(μf),粘彈性聚合物將影響共振頻率。如果聚合物為剛性或ηfρf在實驗過程中無變化,則峰形狀不會變,ηfρf的貢獻可忽略。當ηfρf變化,峰的頻率、數值和形狀也會變化,如圖11所示。

    Comparison of BvD and Viscous Polymer Modified BvD Models

    圖11 BvD和粘性聚合物修正BvD模型比較

    另一種查看ηfρf是否變化的方法是查看簡化質量因子QR隨時間的變化。

    Basics-of-an-eQCM.pdf 6.jpg

    (6)


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