薄膜晶體管的原理簡介
薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管.它的工作狀態可以利用 Weimer 表征的單晶硅 MOSFET 工作原理來描 述.以 n 溝 MOSFET 為例,物理結構如圖 2. 當柵極施以正電壓時,柵壓在柵絕緣層中產生電場,電力線由柵電極指向半導體表面,并在表面處產生感應電 荷.隨著柵電壓增加,半導體表面將由耗盡層轉變為電子積累層,形成反型層.當達到強反型時(即達到開啟電壓 時) ,源,漏間加上電壓就會有載流子通過溝道.當源漏電壓很小時,導電溝道近似為一恒定電阻,漏電流隨源漏電 壓增加而線性增大. 當源漏電壓很大時,它會對柵電壓產生影響,使得柵絕緣層中電場由源端到漏端逐漸減弱,半導體表面反型層 中電子由源端到漏端逐漸減小,溝道電阻隨著源漏電壓增大而增加.漏電流增加變得緩慢,對應線性區向飽和區過 渡.當源漏電壓增到一定程度,漏端反型層厚度減為零,電壓在增加,器件進入飽和區.在實際 LCD 生產中,主 要利用 a-Si:H TFT 的開......閱讀全文
薄膜晶體管的原理簡介
薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管.它的工作狀態可以利用 Weimer 表征的單晶硅 MOSFET 工作原理來描 述.以 n 溝 MOSFET 為例,物理結構如圖 2. 當柵極施以正電壓時,柵壓在柵絕緣層中產生電場,電力線由柵電極指向半導體表面,并在表面處產生感應電 荷.隨著柵電壓增加,半導體表
薄膜晶體管的概念概述
TFT是在基板 (如是應用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃) 上沉積一層薄膜當做通道區。 大部份的TFT是使用氫化非晶硅 (a-Si:H) 當主要材料，因為它的能階小于單晶硅 (Eg =1.12eV)，也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介電、電極及內部
薄膜晶體管的發展前景
薄膜晶體管是場效應晶體管的種類之一，大略的制作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電層和金屬電極層。薄膜晶體管對顯示器件的工作性能具有十分重要的作用. 未來 TFT 技術將會以高密度,高分辨率,節能化,輕便化,集成化為發展主流,從本文論述的薄膜晶體管發展 歷史以及對典型 TFT
薄膜晶體管的歷史及現狀
人類對 TFT 的研究工作已經有很長的歷史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應晶體管 (FET) 的基本定律,開辟了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應晶體管(后來被稱為 MISFET).1962
簡介熱像儀的原理
紅外熱像儀是利用紅外探測器、光學成像物鏡和光機掃描系統（先進的焦平面技術則省去了光機掃描系統）接受被測目標的紅外輻射能量分布圖形反映到紅外探測器的光敏元上，在光學系統和紅外探測器之間，有一個光機掃描機構（焦平面熱像儀無此機構）對被測物體的紅外熱像進行掃描，并聚焦在單元或分光探測器上，由探測器將紅
質譜法的原理簡介
使試樣中各組分電離生成不同荷質比的離子，經加速電場的作用，形成離子束，進入質量分析器，利用電場和磁場使發生相反的速度色散——離子束中速度較慢的離子通過電場后偏轉大，速度快的偏轉小；在磁場中離子發生角速度矢量相反的偏轉，即速度慢的離子依然偏轉大，速度快的偏轉小；當兩個場的偏轉作用彼此補償時，它們的
醛固酮的原理簡介
醛固酮進入遠曲小管和集合管上皮細胞后，與胞漿內受體結合，形成激素-受體復合體，后者通過核膜，與核中DNA特異性結合位點相互作用，調節特異性mRNA轉錄，最終合成多種醛固酮誘導蛋白，進而使管腔膜對Na+的通透性增大，線粒體內ATP合成和管周膜上鈉泵的活動性增加。從而導致對Na+的重吸收增強，對水的
電橋的原理簡介
如圖，假設四個電阻固定，當s閉合時，若滿足：“R3*R2=R1*R4”，即對角的電阻乘積相等，則此時Uad等于0，就是ad間沒有電壓。利用這個原理，當等式兩邊四個量中的一個為未知量的時候，如果調節其余三個電阻的值能使得等式成立，那么用公式就可以得到未知量。但是實際上只要等式兩邊各有一個可以調節的
抗凝劑的原理簡介
不同的抗凝劑其抗凝原理略有不同。 乙二胺四乙酸（EDTA）與枸櫞酸鹽的抗凝原理相同：是與血液中Ca離子結合成螯合物，使Ca失去活性，中斷凝血過程，從而達到抗凝的目的。 肝素是通過加強抗凝血酶Ⅲ，滅活絲氨酸蛋白酶，阻止凝血酶的形成來達到抗凝的目的。 草酸鹽是通過其草酸根與血液中的Ca離子形成
基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世
據美國物理學家組織網2月17日（北京時間）報道，最近，科學家研制出了金屬性和半導體性之間平衡達到最優化的新式碳納米管，并使用這種納米管制造出了薄膜晶體管（TFT），未來有望研制出諸如電子書和電子標簽等高性能、透明的柔性設備。 日本名古屋大學的科學家孫東明（音譯）和同事以及芬