半導體材料的提純方法
提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重復移動多次后，雜質富集于錠條的兩端。去掉兩端的材料，剩下的即為具有較高純度的材料（見區熔法晶體生長）。此外還有真空蒸發、真空蒸餾等物理方法。鍺、硅是能夠得到的純度最高的半導體材料，其主要雜質原子所占比例可以小于百億分之一。......閱讀全文
半導體材料的提純方法
提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重復移動多次
半導體材料的提純方法
半導體材料的提純“主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分
半導體材料的制備方法
不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上 ，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，一
單晶半導體材料的制備方法
具體的制備方法有：①從熔體中拉制單晶：用與熔體相同材料的小單晶體作為籽晶，當籽晶與熔體接觸并向上提拉時，熔體依靠表面張力也被拉出液面，同時結晶出與籽晶具有相同晶體取向的單晶體。②區域熔煉法制備單晶：用一籽晶與半導體錠條在頭部熔接，隨著熔區的移動則結晶部分即成單晶。③從溶液中再結晶。④從汽相中生長單晶
單晶半導體材料的制備方法
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般采用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶(即體單晶)制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由于制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量較
高溫提純法提純石墨的方法介紹
石墨的熔點為3850℃±50℃，是自然界熔沸點最高的物質之一，遠遠高于雜質硅酸鹽的沸點。利用它們的熔沸點差異，將石墨置于石墨化的石墨坩堝中，在一定的氣氛下，利用特定的儀器設備加熱到2700℃，即可使雜質氣化從石墨中逸出，達到提純的效果。該技術可以將石墨提純到99.99%以上。高溫法提純石墨影響因素較
試劑的提純方法
提純方法①蒸餾。對于易揮發的試劑，如常用的無機酸，有機溶劑等是最常用的提純方法。根據沸點的高低選用常壓或減壓蒸餾法。②升華。對于某些易升華的試劑，如碘、萘等，此法最簡便。③重結晶。適用于大多數固體試劑的提純，其關鍵是選擇好合適的溶劑。④溶劑萃取。無論將母體或雜質萃取到有機溶劑相中，均可達到提純的目的
簡述鋰電池負極材料石墨的提純法高溫提純法
石墨的熔點為3850℃±50℃，是自然界熔沸點最高的物質之一，遠遠高于雜質硅酸鹽的沸點。利用它們的熔沸點差異，將石墨置于石墨化的石墨坩堝中，在一定的氣氛下，利用特定的儀器設備加熱到2700℃，即可使雜質氣化從石墨中逸出，達到提純的效果。該技術可以將石墨提純到99.99%以上。
硫化銀半導體材料的貯存方法
保持貯藏器密封。放入緊密的貯藏器內，儲存在陰涼，干燥的地方。
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
試劑提純的方法介紹
由于化學試劑品種多,每種試劑不可能同時都具有多種品級和規格。在實際工作中,有時候不可能得到所需純度或品級的試劑。因此,如何提純試劑,對用戶來說也十分重要。試劑提純的方法很多,對于不同的試劑,應選擇合適的提純方法。目前,常用的有以下幾種:蒸餾 對于易揮發的液體或固體試劑,如各種常用的無機酸、有機溶劑等
分離提純的方法分類
分離提純的方法不拘泥于物理變化還是化學變化。在可能的條件下使樣品中的雜質或使樣品中各種成分分離開來的變化都可以使用。常用的分離提純的方法有以下幾種：1.分級結晶法。這種方法常用加熱蒸發溶液，控制溶液的密度，使其中一部分溶質結晶析出。經反復的操作可以達到分離提純的目的。2.分步沉淀法。這種方法常選用適
提純的方法有哪些
常見提純方法 過濾 利用物質的溶解性差距，將液體和不溶于液體的固體分離開來的方法。 結晶 利用溶劑對被提純物質及雜質的溶解度不同，可以使被提純物質從過飽和溶液中析出，而讓雜質全部或大部分仍留在溶液中，從而達到提純的目的。 蒸餾 利用互溶的液體混合物中各組分的沸點不同，給液體混合物加熱
石墨的提純方法介紹
石墨深加工產業的前提是提純，石墨提純是一個復雜的物化過程，其提純方法主要有浮選法、堿酸法、氫氟酸法、氯化焙燒法、高溫法
試劑的提純方法介紹
①蒸餾。對于易揮發的試劑，如常用的無機酸，有機溶劑等是最常用的提純方法。根據沸點的高低選用常壓或減壓蒸餾法。②升華。對于某些易升華的試劑，如碘、萘等，此法最簡便。③重結晶。適用于大多數固體試劑的提純，其關鍵是選擇好合適的溶劑。④溶劑萃取。無論將母體或雜質萃取到有機溶劑相中，均可達到提純的目的。⑤離子
稀土提純的方法介紹
除Pm以外的16個稀土元素都可以提純到6N(99.9999%)的純度。由稀土精礦分解后所得到的混合稀土化合物中，分離提取出單一純稀土元素，在化學工藝上是比較復雜和困難的。其主要原因有二個，一是鑭系元素之間的物理性質和化學性質十分相似，多數稀土離子半徑居于相鄰兩元素之間，非常相近，在水溶液中都是穩定的
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
半導體材料的定義
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的概念
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
硫化銀半導體材料的合成方法
1.在90～100℃條件下，將氧化銀(Ⅰ)與硫反應生成硫化銀(Ⅰ)，當有水氣存在時，Ag2SO4也能被過量硫轉化為硫化銀(Ⅰ)。2.將硫代硫酸鈉與氧化銀(Ⅰ)、硝酸銀等可溶性銀鹽反應，可得硫化銀(Ⅰ)。3.將可溶性銀鹽與可溶性硫化物反應，制得硫化銀(Ⅰ)。
分離提純的方法分類介紹
分離提純的方法不拘泥于物理變化還是化學變化。在可能的條件下使樣品中的雜質或使樣品中各種成分分離開來的變化都可以使用。常用的分離提純的方法有以下幾種： 1.分級結晶法。這種方法常用加熱蒸發溶液，控制溶液的密度，使其中一部分溶質結晶析出。經反復的操作可以達到分離提純的目的。 2.分步沉淀法。這種
氫氣的提純方法研究（一）
關于氫氣生成技術的技術考量為氣相色譜和氣相色譜/質譜應用提供載氣的氫氣發生器利用多項技術提供高純度氫氣。本文將探討各種氫氣提純方法。前 3 種方法結合使用 PEM（質子交換膜）和多種提純技術，第 4 種方法使用綜合鈀電解槽。PEM/鈀擴散鈀薄膜氫氣提純器利用壓力驅動跨鈀薄膜擴散原理工作。只有氫氣能夠
氫氣的提純方法研究（二）
特點與優勢超高純度氫氣，幾乎無水分和氧氣攜帶 問題?????? ? 每 12 個月必須更換電解槽中的電解質溶液。使用的電解質為 NaOH（氫氧化鈉），氫氧化鈉為腐蝕性物質，必須小心處理。更換過程至少需要 8 個小時的冷卻時間和 4 個小時的啟動時間。必須事先排空所有之前使用的電解質溶液。??????
常見物質分離提純的方法
1、固—固混合分離型：灼燒、熱分解、升華、結晶（或重結晶）。2、固—液混合分離型：過濾、鹽析、蒸發。3、液—液混合分離型：萃取、分液、蒸餾、滲析。4、氣—氣混合分離型：洗氣。
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的