化學氣相沉積（CVD）是生長大面積高質量石墨烯的有效方法之一。在石墨烯的CVD生長過程中，需要使用金屬催化劑，石墨烯需要轉移才能構筑電學器件，與當前的半導體加工工藝不兼容，同時轉移會造成石墨烯的褶皺、破損和降低其電學性能。如能在絕緣襯底上實現石墨烯的無金屬催化生長，那就不需要轉移可直接構筑電學器件。但是，不同于多數金屬基底上的自限制生長方式，石墨烯在絕緣基底上的CVD生長常常會伴隨有生長速度慢與重復成核等缺點，因而會形成均勻性差并具有不確定層數的石墨烯膜。因此，在絕緣基底上直接制備大面積均勻單層石墨烯薄膜，對其實現與半導體行業對接和加速石墨烯工業化應用進程具有深遠影響。
在國家自然科學基金委和中國科學院先導項目的支持下，中科院化學研究所有機固體重點實驗室于貴課題組長期致力于CVD可控制備石墨烯研究，并取得了系列進展（Adv. Mater. 2015, 27, 2821-2837； Adv. Mater. 2015, 27, 4195-4199； Adv. Mater. 2016, 28, 4956-4975； Adv. Mater. Interfaces 2016, 3, 1600347； J. Mater. Chem. C 2016, 4, 7464-7471； Mater. Horiz. 2016, 3, 568； Chem. Mater. 2017, 29, 1022-1027； Nat. Commun. 2017, 8, 14029； Carbon 2017, 121, 1-9； Adv. Mater. Interfaces 2018, 5, 1800347； Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57, 192-197； Mater. Horiz. 2018, 5, 1021-1034； Chem. Mater. 2019, 31, 1231； Adv. Mater. Technol. 2019, 4, 1800572； Diamond Relat. Mater. 2019, 91, 112-118； Small Methods 2019, 31, 2507）。
近日，研究人員采用了一種新的前驅體調控策略成功地抑制了石墨烯的二次成核，從而在絕緣基底上直接生長出大面積高質量的均勻單層石墨烯薄膜。通過對石墨烯生長機理的研究得知，二氧化硅襯底表面的羥基化弱化了石墨烯邊緣與襯底之間的結合，進而實現了初級成核主導的石墨烯生長。場效應晶體管（FET）器件測試結果顯示出制備的均勻單層石墨烯膜具有優異的電學性能，遷移率最高達到3800 cm2 V-1 s-1，是目前絕緣基底上生長的石墨烯薄膜器件的性能最高值。這種無需任何復雜的轉移過程，簡便可控在絕緣基底上制備高質量石墨烯薄膜的方法，使石墨烯在集成電子和光電子領域中的應用又邁進了一步。
毛細管電色譜(CEC)因兼具高效液相色譜(HPLC)的高選擇性和毛細管電泳(CE)的高分離效率而受到越來越多研究者的關注。在毛細管電色譜中,選擇合適的固定相材料對獲得優異的分離效果起著十分重要的作用。......
南方醫科大學口腔醫院教授邵龍泉團隊結合團隊的前期研究，在石墨烯基材料介導免疫調控研究方面綜述了前人進展。近日，相關綜述文章在線發表于《納米技術》。文章指出，石墨烯基材料廣泛應用于組織工程和再生醫學，是......
美國麻省理工學院物理學家通過分離按特定順序堆疊的5層超薄石墨烯薄片，將石墨或鉛筆芯變成了“黃金材料”，通過調整所得材料，可使其表現出在天然石墨中從未見過的3種重要特性。研究成果發表在《自然·納米技術》......
石墨烯基材料(GBMs)廣泛應用于組織工程和再生醫學，是生物材料領域中的最具發展潛力的材料之一。 &nbs......
英國華威大學和曼徹斯特大學的科研人員揭示了石墨烯對質子的滲透比理論預期值高得多的原因。科研人員使用掃描電化學電池顯微鏡（SECCM）測量質子電流，將穿過石墨烯膜的質子電流的空間分布可視化。研究發現，質......
多孔或層狀電極材料具有豐富的納米限域環境，表現出高效的電荷儲存行為，被廣泛應用于電化學電容器。而這些限域環境中形成的雙電層（限域雙電層）結構與建立在平面電極上的經典雙電層之間存在差異，導致其儲能機理尚......
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7月下旬，第三屆中國（重慶）石墨烯產業發展高峰論壇在西部（重慶）科學城舉行，包括4名院士在內的來自高校院所、科研機構和投資機構等的200余名代表，圍繞石墨烯產業技術研究、最新成果和市場應用展開討論。中......
7月22日，第三屆中國（重慶）石墨烯產業發展高峰論壇在西部（重慶）科學城開幕，包括4名院士在內的高校院所、科研機構和投資機構等200余名代表，將在為期3天的活動中圍繞石墨烯產業技術研究、最新成果和市場......