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據美國物理學家組織網近日報道，美國加利福尼亞大學伯克利分校科學家利用新技術直接在硅表面生長出了極微小的納米柱，形成一種亞波長激光器，這一成果將為制造納米光學設備如激光器、光源檢測儀、調制器、太陽能電池等帶來新的突破。 硅材料奠定了現代電子學的基礎，但它在發光領域還有很多不足之處。工程人員轉向了另外一族名為III-V半導體的新材料，以此來制造光基元件，如發光二極管和激光器。 加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員通過金屬—有機化學蒸發沉積的方法，在400攝氏度條件下，用一種III-V族材料銦鎵砷在硅表面生長出納米柱。這種納米柱有著獨特的六角形晶體結構，能將光線控制在它微小的管中，形成一種高效導控光腔。它能在室溫下產生波長約950納米的近紅外激光，光線在其中以螺旋形式上下傳播，經過光學上的相互作用而得以放大。 研究人員指出，將III-V和硅結合制成單一的光電子芯片面臨的最大障礙是，目前制造硅基材料的......閱讀全文
物理與材料學領域 【1】2019年12月11日，中科院物理所張余洋、丁洪及高鴻鈞共同通訊在Science 在線發表題為“Nearly quantized conductance plateau of vortex zero mode in an iron-based superconducto