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MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開關應用時，同樣是交替工作在截止與飽和兩種工作狀態。 N溝道增強型MOS管的開關特性為：當柵源電壓vGS＜開啟電壓VTN時，管子工作在截止狀態，類似于開關斷開；當柵源電壓vGS＞開啟電壓VTN（大約在1～2V之間），且漏源電壓加大到一定程度，滿足vDS≥vGS-VTN時，管子工作在飽和狀態，類似于開關接通。 P溝道增強型MOS管與N型溝道增強型MOS管所不同的是，其工作電壓vGS和vDS均為負電壓，開啟電壓VTP一般大約在-2.5～-1.0V之間。 2、動態特性 MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡......閱讀全文
一、 中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2－二極管、3－三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：
高速光開關及光開關陣列是全光交換的核心器件. 首先給出全內反射型光波導光開關器件的理論分析模型, 并基于GaAs 材料中的載流子注入效應, 采用GaAs-AlGaAs 雙異質結結構,研制了工作波長在1.55 μm 的X 結全內反射型和馬赫曾德干涉型兩種結構的光開關. 測試結果表明, 開關
導讀：目前5G通訊和新能源汽車正進行得如火如荼，而功率器件及半導體芯片正是其核心元器件。如何確保功率器件和半導體芯片的品質和高可靠性？一、什么是半導體：半導體是指同時具有容易導電的“導體”和不導電的“絕緣體”兩方面特性的物質。能夠實現交流電轉為直流電—“整流”、增大電信號—“增幅”、導通或者阻斷電—
隨著能效標準不斷提高，基于硅（Si）材料的功率器件改進空間越來越小；人們將目光投向新材料領域，以期實現根本改進，從而引發新一代功率器件技術的革命性突破。眾多新材料中，基于氮化鎵（GaN）的復合材料最引人關注。GaN基功率器件具有擊穿電壓高、電流密度大、開關速度快、工作溫度高等優點
RXH型熱風循環烘箱是利用電為熱源，用低噪音 耐高溫的軸流風機對熱交換器以對流的方式加熱空氣，熱空氣層流經烘盤與物料進行熱量傳遞。本設備 采用了百級凈化熱風循環層流凈化技術，備有電腦自控系統，溫度控制技術先進，滅菌干燥可靠，整機噪音小，運行穩定，實現了自動恒溫控制和全封閉、全循環操作，完全符合藥
變頻器的溫度保護功能，是保障變頻器穩定運行不可缺少的一個條件；今天我們就講一下變頻器常見故障及處理方法，今天的主題“過溫保護”。1、變頻器過溫保護及其必要性變頻器的溫度保護功能，是保障變頻器穩定運行不可缺少的一個條件；在變頻器主回路功率器件中，整流橋、逆變橋都是半導體功率器件，由于半導體器件本身的工
荷蘭盧森堡烏得勒支大學、德國馬普學會的研究人員對傳統半導體材料的納米晶體進行了“人造石墨”的理論研究，他們認為人造石墨有潛力應用于激光器、LEDs、光伏以及電子設備。 研究人員研究了晶格周期小于10nm的結構，發現其具有傳統半導體的結構特性，研究的半導體包括巖鹽鉛硫族化合物和閃鋅礦鎘硫化合
二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。二極管的伏安特性半導體二極管的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性——單
兩種不同材料接觸分離可產生靜電荷并引發一個摩擦靜電場，該摩擦電場可以驅動自由電子在外部負載流通，得到脈沖輸出信號。一方面，摩擦納米發電機 (TENG) 就是利用了這種脈沖信號實現了將外部環境機械能轉換成電能，近期在許多領域實現了許多突破性進展，包括從多種機械運動獲取能源、自驅動機械感應系統、高靈
肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關速度非常快，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。
王中林是中國科學院外籍院士、美國佐治亞理工學院董事教授。據佐治亞理工學院新聞中心報道，王中林小組發明了一種基于壓電效應的新型納米電子邏輯器件。這種邏輯器件的開關可以通過外加在氧化鋅納米線上的應力所產生的電場調控，進而實現基本和復雜的邏輯功能；這是他開創的壓電電子學（Piezo
5、PEBB（PowerElectricBuildingBlock）電力電子積木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基礎上發展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優的電路結構和系統結構設計的不同器件和技術的
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體，第三代半導體的典型代表。與第一代半導體硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐壓、更快開關頻率、更小導通電阻等特性，在功率電子器件領域得到廣泛應用。相關研究顯示，GaN器件適用于68%的功率器件市場；在功率轉換電路中應用GaN器件可消除整流器在進行交直流轉換時90
鈷/氧化鈷雜化二維超薄結構電催化還原CO2為液體燃料01 1、研制出將二氧化碳高效清潔轉化為液體燃料的新型鈷基電催化劑 將二氧化碳在常溫常壓下電還原為碳氫燃料，是一種潛在的替代化石原料的清潔能源策略，并有助于降低二氧化碳排放對氣候造成的不利影響。實現二氧化碳電催化還原的關鍵瓶頸問題是將二氧化
凡是學電的，總是避不開模電。 上學時老師教的知識，畢業時統統還給老師。畢業后又要從事產品設計，《模電》拿起又放下了 n 次，躲不開啊。畢業多年后，回頭望，聊聊模電的學習，但愿對學弟學妹有點幫助。 通觀整本書，不外是，晶體管放大電路、場管放大電路、負反饋放大電路、集成運算放大器、波形及
6月19日上午，美國IEEE會士黃勤（Alex Q. Huang）訪問中科院電工研究所，并作了題為《高壓大功率電力電子器件及應用》的報告。本報告就高壓大功率器件及其應用的相關內容與電工所科研人員進行了交流。本次學術報告會由電工所副所長李耀華研究員主持，并代表電工所聘請黃勤教授為
RXH型熱風循環烘箱是利用電為熱源，用低噪音 耐高溫的軸流風機對熱交換器以對流的方式加熱空氣，熱空氣層流經烘盤與物料進行熱量傳遞。本設備 采用了百級凈化熱風循環層流凈化技術，備有電腦自控系統，溫度控制技術先進，滅菌干燥可靠，整機噪音小，運行穩定，實現了自動恒溫控制和全封閉、全循環操作，完全符合藥廠G
1.電阻電阻是具有電阻特性的電子元件，是PCBA中使用比較普遍的元件之一。電阻分為固定電阻和可變電阻(電位器)，在電路中起分壓、分流和限流等作用。2.電容電容也是PCBA加工中的基礎元件之一，是一種貯存電能的元件，在電子電路中起到耦合、濾波、隔直流和調諧等作用。3.電感器電感線圈簡稱電感，具有存儲磁
2月20日，科學技術部基礎研究司與高技術研究發展中心聯合召開“2016年度中國科學十大進展解讀會”，發布了2016年度中國科學十大進展。中國科學院相關單位獨立或合作取得的7項重大科學成果入選，包括：研制出將二氧化碳高效清潔轉化為液體燃料的新型鈷基電催化劑；開創煤制烯烴新捷徑；揭示水稻產量性狀雜
肖特基二極管形成肖特基（SBD）二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的多屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不
肖特基二極管的基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間特別地短。因此，能制作開關二極管和低壓大電流整流二極管。
二維層狀材料是近些年興起的一類新興材料，通常其層內以較強的共價鍵或者離子鍵結合而成，而層間則是依靠較弱的范德華力堆疊在一起。尤其是2004年單原子層石墨烯的發現極大地推動了二維材料的發展，使其迅速成為研究前沿。然而眾所周知，本征石墨烯由于受到六重對稱性保護幾乎沒有能隙，限制了其在半導體器件中的應
可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。可控硅的結構和性能不管可控硅的外形如何，它
今日推薦文章作者為東南大學毫米波國家重點實驗室主任、IEEE Fellow 著名毫米波專家洪偉教授，本文選自《毫米波與太赫茲技術》，發表于《中國科學: 信息科學》2016 年第46卷第8 期——《信息科學與技術若干前沿問題評述專刊》，射頻百花潭配圖。引言隨著對電磁波譜的不斷探索, 人類對電子學和光學
我校陸亞林教授量子功能材料和先進光子技術研究團隊在太赫茲主動調控器件研究方面取得系列進展。該團隊研究了太赫茲波與超構材料、氧化物超晶格薄膜相互作用機制，并成功制備了超快的太赫茲調制器，率先實現了皮秒級的高調制深度的太赫茲超快開關；同時制備了多功能的太赫茲器件，在單一器件中實現電開關、光存儲和超快調制
原標題：中國科大在太赫茲波段主動調控材料和器件研究中取得系列進展我校陸亞林教授量子功能材料和先進光子技術研究團隊在太赫茲主動調控器件研究方面取得系列進展。該團隊研究了太赫茲波與超構材料、氧化物超晶格薄膜相互作用機制，并成功制備了超快的太赫茲調制器，率先實現了皮秒級的高調制深度的太赫茲超快開關；同時制
中國科學技術大學教授陸亞林量子功能材料和先進光子技術研究團隊在太赫茲主動調控器件研究方面取得系列進展。該團隊研究了太赫茲波與超構材料、氧化物超晶格薄膜相互作用機制，并成功制備了超快的太赫茲調制器，率先實現了皮秒級的高調制深度的太赫茲超快開關；同時制備了多功能的太赫茲器件，在單一器件中實現電開關、光存
中國科學技術大學教授陸亞林量子功能材料和先進光子技術研究團隊在太赫茲主動調控器件研究方面取得系列進展。該團隊研究了太赫茲波與超構材料、氧化物超晶格薄膜相互作用機制，并成功制備了超快的太赫茲調制器，率先實現了皮秒級的高調制深度的太赫茲超快開關；同時制備了多功能的太赫茲器件，在單一器件中實現電開關、
電荷耦合器件（CCD）與電荷存儲器件（Memory）作為現代電子系統中兩個獨立分支分別沿著各自的路徑發展，同時具備光電傳感和存儲功能的原型器件尚未見報道。近日，中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心科研人員與國內多家單位合作，在《先進材料》（Advanced Materials）在線發表題
2 壓敏電阻器的應用原理 壓敏電阻器是一種具有瞬態電壓抑制功能的元件，可以用來代替瞬態抑制二極管、齊納二極管和電容器的組合。壓敏電阻器可以對IC及其它設備的電路進行保護，防止因靜電放電、浪涌及其它瞬態電流（如雷擊等）而造成對它們的損壞。使用時只需將壓敏電阻器并接于被保護的IC或設備電路上，當電壓瞬間