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  • 新型打印技術所得薄膜導電性能優異

    本報訊據物理學家組織網6月2日報道,美國科學家設計出了一種新的打印過程,不僅比傳統方法更迅捷,而且適用于多種有機材料,得到的有機半導體薄膜的性能也要優異10倍。研究人員在最新一期的《自然·材料學》雜志上表示,最新進展有望引領有機電子設備領域的新變革。 有機電子設備可以廣泛應用于多個領域,但即便是目前性能最好的薄膜,其在導電方面也差強人意。為此,美國國防部下屬的斯坦福直線加速器中心(SLAC)和斯坦福大學的研究人員設計了一種新的打印過程。他們發現,借用新方法,使用某些材料制造出的薄膜的導電能力是目前性能最好的薄膜的10倍。這些半導體薄膜可用來制造輕便且成本低廉的太陽能電池、柔性電子顯示器和纖薄的傳感器等。 該論文的主要作者、SLAC/斯坦福大學博士后刁穎(音譯)說:“更重要的是,最新方法可以升級,從而滿足工業需求。” 刁穎表示,在快速打印過程中,很容易出現墨流分布不均的情況,這會使得到的半導體晶體布滿瑕疵,但......閱讀全文

    特殊材料取代硅造出半導體薄膜

      美國麻省理工學院(MIT)工程師最近開發出一種新技術,他們用一批特殊材料取代硅,制造出了超薄的半導體薄膜。新技術為科學家提供了一種制造柔性電子器件的低成本方案,且得到的電子器件的性能將優于現有硅基設備,有望在未來的智慧城市中“大展拳腳”。  如今,絕大多數計算設備都由硅制成,硅是地球上含量第二豐

    新型薄膜半導體電子遷移速度創紀錄

    ?科技日報北京7月17日電?(記者劉霞)據美國趣味科學網站16日報道,來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰能力發展司令部(DEVCOM)陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家,利用名為三元石英的晶體材料,成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米,約為人頭發絲直徑的千分之一。其

    新型薄膜半導體電子遷移速度創紀錄

    據美國趣味科學網站16日報道,來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰能力發展司令部(DEVCOM)陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家,利用名為三元石英的晶體材料,成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米,約為人頭發絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創下新紀錄,約為傳統半導

    美開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜

      據物理學家組織網8月21日(北京時間)報道,美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術和剝離過程開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應用并開辟潛在的重點研究領域。相關報告發表在近期出版的《納米快報》雜志網絡版上。   半導體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學性質

    美開發厚度為單原子直徑的半導體薄膜

      美國北卡州立大學研究人員22日表示,他們開發出制造高質量原子量級半導體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術。材料科學和工程助理教授曹林友(音譯)說,新技術能將現有半導體技術的規模縮小到原子量級,包括激光器、發光二極管和計算機芯片等。   研究人員研究的材料是硫化鉬,它是一種價格低廉的半導體材

    光伏新技術在半導體薄膜發電領域的創新應用

    ?? 勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員發現一種新的方法,可克服傳統固態太陽能電池帶隙電壓的限制,使半導體薄膜材料可產生光伏效應。?該研究小組研究使用的是鉍鐵氧體-利用鉍、鐵和氧制作的陶瓷。鉍鐵氧體是多鐵氧體,同時顯示出鐵電和鐵磁性質。鐵電性是指通過電場逆轉,材料的自發電極化;而鐵磁性是指物質表現出*

    光伏新技術在半導體薄膜發電領域的創新應用

    勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員發現一種新的方法,可克服傳統固態太陽能電池帶隙電壓的限制,使半導體薄膜材料可產生光伏效應。?該研究小組研究使用的是鉍鐵氧體-利用鉍、鐵和氧制作的陶瓷。鉍鐵氧體是多鐵氧體,同時顯示出鐵電和鐵磁性質。鐵電性是指通過電場逆轉,材料的自發電極化;而鐵磁性是指物質表現出*磁矩的

    電子順磁共振波譜的測試能測試半導體薄膜嗎

    電子順磁共振首先是由前蘇聯物理學家 E·K·扎沃伊斯基于1944年從MnCl2、CuCl2等順磁性鹽類發現的。物理學家最初用這種技術研究某些復雜原子的電子結構、晶體結構、偶極矩及分子結構等問題。以后化電子順磁共振波普儀學家根據電子順磁共振測量結果,闡明了復雜的有機化合物中的化學鍵和電子密度分布以及與

    半導體集成電路的厚膜電路和薄膜電路相關介紹

      從整個集成電路范疇講,除半導體集成電路外,還有厚膜電路與薄膜電路。  ①厚膜電路。以陶瓷為基片,用絲網印刷和燒結等工藝手段制備無源元件和互連導線,然后與晶體管、二極管和集成電路芯片以及分立電容等元件混合組裝而成。  ②薄膜電路。有全膜和混合之分。所謂全膜電路,就是指構成一個完整電路所需的全部有源

    合肥研究院在有機半導體磁誘導生長和性能研究中獲進展

      近期,中國科學院合肥物質科學研究院強磁場科學中心張發培研究團隊提出強磁場誘導有機材料生長的新策略,實現高性能半導體聚合物薄膜的結構調控并提高其電荷傳輸能力,相關研究成果分別發表在ACS Applied Materials & Interface,Journal of Materials Chem

    上海高研院等在一批鈣鈦礦半導體薄膜研究獲進展

      近年來,鈣鈦礦半導體材料的發展對光轉換應用的進展產生了明顯的積極影響,目前已在場發射晶體管、太陽能電池、光通訊、X射線探測、激光器等領域嶄露頭角。其中,鈣鈦礦太陽能電池以其更加清潔、便于應用、制造成本低和效率高等顯著優點,迅速成為國際上科研和產業關注的熱點。要實現此類器件的市場化應用需要進一步解

    薄膜測厚儀

    薄膜測厚儀 型號:CHY-CACHY-CA薄膜測厚儀采用機械接觸式測量方式,嚴格符合標準要求,有效保證了測試的規范性和準確性。專業適用于量程范圍內的塑料薄膜、薄片、隔膜、紙張、箔片、硅片等各種材料的厚度測量。???◆?嚴格按照標準設計的接觸面積和測量壓力,同時支持用戶的各種非標定制???◆?測試過程

    薄膜測量

    薄膜測量薄膜測量系統是基于白光干涉的原理來確定光學薄膜的厚度。白光干涉圖樣通過數學函數被計算出薄膜厚度。對于單層膜來說,如果已知薄膜介質的n和k值就可以計算出它的物理厚度。 AvaSoft-Thinfilm應用軟件內包含有一個大部分常用材料和膜層n和k值的內置數據庫。 AvaSoft-Thi

    薄膜測量

    薄膜測量薄膜測量系統是基于白光干涉的原理來確定光學薄膜的厚度。白光干涉圖樣通過數學函數被計算出薄膜厚度。對于單層膜來說,如果已知薄膜介質的n和k值就可以計算出它的物理厚度。 AvaSoft-Thinfilm應用軟件內包含有一個大部分常用材料和膜層n和k值的內置數據庫。 AvaSoft-Thi

    國家863計劃新材料技術領域2014年度備選項目征集指南

      一、指南方向與內容   1. 新型電子材料與器件   1.1 第三代半導體材料及應用   1.1.1 高質量第三代半導體材料關鍵技術   開展第三代半導體材料大尺寸、低成本、高質量襯底制備和外延技術研究,突破相關核心關鍵技術,滿足高溫、高頻、高效大功率器件研制的需求。   1.1.2

    薄膜拉力試驗薄膜拉伸測試儀

    薄膜拉力試驗薄膜拉伸測試儀拉伸、撕裂、剝離等力學性能,當使用反向器時,可進行材料的壓縮試驗。?本機是一種新型經濟性電子拉力試驗機,配備力傳感器,在試驗過程中,微機不斷采集力傳感器的信號,并根據試驗要求,進行格式化數據處理,其特點是使用簡單,性能穩定,技術先進,自動化水平高,測試精度高。?2?主要技術

    xrd薄膜法能夠測定薄膜什么性質

    不知道你所說的薄膜法指什么.一般對于薄膜材料,XRD能夠做:掠入射(GIXRD):????分析晶態薄膜物相,殘余應力反射率測量(XRR):????對膜質量要求較高,晶態非晶皆可.一般分析納米級別薄膜的厚度,深入一點可通過擬合的方法來分析密度,表面界面的粗糙度掠入射小角散射(GISAXS):????分

    半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展

    深圳電子元器件展,電子儀器儀表展,深圳電子儀器儀表展,電子元器件展,深圳電子設備展,電子設備展,電子元器件展覽會,電子儀器展,深圳電子儀器展,電儀器展覽會,深圳繼電器展,深圳電容器展,深圳連接器展,深圳集成電路展2024中國(深圳)國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)

    半導體展會2024上海半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展

    展會名稱:2024中國(上海)國際半導體展覽會英文名稱:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間:2024年11月18-20日?論壇時間:2024年11月18-19日?展會地點:上海新國際

    什么是分子結構

    分子結構,或稱分子立體結構、分子形狀、分子幾何,建立在光譜學數據之上,用以描述分子中原子的三維排列方式。分子結構在很大程度上影響了化學物質的反應性、極性、相態、顏色、磁性和生物活性。分子結構涉及原子在空間中的位置,與鍵結的化學鍵種類有關,包括鍵長、鍵角以及相鄰三個鍵之間的二面角。

    視黃醛分子結構介紹

      維生素A是屬于萜類化合物,根據它所含異戊二烯的單位數它又屬二萜,分子式為C20H32,它的性質與官能團有關,因為含碳甲基(C-CH3)、偕二甲基(C-(CH3)2)和異戊二烯基,即含雙鍵、共軛雙鍵、羥基、活潑氫等,所以可以發生氧化反應、加成反應等。所以在紫外線照射下失去活性,在空氣中被氧化,無旋

    腺苷的分子結構

    摩爾折射率:59.95摩爾體積(cm3/mol):128.1等張比容(90.2K):412.8表面張力(dyne/cm):107.6極化率(10-24cm3):23.76

    乙醛的分子結構

    甲基的C原子以sp3雜化軌道成鍵、醛基的C原子以sp2雜化軌道成鍵,分子為極性分子。分子結構數據1、摩爾折射率:11.502、摩爾體積(cm3/mol):58.83、等張比容(90.2K):120.64、表面張力(dyne/cm):17.65、極化率(10-24cm3):4.55

    阿洛酮糖的分子結構

    摩爾折射率:37.42摩爾體積(m/mol):113.3等張比容(90.2K):351.7表面張力(dyne/cm):92.6極化率(10cm):14.83

    乙烯的分子結構

    分子結構分子式:C2H4結構簡式::CH2=CH2最簡式:CH2。乙烯有4個氫原子的約束,碳原子之間以雙鍵連接。所有6個原子組成的乙烯是共面。H-C-C角是121.3°;H-C-H角是117.4 °,接近120 °,為理想sp2混成軌域。這種分子也比較僵硬:旋轉C=C鍵是一個高吸熱過程,需要打破π鍵

    鍵角的分子結構

    鍵角是共價鍵方向性的反映,與分子的形狀(空間構型)有密切聯系。例如,水分子中兩個H—O鍵之間的夾角是104.5°,這就決定了水分子的角形結構。一般知道一個三原子分子中鍵長和鍵角的數值,就能確定這個分子的空間構型。二氧化碳分子中C—O鍵長是116pm,兩個C—O鍵的夾角是180°,二氧化碳是直線型分子

    乙酸的分子結構

    1、摩爾折射率:12.872、摩爾體積(cm3/mol):56.13、等張比容(90.2 K):133.54、表面張力(dyne/cm):31.9乙酸的分子結構圖5、極化率(10-24?cm3):5.10乙酸的晶體結構顯示 ,分子間通過氫鍵結合為二聚體(亦稱二締結物),二聚體也存在于120℃的蒸汽狀

    MHC的分子結構

    1. MHC-I類分子所有I類分子都包含有兩條不相連的多肽鏈:一條為MHC編碼的α鏈或稱重鏈,人類約44X103,小鼠約為47X103;另一條為獨立染色體基因編碼的β鏈(β2-微球蛋白),人類和小鼠均為12X103。α鏈由一個約40X103的核心多肽鏈形成,N端連有一個(人類)或兩個(小鼠)寡糖,α

    高精薄膜厚度測厚儀薄膜企業必備儀器

    薄膜測厚儀中的高精薄膜厚度測厚儀的適用范圍很廣,可以測量的塑料、金屬、涂層材料等多種材料的厚度,是我們設計制作物品的測量工具,幫助我們判斷物體的質量是否合格,而且還能幫助我們節約物體設計制作成本,可以說購買了高精度薄膜厚度測厚儀就是提高了物體設計制作的質量。?高精薄膜厚度測厚儀? ?? ? 濟南辰馳

    其他薄膜沉積設備的薄膜沉積技術分類

      薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)。對于CVD工藝,這包括原子層沉積(ALD)和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。PVD沉積技術包括濺射,電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較

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