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  • 微電子所在阻變存儲器研發與平臺建設方面取得進展

    日前,中科院微電子研究所在阻變存儲器與大生產CMOS工藝集成研究上取得進展。 阻變存儲器(RRAM)是近些年興起的新型不揮發存儲技術,具有單元尺寸小、速度快、功耗低、工藝及器件結構簡單和可嵌入功能強等優點,是國際上公認的32nm節點以下主流存儲器技術的有力競爭者之一。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室(三室)劉明研究員帶領的RRAM團隊已在該領域開展了多年的研究,以與CMOS工藝兼容的二元金屬氧化物材料為基礎,在材料優化、機理研究、可微縮性研究、可靠性研究、小陣列原型芯片設計、測試方法學研究等方面取得了處于國內領先地位、具有一定國際影響力的系列成果。 2012年,在國家科技重大專項子課題“32nm RRAM關鍵工藝和技術”的支持下,RRAM研發團隊在SMIC生產線上完成RRAM外圍電路的流片工作,在實驗室環境中成功開發了1kb RRAM陣列與外圍電路芯片的集成工藝。這種集成方案一方面采用了大工藝生產平......閱讀全文

    阻變存儲器是什么?

      伴隨著科學的發展和技術的進步,新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會,在今天,電阻存儲器的研究已經非常普遍,因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點,具體地說,首先它具有非常大的存儲密度,因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝,也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造,所以它具

    阻變存儲器是什么?

    伴隨著科學的發展和技術的進步,新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會,在今天,電阻存儲器的研究已經非常普遍,因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點,具體地說,首先它具有非常大的存儲密度,因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝,也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造,所以它具有非

    微電子所揭示阻變存儲器失效機制

      近日,中國科學院微電子研究所劉明課題組在阻變存儲器(RRAM)研究方向取得新進展,揭示了陽離子基阻變存儲器復位失效現象的微觀機制,通過增加離子阻擋層,改善了器件的可靠性,主要研究成果于10月17日發表在《先進材料》(Advanced Materials,DOI: 10.1002/adma.201

    物理所等在阻變存儲器研究中取得進展

      阻變存儲器是利用薄膜材料在電激勵條件下薄膜電阻在不同電阻狀態(高阻態和低阻態)之間的互相轉換來實現數據存儲的,具有單元尺寸小、讀寫速度快、功耗低、制備工藝和器件結構簡單等優點。理解高低組態相互轉化的微觀機制對于設計和優化阻變存儲器是至關重要的。目前,對于導電橋類型的阻變存儲器的阻態翻轉機理,如導

    微電子所在阻變存儲器研究中取得新進展

      近日,中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室在阻變存儲器研究工作中取得進展,并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道(Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R

    微電子所在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展

      日前,中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室(三室)在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展。  阻變隨機存儲器(RRAM)具有結構簡單、高速、低功耗、易于3D集成等優勢,是下一代高密度非易失性存儲器的有力競爭者之一。然而,阻變機制的不清晰阻礙了RRAM的快速發展。從最基

    中科院金屬所研發出新型門可調阻變存儲器

      近期,中國科學院金屬研究所(以下簡稱金屬所)沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作,研究團隊通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式,將金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝,首次構筑了基于垂直架構的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。相關研究成果11

    蠶絲蛋白注入-讓新型的光響應性阻變存儲器可降解

      高等研究院周曄研究員以蠶絲蛋白為材料主體,水溶性碳量子點為光調控單元,并結合簡易的三明治器件結構,構筑了一種新型的光響應性阻變存儲器。  該存儲器展現出存儲窗口大(106)、耐受性好、穩定性好(106 s)等優點。同時,在紫外光照射條件下,存儲器的開啟電壓會顯著下降(1.2 V),見圖1。圖1.

    我國科學家在阻變存儲器集成應用研究獲進展

      中國科學院微電子研究所劉明團隊在1Mb 28nm嵌入式阻變存儲器測試芯片以及8層堆疊的高密度三維阻變存儲器陣列研究方面取得新進展。(a)28nm RRAM 1Mb芯片版圖;(b)28nm RRAM單元TEM界面圖8層堆疊RRAM截面圖  以RRAM和MRAM為代表的新型存儲器被認為是28nm及后

    微電子所在阻變存儲器研發與平臺建設方面取得進展

      日前,中科院微電子研究所在阻變存儲器與大生產CMOS工藝集成研究上取得進展。  阻變存儲器(RRAM)是近些年興起的新型不揮發存儲技術,具有單元尺寸小、速度快、功耗低、工藝及器件結構簡單和可嵌入功能強等優點,是國際上公認的32nm節點以下主流存儲器技術的有力競爭者之一。微電子所納

    微電子所在阻變存儲器與鐵電FinFET研究中取得進展

      近日,2018國際電子器件大會(IEDM)在美國舊金山召開。會上,中國科學院院士、中國科學院微電子研究所研究員劉明團隊展示了28納米嵌入式阻變存儲器可靠性優化以及基于HfZrO鐵電FinFET器件的最新研究成果。  對于新型存儲器RRAM,初始電形成過程會增加電路設計復雜度,帶來可靠性問題,一直

    微電子所在面向應用的阻變存儲器研究中取得新進展

      日前,中國科學院微電子研究所在面向應用的阻變存儲器研究上取得新進展。   阻變存儲器(RRAM)是非揮發性存儲器的一種重要的替代方案,具有工藝及器件結構簡單、微縮性好、高速、低功耗、可嵌入功能強等優點。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室科研人員在前期建立新材料、新結構及與大生產CMOS集成

    阻變材料探索與機理研究方面取得系列進展

      基于電致電阻效應的電阻型隨機存儲器(RRAM)是一種極具發展潛力的新興存儲技術,具有非易失性、低功耗、超高密度、快速讀寫等優勢。目前開展穩定的新型電致電阻材料的探索以及阻變機理研究非常重要,也是當前的一個研究熱點。   中科院寧波材料技術與工程研究所李潤偉研究團隊較早地開展了阻變材料

    新型存儲器有望推動存儲技術的變革

      集成電路,俗稱“芯片”,是信息技術產業的核心,被譽為國家的工業糧食。而存儲器是存儲信息的主要載體,占集成電路市場的四分之一,我國存儲器市場占全球市場的一半,但缺乏自主知識產權和人才,導致高密度、大容量存儲器完全依賴進口。這給我國的信息安全帶來了極大的隱患。  為解決此難題,有一個團隊默默耕耘了十

    我國學者在阻變器件電流保持特性調控研究中取得新進展

      近日,中國科學院微電子研究所劉明院士團隊及其合作者(中國科學院上海微系統與信息技術研究所狄增峰課題組、武漢大學肖湘衡課題組等)在陽離子基阻變器件電流-保持特性調控上取得重要進展。圖1:石墨烯缺陷工程調控所得高驅動電流、低保持特性易失性選擇器及低操作電流、高保持特性非易失性存儲器的特征I-V曲線 

    金屬有機框架材料的電致阻變效應研究獲系列進展

      基于電致阻變效應的電阻型隨機存儲器(RRAM)具有非易失性、結構簡單、低功耗、高密度、快速讀寫等優勢,被認為是最具發展潛力的新興存儲技術之一。同時,隨著可穿戴電子器件的快速發展,研發柔性電致阻變材料和柔性阻變存儲器尤其值得關注。  中國科學院磁性材料與器件重點實驗室(寧波材料技術與工程研究所)研

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    物理所發展原位透射電鏡技術表征離子輸運動力學過程

      離子輸運是物理、化學和生命科學研究的一個基本過程,其性質對儲能、催化和阻變存儲等器件性能有重要的影響。在實驗上高分辨表征離子輸運過程和表界面電化學反應對揭示器件工作機理和開發新型器件具有重要的意義。中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室(籌)表面物理國家重點實驗室多年來致力于原位透射電鏡

    寧波材料所二氧化釩相變調控和新型信息器件研究獲進展

      存儲器是信息記錄的載體,也是現代信息技術的核心和基石之一,在數據中心、科學研究以及軍事國防等國民生產生活的各個領域發揮著重要作用。隨著大數據時代的到來,全球信息量爆炸式增長,對于新型高密度信息存儲器的需求愈加迫切。因此,在納米尺度上調控電子材料的物化特性,將為發展具有超小尺寸、超快響應速度以及超

    “高密度存儲與磁電子材料關鍵技術”取得突破

      阻變存儲器、相變存儲器、磁存儲器、高靈敏度磁傳感器和隔離耦合器件等是具有良好應用前景的新型存儲和磁電子技術,在移動通信、個人電腦、數碼相機、電子標簽等領域具有廣闊的市場價值。“十二五”期間,863計劃新材料技術領域支持了 “高密度存儲與磁電子材料關鍵技術”主題項目。近日,科技部高新司在北京組織專

    熱阻濕阻測試儀測試織物材料熱阻濕阻解析

      熱濕舒適性是人們除了基本的遮體、保暖、防寒以外對織物較高的要求。熱阻濕阻作為衡量織物舒適性的指標具有重要的意義。熱阻能夠表征材料的熱量傳遞性能,熱阻大的面料具有較好的防寒作用。而夏天我們傾向于選擇濕阻較小的衣物,這樣的衣服穿著時,能及時將人體排出的濕氣散去,給人干爽的感覺。   熱阻濕阻測試儀

    “超級光盤”存儲器問世

    原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大學光子芯片研究院顧敏院士、中國科學院上海光學精密機械研究所阮昊研究員、上海理工大學光電信息與計算機工程學院文靜教授等合作,在國際上首次利用雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技

    “新型高密度存儲材料與器件”項目啟動

      10月17日,國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動會在中國科學院微電子研究所召開。  會上,微電子所所長葉甜春和中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明先后致辭。葉甜春對當前存儲器領域的形勢和現狀進行了總結和展望,表示要集中力量圍繞關鍵技術開展攻關,實現

    研究實現第四種基本電路元件與非易失信息存儲器

      電阻、電容和電感是人們熟知的三種基本電路元件,分別由四個基本電路變量(電壓v、電流i、電荷q、磁通φ)兩兩之間的線性關系來定義。1971年,美國加州大學Leon Chua提出,基于對稱性考慮應該存在第四種基本電路元件,由電荷和磁通之間的關系來定義。由于當時沒有找到符合這種定義的真實器件,Leon

    全新憶阻器超越現有機器學習系統

      在當今“大數據”時代,現有計算機硬件架構已面臨速度和高能耗的瓶頸。科技日報記者日前采訪美國密西根大學電子工程與計算機系盧偉教授獲悉,他帶領同事研發出一種全新憶阻器(Memristor)陣列芯片,其處理圖片和視頻等復雜數據的速度和能效,超越了現有最先進機器學習系統。相關論文發表在最近一期《自然·納

    科學家研發出新的植入式瞬態可溶蠶絲蛋白存儲器

    日前,記者從中國科學院上海微系統與信息技術研究所獲悉,該所研究員陶虎團隊開發出了用于多模態信息存儲加密的植入式瞬態可溶蠶絲蛋白存儲器,相關成果于4月8日發表在國際期刊《先進材料》上。瞬態可溶存儲器是柔性電子與可植入器件中的重要組成部分和信息存儲媒介,器件在實現可控降解的同時,還需具備穩定的存儲和加密

    熱阻濕阻測試儀的相關介紹

      熱阻濕阻測試儀用于測試服裝紡織品的耐熱性能,通過測試,以確保最終產品在出汗情況下依然穿著舒適。  人體皮膚模擬試驗板、自動供水系統、風速穩定系統、試驗主機和氣候箱采用完全分離設計,更便于控制。  在測試過程中,可根據測試樣品的厚度自動調整加熱板的高度,以確保加熱板保持水平。  連接軟件后,可進行

    利用新型存儲器陣列一步解線性方程組和特征向量

      在大數據時代,人們要處理的數據呈爆發式增長,而很多數據處理本質是一個矩陣方程問題,如谷歌的網頁排序(PageRank算法)、利用超級計算機模擬量子效應(解薛定諤方程)。隨著摩爾定律的失效,以及由于馮諾依曼架構存儲、計算分離的固有限制,想更快、更省地完成數據處理變得越來越難,而計算的時間和能耗效率

    陳彧等發現石墨烯有望為信息存儲器“大限”解圍

    很多人都知道,摩爾定律揭示了信息技術神話一樣的發展速度;但很多人不知道的是,2018年,以硅基材料為基礎的信息存儲技術將面臨發展“大限”。華東理工大學特聘教授陳彧帶領的課題組最近發現,石墨烯材料能有效拓展信息存儲空間,從而在以石墨烯為基礎的新型有機高分子信息存儲材料研究領域取得重大進展。研

    細菌DNA序列可作信息“存儲器”

      阿根廷科學家近日成功將該國國歌旋律以人工基因編碼形式植入某種細菌染色體中。這一方法不僅可以用來存儲音樂旋律,還可能發展為一種擁有巨大應用潛力的信息存儲方式。   據阿根廷媒體報道,主持研究的阿根廷信息生物學家費德里克·普拉達介紹說,生物的DNA(脫氧核糖核酸)由四種脫氧核苷酸組成,即腺嘌呤、胸

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