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本文主要研究了InGaAsSb半導體激光器的歐姆接觸特性。在對課題的研究背景、國內外發展狀況進行簡單的介紹的基礎上,闡述了半導體激光器系統和Ⅲ-Ⅴ族材料的性質,并詳述了InGaAsSb半導體激光器的主要用途、優勢以及目前的研究進展。分析了金屬與半導體整流接觸及歐姆接觸的相關原理,設計了一種GaSb基半導體材料歐姆接觸的金屬化結構。論文詳細討論了n型GaSb的歐姆接觸形成機理,以及形成歐姆接觸的過程中遇到的元素原子間互擴散所引起的可靠性問題,提出在勢壘層和接觸層中加入擴散阻擋層,并用掃描隧道顯微鏡和X射線能譜儀對擴散阻擋效果進行了測試和分析。在實驗方面,分別對擴散阻擋層厚度、退火溫度對歐姆接觸影響進行了實驗,研究了樣品金屬化后樣品表面形態及各層原子間的擴散情況,重點分析了擴散阻擋層Mo對樣品表面形態變化及各層元素原子間擴散影響。在以上的工作中,我們初步看到,擴散阻擋層的添加,對歐姆接觸有著一定的改善作用。本項研究為提高InGaAs......閱讀全文
近日，中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室與超晶格國家重點實驗室分子束外延(MBE)課題組合作，采用分子束外延技術生長的InGaSb/ AlGaAsSb應變量子阱激光器，實現了高工作溫度(T=80℃)連續激射，激射波長2μm出光功率63.7mW，達到國內領先水平。&n
研究了光電導天線產生太赫茲波的輻射特性，利用麥克斯韋方程及其邊界條件，計算了近遠場的電場強度；采用電磁波時域有限差分方法(FDTD)，在Matlab系統軟件中，用C語言編寫程序計算光電導偶極天線的輻射太赫茲波的空間電磁場分布，并在計算機上以偽彩色圖形顯示，這種電磁場的可視化結果為天線的設計和改進提供
高速、高效率的光電探測器在光通信技術中扮演者十分重要的角色，是構建大帶寬、高通量光鏈路的核心原件之一。從現有技術條件來看，無論為了節約制造和組裝分離元部件的成本，還是為了降低系統寄生阻抗帶來的損耗，實現光通信模塊與其他相關電子信號處理模塊的硅基單片集成（monolithic integratio
12月14日，中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室研究員趙德剛團隊研制出GaN基紫外激光器。GaN被稱為第三代半導體，在光電子學和微電子學領域有廣泛的應用，其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值，也是國際上的研究熱點。GaN基紫外激光器技術難度很大，目前國際
德國威格勒傳感器有哪些應用 多年來，企業一直以其雄厚的技術實力，*的生產設備和生產工藝，健全的管理體系，優質的產品質量，優良的信譽，完善的服務，贏得了眾多用戶的信賴。在自產自銷國內儀表的同時并代理了日本、美國、德國、英國、意大利等多種進口儀表，品牌豐富，貨源正宗。為我國電力、石化、冶金等行
據《連線》雜志報道，2007年末，一個英國科學家小組首次制作了一組納米級圖像，展示了含酶入侵細菌與DNA鏈的實時相互作用。這些技術的始祖便是掃描隧道顯微技術，這項1986年的發明讓其發明者榮獲了諾貝爾獎。掃描隧道顯微技術使得電子探針可以通過一個物質上方，從而使科學家們得以看見高電子密度區域，并推斷單