美研制出世界首塊可編程納米處理器
據美國物理學家組織網2月10日（北京時間）報道，美國哈佛大學和麥特公司（Mitre Corp）科學家攜手研發出世界上首塊可編程的納米處理器，該納米線路不僅能夠進行電子編程，還能實現一些較基本的計算和邏輯推理功能，朝著復雜的用人工合成納米元件組裝計算機線路邁出了關鍵一步。研究發表在10日出版的《自然》雜志上。 主要研究人員、美國哈佛大學化學系原主任查爾斯·李波表示，這項研究之所以在電路的復雜性和功能性方面取得重大突破，是因為這種電路與目前主流電路的構建方法完全不同，它是采用自下而上的方法構建而成的。研究人員利用最新技術設計并合成出全新納米線組件，這些納米線組件展示出了構建功能性電子線路所需的可重復性，而且完全可以升級，這就使得組裝更大型、功能更強大的納米處理器成為可能。他們同時還證明，這些超薄納米電路可以采用電學方法進行編程，讓其執行大量基本運算和邏輯功能。 過去的10年到15年內，......閱讀全文
納米線晶體管能自我修復
據美國電氣與電子工程師協會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局（NASA）與韓國科學技術研究院（KAIST）合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。研究人員表示，最新自我修復技術有助于研制單芯片飛船，其能以五分之一光速飛行，在20年內抵達距太陽系最近的恒星“比鄰星”。 今年4月12日
首個使用偏振的超快光處理器面世
據近日發表在《科學進展》上的一篇論文，英國牛津大學研究人員開發了一種使用光的偏振來實現最大化信息存儲密度的設備。新研究使用多個偏振通道展開了并行處理，計算密度比傳統電子芯片提高了幾個數量級。 自1958年第一塊集成電路發明以來，將更多晶體管封裝到特定尺寸的電子芯片中，一直是實現最大化計算密度的
美研制出世界首塊可編程納米處理器
據美國物理學家組織網2月10日（北京時間）報道，美國哈佛大學和麥特公司（Mitre Corp）科學家攜手研發出世界上首塊可編程的納米處理器，該納米線路不僅能夠進行電子編程，還能實現一些較基本的計算和邏輯推理功能，朝著復雜的用人工合成納米元件組裝計算機線路邁出了關鍵一步。研究發表在1
高質量InAs(Sb)/GaSb核殼異質結納米線陣列外延生長獲進展
一維半導體納米線憑借其優越、獨特的電學、光學、力學等特性，在材料、信息與通訊、能源、生物與醫學等重要領域展現出廣闊的應用前景。尤其是，基于半導體納米線的晶體管具有尺寸小、理論截止頻率高等優點，為未來在微處理器芯片上實現超大規模集成電路開拓了新的方向。在III-V族半導體材料中，InAs具有小的電
硅納米晶體管展現出強量子限制效應
據美國物理學家組織網3月21日報道，美國得克薩斯大學的一個研究小組用非常細的納米線制造出一種晶體管，表現出明顯的量子限制效應，納米線的直徑越小，電流越強。該技術有望在生物感測、集成電路縮微制造方面發揮重要作用。相關研究發表在最近出版的《納米快報》上。 實驗中，他們用平版
可在p型與n型間轉換的新式晶體管問世
據美國物理學家組織網12月21日（北京時間）報道，德國科學家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當p型晶體管又可當n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設備更緊湊；科學家們也可用其設計出新式電路。相關研究發表在最新一期的《納米快報》雜志上。 目前，大部分電子設備都包含兩類不同的場效應晶體管：
微電子所在鐵電垂直環柵納米器件研究方面取得進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAAFE
寧波材料所在超低壓雙電層微納晶體管領域取得系列進展
薄膜晶體管(Thin-film transistors, TFTs)是一類重要的半導體器件，在平板顯示、傳感器等領域具有廣泛的應用價值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優點，在薄膜晶體管領域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規Si
王中林研究組創立壓電電子學和壓電光電子學
王中林是中國科學院外籍院士、美國佐治亞理工學院董事教授。據佐治亞理工學院新聞中心報道，王中林小組發明了一種基于壓電效應的新型納米電子邏輯器件。這種邏輯器件的開關可以通過外加在氧化鋅納米線上的應力所產生的電場調控，進而實現基本和復雜的邏輯功能；這是他開創的壓電電子學（Piezo
朱慧瓏團隊在鐵電垂直環柵納米器件研究獲進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAA