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中國科學家在《自然·納米技術》雜志上發表論文稱，他們在單晶石墨烯制備上取得了一項突破。通過對化學氣相沉積法（CVD）的調整和改進，他們將石墨烯薄膜生產的速度提高了150倍。新研究為石墨烯的大規模應用奠定了基礎。 石墨烯是由碳原子構成的只有一層原子厚度的二維晶體材料，在電、光、機械強度上的優異特性，使其在電子學、太陽能電池、傳感器等領域有著眾多潛在應用。雖然需求巨大，但其制備速度緩慢，利用率一直徘徊在25%左右，成為制約其進入實際應用的瓶頸之一。目前制備高質量石墨烯的方法，除膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法外，主要是化學氣相沉積法。但通過CVD技術生產單晶石墨烯薄膜仍然需要耗費很長的時間，制備一塊厘米見方的單晶石墨烯薄膜至少需要一天的時間，十分緩慢。 在新的研究中，中國北京大學和香港理工大學的研究人員開發出一種新技術，能將這一過程從每秒0.4微米加速到每秒60微米，速度提升150倍。而其中的訣竅，就是在參與反應的銅箔......閱讀全文
中國科學家在《自然·納米技術》雜志上發表論文稱，他們在單晶石墨烯制備上取得了一項突破。通過對化學氣相沉積法（CVD）的調整和改進，他們將石墨烯薄膜生產的速度提高了150倍。新研究為石墨烯的大規模應用奠定了基礎。 石墨烯是由碳原子構成的只有一層原子厚度的二維晶體材料，在電、光、機械強度上的優異
因為在半導體工業中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本優勢，銅基表面化學氣相沉積(CVD)法被認為是最有潛力實現大規模制備高質量石墨烯的方法。通過近10年的努力(2007-2017)，銅基CVD法已經在大批量、高質量和快速制備三個方向分別取得了一系列的突破進展。然而，對于能夠同時實現快速、大批量和
因為在半導體工業中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本優勢，銅基表面化學氣相沉積(CVD)法被認為是最有潛力實現大規模制備高質量石墨烯的方法。通過近10年的努力(2007-2017)，銅基CVD法已經在大批量、高質量和快速制備三個方向分別取得了一系列的突破進展。然而，對于能夠同時實現快速、大批量和