半導體所制成高溫連續激射2微米波段銻化物量子阱激光器
近日，中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室與超晶格國家重點實驗室分子束外延(MBE)課題組合作，采用分子束外延技術生長的InGaSb/ AlGaAsSb應變量子阱激光器，實現了高工作溫度(T=80℃)連續激射，激射波長2μm出光功率63.7mW，達到國內領先水平。 中紅外2-3.5μm波段激光器在氣體檢測、環境監測、激光制導、紅外對抗、激光雷達等諸多領域有著十分廣泛而重要的應用。與其它中紅外波段傳統半導體材料體系相比，窄帶隙的InGaAsSb銻化物材料與襯底晶格匹配其禁帶寬度可以覆蓋1.7到4.4μm波段。銻化物光電器件的獨特優勢日益受到廣泛重視成為目前國際前沿和熱點研究方向。 半導體所納米光電子實驗室和超晶格國家重點實驗室分子束外延(MBE)課題組首先深入系統地研究了InGaAsSb、AlGaAsSb等異質結和量子阱材料的分子束外延生長，通過優化生長溫度、V/III族......閱讀全文
分子束外延（MBE)
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備復雜，要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看，當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體，而后是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體，最近正轉向針對Si半導體器件的應用
分子束外延（MBE）裝置
MBE裝置由樣品進樣室、預處理分析室和牛K竄等組成。竄間用閘扳閥隔開，以確保生長室的超高真空與清潔。 根據MBE系統的幾何結構相應地配置真空系統。根據要求，3個室的真空配置的配置泵的系統并非一樣： (1)進樣室。真空度為1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
分子束外延要點解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)簡介 在超高真空環境下， 使具有一定熱能的一種或多種分子 (原子) 束流噴射到晶體襯底 ，在襯底表面發生反應的過程，由于分子在 "飛行"過程中幾乎與環境氣體無碰撞 ，以分 子束的形式射向襯底 ，進行外延生長， 故此而得名。
分子束外延（MBE）的特點
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現精確控制厚度、結構與成分和形成陡峭的異質結構等。實際上是一種原子級的加工技術，因此MBE特別適于生長超晶格材料。 （2）外延生長的溫度低，因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。
影響分子束外延（MBE）的因素
1、外延溫度 為了引起外延，基片的溫度應達到某一溫度值，即有必要加熱到外延溫度以上，當溫度低于外延溫度時則不能引起外延。而且外延溫度還與其他條件有關，不同條件下的外延溫度是不同的。 2、基片結晶的臂開 在過去的常規研究方面，基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷產生結晶面)而后放入真空裝置中來制
分子束外延（MBE）解析及原理
分子束外延技術是在半導體工藝中近十幾年來發展起來的一項新技術，它是在超高真空條件下，類似于真空蒸發鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，以一定的熱運動速度，按一定的比例從噴射爐中噴射到基片上去進行晶體外延生長而制備單晶膜的一種方法。簡稱MBE法 分子束外延，就是在超高真空系統中把所需要
分子束外延（MBE）的發展前景
分子束外延自20世紀60年代末在真空蒸鍍的基礎上產生以來，發展十分迅速。其中之一是引入氣態的分子束源，構成所謂化學束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生長InGaAsP等四元材料，或將金屬有機化合物引入分子束源形成所謂金屬有機化合物分子束外延(MOMBE)。這兩項新技術是把MBE
分子束外延碲鎘汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷嚴重影響面陣器件的有效元數。對用分子束外延法在GaAs襯底上生長的HgCdTe薄膜中的Void缺陷進行了形貌、剖面觀測和能譜分析。襯底表面狀況和HgCdTe生長過程中的Hg/Te束流比及襯底溫度決定了Void缺陷的密度和尺寸。在比較優化的條件下，可將Void缺陷密度降
渦輪分子泵分子束外延－MBE－與掃描隧道顯微鏡－STM－聯用
Pfeiffer 分子泵應用于分子束外延 MBE 與掃描隧道顯微鏡 STM 聯用系統 --分析生長晶體表面結構 分子束外延 MBE 是一種晶體生長技術, 將半導體襯底放置在超高真空腔體中, 和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中, 由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能
半導體所制成高溫連續激射2微米波段銻化物量子阱激光器
近日，中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室與超晶格國家重點實驗室分子束外延(MBE)課題組合作，采用分子束外延技術生長的InGaSb/ AlGaAsSb應變量子阱激光器，實現了高工作溫度(T=80℃)連續激射，激射波長2μm出光功率63.7mW，達到國內領先水平。?
南方科技大學采購激光氧化還原分子束外延聯合系統
公告信息：采購項目名稱物理系激光-氧化-還原分子束外延聯合系統采購項目（重新采購第1次品目貨物/通用設備/儀器儀表/其他儀器儀表采購單位南方科技大學行政區域廣東省公告時間2022年11月21日 16:40獲取招標文件時間2022年11月22日至2022年11月28日每日上午:8:00 至 12:00
太赫茲量子級聯激光器實現激射
中科院上海技術物理研究所科研人員采用分子束外延技術和半導體微納加工平臺，自主完成了太赫茲量子級聯激光器的結構設計、材料生長和器件制備，成功實現太赫茲量子級聯激光器激射。這標志著我國科學家依靠自主創新在太赫茲量子級聯激光器領域進入世界前列。 ? 太赫茲量子級聯激光器(THz-QCL)是太赫
自主創新－太赫茲量子級聯激光器實現激射
中科院上海技術物理研究所科研人員采用分子束外延技術和半導體微納加工平臺，自主完成了太赫茲量子級聯激光器的結構設計、材料生長和器件制備，成功實現太赫茲量子級聯激光器激射。這標志著我國科學家依靠自主創新在太赫茲量子級聯激光器領域進入世界前列。 太赫茲量子級聯激光器（THz-QCL）是太赫茲頻段最具
太赫茲量子級聯激光器實現激射
中科院上海技術物理研究所科研人員采用分子束外延技術和半導體微納加工平臺，自主完成了太赫茲量子級聯激光器的結構設計、材料生長和器件制備，成功實現太赫茲量子級聯激光器激射。這標志著我國科學家依靠自主創新在太赫茲量子級聯激光器領域進入世界前列。 太赫茲量子級聯激光器（THz-QCL）是太赫茲頻段最具
銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術新突破
銻化物半導體材料在紅外制導、海洋監測、深空探索等領域具有重要應用前景，隨著銻化物多元素復雜低維材料分子束外延技術的不斷進步，國際上銻化物半導體相關的材料與光電器件技術創新發展十分迅速，美、日、德等發達國家競相開展研究，廣為人們矚目。 在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科
我國科學家研制出新型銻化物半導體量子阱激光器
銻化物半導體材料在紅外制導、海洋監測、深空探索等領域具有重要應用前景，隨著銻化物多元素復雜低維材料分子束外延技術的不斷進步，國際上銻化物半導體相關的材料與光電器件技術創新發展十分迅速，美、日、德等發達國家競相開展研究，廣為人們矚目。 在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國
半導體所等在半導體材料“異構外延”研究中獲進展
半導體產業經過長期發展，已進入“后摩爾時代”，“超越摩爾定律”迎來了高潮，未來半導體產業的發展需跳出原有框架尋求新的路徑。面對這些機遇和挑戰，寬禁帶先進半導體等基礎材料的制備也在孕育突破，新材料、新工藝和異構集成等將成為后摩爾時代的重要技術路線（圖1）。 近期，中國科學院半導體研究所照明研發中
上海微系統所鎵砷鉍量子阱激光器研究獲進展
近期，中國科學院上海微系統與信息技術研究所鎵砷鉍（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新進展。研究員王庶民領導的研究團隊采用分子束外延方法生長了鎵砷鉍量子阱材料，并成功制備出目前發光波長最長（1.142微米）的電泵浦鎵砷鉍室溫（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界紀錄，脈沖激射最大
半導體所制備出近全組分可調的高質量GaAs1xSbx納米線
近日，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員趙建華團隊及合作者在《納米快報》(Nano Letters)上發表了制備出近全組分可調的高質量GaAs1-xSbx納米線的成果。 作為重要的三元合金半導體，GaAs1-xSbx具有禁帶寬度從1.42 eV (GaAs)到0.72
布什為華人科學家卓以和頒發美國家技術獎章
卓以和為著名材料科學家，美科學院院士和中科院外籍院士 美國總統喬治·W·布什7月27日在白宮為過去兩年間在科技領域取得突破性進展的科學家頒發美國國家科學獎章與國家技術獎章。美籍華裔著名科學家卓以和是30位獲獎者之一。?當天獲獎科學家的研究成果涉及天體物理學、激光技術、氣候學和組織工程等各個領域。?
什么是半導體激光器？
半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生受激發射作用的器件。
半導體激光器的特性
半導體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能出色的激光器產品，用于制造zui為的激光器系統。半導體激光器具有高效的光電轉換效率，且通過光束整形可直接應用于激光加工等領域，而光纖激光器由于其的光束質量早已已成為國內外研究的熱門。但半導體激光器將來有沒有可能直接獲得高光束質量的激光，從而“打敗”光纖激
半導體激光器的發展
半導體物理學的迅速發展及隨之而來的晶體管的發明，使科學家們早在50年代就設想發明半導體激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方面的研究。在理論分析方面，以莫斯科列別捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為杰出。在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯
半導體激光器的特性
半導體激光器具有高速調制、功率穩定、線寬窄、體積小、結構緊湊、驅動電路集成化的特點。半導體激光器具有的光束質量和調制性能，廣泛應用于：科學研究，工業儀器開發、OEM系統集成。此外，尾纖半導體激光器、外部光纖耦合模塊、小型半導體泵浦固體激光器可供選擇。 半導體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能
半導體激光器的應用
半導體激光器是成熟較早、進展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產，并且由于體積小、重量輕、壽命長，因此，品種發展快，應用范圍廣，目前已超過300種，半導體激光器的最主要應用領域是Gb局域網，850nm波長的半導體激光器適用于)1Gh/。局域網，1300nm -1550
半導體激光器的技術發展
半導體激光器俗稱激光二極管，因為其用半導體材料作為工作物質的特性所以被稱為半導體激光器。半導體激光器由光纖耦合半導體激光器模塊、合束器件、激光傳能光纜、電源系統、控制系統及機械結構等構成，在電源系統和控制系統的驅動和監控下實現激光輸出。一、半導體激光器簡介半導體激光器俗稱激光二極管，因為其用半導體材
半導體激光器與氦氖激光器的比較
導體激光器與氦氖激光器的比較總體來講，紅光半導體激光器與氦氖激光器相比各有其優勢和劣勢。本文對氦氖激光器與半導體激光的優缺點進行一些簡述，希望對不同應用的客戶在選擇激光器時產生些許幫助。激光功率穩定性對比半導體激光器模塊的核心部件為半導體激光管，即LD（Laser Diode），絕大多數半導體激光器
半導體激光器在半導體激光打標機中的應用
半導體激光器在半導體激光打標機中的應用：半導體激光器因其使用壽命長、激光利用效率高、熱能量比YAG激光器小、體積小、性價比高、用電省等一系列優勢而成為2010年熱賣產品，e網激光生產的國產半導體激光器的出現，加速了以半導體激光器為主要耗材的半導體激光機取代YAG激光打標機市場份額的步伐。
半導體激光器的技術特點
(1) 體積小，重量輕；(2) 驅動功率和電流較低；(3) 效率高、工作壽命長；(4) 可直接電調制；(5) 易于與各種光電子器件實現光電子集成；(6) 與半導體制造技術兼容；可大批量生產。由于這些特點，半導體激光器自問世以來得到了世界各國的廣泛關注與研究。
半導體激光器的工作原理
工作原理是，通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間，或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注入式，光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體