確定石墨烯合適襯底的新標準問世啦
石墨烯具有優異的力學性能和電學性能，利用此新標準，可以有針對性的尋找襯底材料，使石墨烯更好的發揮其性能。 一般而言，石墨烯在和襯底材料接觸后，往往會失去其原有的一些性能。來自利希研究中心的物理學家最近提出一種標準，根據此標準科學家們可以有針對性地尋找合適的石墨烯襯底材料。通過共同努力，他們能夠證明，襯底材料對石墨烯的電子性能的影響可以通過簡單的結構參數來預測。相關論文發表在《物理評論快報》上。 石墨烯只有一個原子層厚度，但它的硬度比鉆石高，導電性比鋼和硅還好，這些就是人們深入研究石墨烯的原因，但迄今為止石墨烯的使用僅限于實驗室中。目前主要的任務是尋找合適的襯底材料，沒有襯底材料，石墨烯的用處將受到極大的限制。 弗朗索瓦博士說：“我們只是想找到一個可行的參數，可以直接用來比較不同襯底的區別。”利希彼得?格林貝格協會（PGI-3）的物理學家和亥姆霍茲博士后解釋說“決定性的標準是石墨烯層和底層襯底之間的原子距離這一參數”。 ......閱讀全文
確定石墨烯合適襯底的新標準問世啦
石墨烯具有優異的力學性能和電學性能，利用此新標準，可以有針對性的尋找襯底材料，使石墨烯更好的發揮其性能。 一般而言，石墨烯在和襯底材料接觸后，往往會失去其原有的一些性能。來自利希研究中心的物理學家最近提出一種標準，根據此標準科學家們可以有針對性地尋找合適的石墨烯襯底材料。通過共同努力，他們能夠
石墨烯：未來材料寵兒
今年3月，浙江大學利用石墨烯等材料制成世界“最輕材料”。 想在一秒鐘內下載一部高清電影嗎?石墨烯調制器的問世或許能讓這個愿望得以實現。 美國華裔科學家張翔教授的研究團隊用石墨烯研制出一款調制器，這個只有頭發絲四百分之一細的光學調制器具備的高速信號傳輸能力，有望將互聯網傳輸速度提高一萬倍。
銅襯底顯著增強了氧化石墨烯動態氧遷移
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/8/484525.shtm 近日，揚州大學物理科學與技術學院本科生科創團隊發現，銅襯底可以顯著降低氧化石墨烯（GO）上動態氧遷移的能壘，從而誘導GO成為一種動態共價材料。相比于無襯底時的GO，銅111面襯底
石墨烯鉑復合材料
日前，中國科學院合肥物質科學研究院等離子體所低溫等離子體應用研究室博士王奇等人，采用低溫等離子體技術成功制備出分散性良好的石墨烯鉑納米復合材料。相關成果日前已發表在應用物理領域的頂級期刊《應用物理快報》上。 石墨烯鉑復合材料可以提高燃料電池的反應效率，在航天航空、能源、環境等領域有著極為廣
石墨烯材料新時代興起 抓住石墨烯發展的重大機遇
在當今的中國與世界，關于石墨烯可能引發的材料革命乃至新技術革命討論非常熱烈。最近，我到北京、上海、廣州、深圳、江蘇、浙江、黑龍江、山東、陜西和中科院、清華大學等地方和研究機構對石墨烯進行了調研。石墨烯具有非常大的發展潛力和應用前景，我們必須統籌規劃，精心布局，緊緊抓住石墨烯研發和產業化所帶來的重
我國石墨烯材料研究取得突破進展 石墨烯概念或受益
昨天，記者從中國科學院寧波材料技術與工程研究所官網了解到，寧波材料所在石墨烯高分子復合材料領域取得進展。市場分析認為，石墨烯概念有望再掀波瀾。 寧波材料所介紹，該所在實現石墨烯產業化制備的基礎上，進一步開展相關研究，并得到國家自然科學基金和寧波市重點科技創新團隊的支持，作為研究基礎申請獲批
我國發現表面絕緣襯底PECVD法制備無需轉移單層石墨烯
大面積、高質量石墨烯在傳感器和透明導電應用方面有著重大需求，而化學氣相沉積法是一種被廣泛應用在金屬催化劑上生長石墨烯薄膜的方法。然而，由于石墨烯和金屬之間有著不同的熱膨脹系數（Cu：2.6×10-5/ ℃， graphene：-2.0×10-6/ ℃），生長過程中難免會產生皺紋和裂縫，降低單層石
石墨烯復合材料的未來
石墨烯以其優異的性能和獨特的二維結構成為材料領域研究熱點。6月2日下午，石墨烯公益沙龍暨青年科學家快樂足球邀請賽在惠山經濟開發區科創中心工會創業中心成功舉辦，來自國內各大高校及科研院所等單位的青年科學家、石墨烯行業的企業家、創投基金負責人齊聚一堂，參與了石墨烯沙龍交流及球場競技，活動氣氛熱烈。
巧用掃描電鏡實現襯底支撐石墨烯的高質量成像
常見的襯底支撐石墨烯體系，有SiC熱解生長石墨烯、Cu等金屬襯底上CVD法生長石墨烯、Si上轉移石墨烯等。石墨烯的常用結構表征技術包括透射電鏡、拉曼（Raman）、原子力顯微鏡（AFM）、光學顯微鏡以及掃描電鏡（SEM）。其中，SEM具有分辨率達納米級、觀測范圍大、速度快、無損等優點，在石墨烯的生長
科學家開發出石墨烯/藍寶石外延襯底 促進AlN薄膜生長
深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應用更是迫在眉睫，但是商業化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴重限制了深紫外LED的應用。AlN材料質量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的方法異