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    分子光動力控制釋放納米器件研制成功

    最近,中科院上海硅酸鹽研究所成功構筑了分子光動力控制釋放納米器件,該納米器件有望在醫學診斷、藥物輸送、化學過程控制與檢測等方面獲得應用。該工作為上海硅酸鹽研究所研究員祝迎春與日本AIST研究結構研究員Fujiwara Masahiro共同協作完成,研究工作作為“Hot Paper”發表在國際著名雜志德國《應用化學》(Angew. Chem. Int. Ed,2007, 46, 2241-2244,2006年影響因子10.232)上,并已申報專利一項。 分子材料由于尺寸微小,分子運動在宏觀環境下通常難以產生有效的作用,但在納米尺度的微器件上,如在納米孔的微小空間內,分子運動足以主導納米空間內的物理和化學過程。偶氮類化合物能夠發生快速、穩定、連續可逆的光異構化運動,如果將其分子的一端固定,該分子的另一端將圍繞N-N鍵發生旋轉-翻轉運動。在紫外光作用下,偶氮化合物反式結構異構吸收紫外光轉化為順式結構,可見光或加熱條件下則由順......閱讀全文

    分子光動力控制釋放納米器件研制成功

    最近,中科院上海硅酸鹽研究所成功構筑了分子光動力控制釋放納米器件,該納米器件有望在醫學診斷、藥物輸送、化學過程控制與檢測等方面獲得應用。該工作為上海硅酸鹽研究所研究員祝迎春與日本AIST研究結構研究員Fujiwara Masahiro共同協作完成,研究工作作為“Hot Paper”發表在國際著名雜志

    上海硅酸鹽所:新型納米材料“解聚”腫瘤

      近年來,我國結直腸癌的發病率有所上升,且多數發現時即為中晚期。與之相對,結直腸癌的治療尤其是低位結直腸癌的治療目前仍面臨巨大挑戰:人工結直腸造口給患者帶來沉重身體及心理負擔,放化療治療會導致骨髓抑制等嚴重并發癥,臨床亟需安全有效的新型治療方式,緩解患者癥狀的同時減少并發癥。  上海硅酸鹽所施劍林

    納米所與索尼聯合研發半導體材料與器件

      6月23日下午,中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與索尼公司半導體材料與器件合作項目啟動簽約儀式在蘇州納米所舉行。研究所所長楊輝代表蘇州納米所與索尼公司高級副總裁熊谷簽訂合作協議,同時,索尼公司將向蘇州納米所提供分子束外延(MBE)裝置的免費使用權。中科院副院長施爾畏,蘇州工業園

    蘇州納米所薄膜光伏器件機理研究獲進展

      薄膜光伏器件由于其低成本、高效率、易加工和柔性便攜等優點,被認為是最具應用前景的新型太陽能電池,因而受到廣泛研究和關注。  光伏器件內部的能級排布如何影響器件工作機理,例如光生載流子的分離、輸運、復合和收集等基本過程,從而決定器件的能量轉換效率是領域里的一個研究熱點。但是,目前還沒有很好的方法來

    蘇州納米所 柔性可穿戴電子器件取得進展

      當前人工智能快速發展,各種類人功能智能機器人層出不窮,觸覺感知是人類和未來智能機器探索物理世界的基礎性功能之一,發展具有觸覺功能的仿生電子皮膚柔性感知器件,并實現器件與柔軟組織間的機械匹配性具有重要的科學意義和應用價值。圖片來源于網絡  近日,受指紋能夠感知物體表面紋理的啟發,中國科學院蘇州納米

    中科院蘇州納米所與空客(北京)成立“納米材料實驗室”

      近日,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所與空客(北京)工程技術中心在蘇州工業園區簽署合作協議,同步成立“航空納米材料聯合實驗室”,首次在國內形成納米材料與航空領域的深度合作,旨在探索納米復合材料技術在航空領域的研發和應用,推進航空領域先進材料發展,為飛機設計制造等航空工業提供技術支撐。   

    蘇州納米所與蘇州大學共建功能納米材料與器件重點實驗室

      7月5日上午,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所與蘇州大學聯合共建的功能納米材料與器件重點實驗室揭牌成立。  功能納米材料與器件重點實驗室以蘇州納米所和蘇州大學現有的重點實驗室為基礎,瞄準國家重大需求,開展高水平功能納米材料與器件的基礎研究和應用基礎研究,圍繞“功能納米材料的設計與可控制備”

    《今日材料》再次發表智能所納米器件重要研究成果

      最近,中科院合肥物質科學研究院智能所仿生功能材料與傳感器件研究中心劉錦淮研究員、“百人計劃”黃行九研究員負責的研究組在納米器件研究領域取得了重要進展,研究成果論文《基于“T”型二氧化錫納米線的分流器件》(T-shaped SnO2 nanowire current splitter

    蘇州納米所GaN/Si功率開關器件研究獲得重要突破

      隨著能效標準不斷提高,基于硅(Si)材料的功率器件改進空間越來越小;人們將目光投向新材料領域,以期實現根本改進,從而引發新一代功率器件技術的革命性突破。眾多新材料中,基于氮化鎵(GaN)的復合材料最引人關注。GaN基功率器件具有擊穿電壓高、電流密度大、開關速度快、工作溫度高等優點

    微電子所垂直納米環柵器件研究獲進展

      與目前主流的FinFET器件相比,納米環柵器件(GAA)在可微縮性、高性能和低功耗方面更具優勢,被認為是下一代集成電路關鍵核心技術。其中,垂直納米環柵器件(VGAA)由于在垂直方向上具有更多的集成自由度,可增加柵極和源漏的設計空間,減少器件所占面積,更易實現多層器件間的垂直堆疊并通過全新的布線方

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