2016年度國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項
2016年10月11日，2016年度國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項—“高壓大功率SiC材料、器件及其在電力電子變壓器中的應用示范”項目啟動會在北京召開。項目牽頭單位全球能源互聯網研究院相關領導、項目負責人及各課題負責人、國網公司科技部相關領導、項目咨詢專家、科技部高技術中心相關人員等出席了會議。 該項目旨在開展高壓大容量SiC 功率器件和模塊封裝關鍵技術等五方面的研究，其中6500V/400A SiC模塊以及相應電力電子變壓器在國際尚無研發先例。項目的順利實施將使我國率先實現碳化硅材料在電力系統中的應用，占領國際制高點，對于推進智能電網建設，保障我國能源安全和推進全球能源互聯網具有重大意義。 項目組聘請了第三代半導體產業技術創新戰略聯盟于坤山秘書長、北京大學沈波教授、國家冶金自動化研究設計院李崇堅總工程師、中國科學院電工研究所李耀華研究員和中國科學院物理研究所陳小龍5位專家為項目咨詢專家。 會上，......閱讀全文
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
兩家SiC材料廠完成新一輪融資
近日，碳化硅（SiC）產業資本市場風云再起，SiC襯底供應商江蘇超芯星半導體有限公司（以下簡稱超芯星）和SiC原材料廠商湖南東映碳材料科技股份有限公司（以下簡稱東映碳材）分別完成數億元新一輪融資。 超芯星完成數億元C輪融資 12月14日，超芯星宣布完成數億元C輪融資，本輪融資由知名國際投資機
SiC同質外延厚度分析
鈍化層分析 鈍化層作為保護層、絕緣層或抗反射層，在半 導體材料中扮演著重要的角色。 VERTEX 系列 光譜儀是分析鈍化層的理想工具，它可以實 現快速靈敏的無損分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等離子層和Si-O基鈍化層 分析超低K層
SiCLED研究中取得進展－為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|上海國際半導體技術展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
碳化硅－(SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
Ti3SiC2的MA合成法
圖1.? 研究中使用的行星式研磨機罐體。 由按化學計量組成所需的Ti、Si、C元素粉末混合物合成的機械合金Ti3SiC2是通過使用行星式球磨機來實現的，這種球磨機帶有機械合金罐，而且能夠在機械合金過程中實時測量溫度和氣體壓力。當混合后的粉末機械合金后的某一段時間里，偵測到突然的氣體壓力和溫
GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 不過，姑且不論摩爾定律（Moors
摻氮SiC薄膜制備及其光學特性的研究
硅碳氮（SiCN）薄膜作為一種新型三元薄膜材料具有優異的光、電和機械性能,此外,該薄膜獨特的發光性能和從可見光到紫外光范圍的可調節帶隙,使其成為很有潛力的發光材料。本論文以制備高質量SiC,SiCN等半導體薄膜材料以及探索其光學特性為研究目標,該材料可用于制備應用于惡劣環境下的光電子器件及作為光學保
SiC－MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（一）
摘要：傳統硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電
SiC－MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（二）
我們用混動汽車和電動汽車的80kW牽引電機逆變器電源模塊做了一個SIC MOSFET與硅IGBT的對比測試，結果顯示，在許多關鍵參數方面，650V SIC MOSFET遠勝硅IGBT。這個三相逆變器模塊采用雙極性PWM控制拓撲，具有同步整流模式。兩種器件都是按照結溫小于絕對最大額定結溫80％
Co催化基于6HSiC單晶的石墨烯制備
采用磁控濺射制備Co（200nm）/6H-SiC異質結,在500-1000℃下退火,通過X-射線衍射（XRD）、俄歇電子能譜散射（AES）、拉曼光譜散射（Raman）研究接觸界面的化學反應。研究表明高溫下反應易生成穩定的化合物Co2Si,反應生成的C單質經擴散會富集于界面的最表面,并呈現晶態石墨和無
SiC和GaN技術將成為太陽能逆變器制勝關鍵
根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己
SIC2016“藥品分析檢測技術及其發展論壇”邀請函
“科學儀器服務民生學術大會（SIC2016）”— “藥品分析檢測技術及其發展論壇” 邀 請 函 各有關單位： 中國儀器儀表學會主辦的“第27屆中國國際測量控制與儀器儀表展覽會（MICONEX2016）”將于2016年9月21日-24日在北京.中國國際展覽中心(新館)隆重舉行,同期舉辦第六
SIC2016“藥品分析檢測技術及其發展論壇”邀請函
“科學儀器服務民生學術大會（SIC2016）”— “藥品分析檢測技術及其發展論壇” 邀 請 函 各有關單位： 中國儀器儀表學會主辦的“第27屆中國國際測量控制與儀器儀表展覽會 （MICONEX2016）”將于2016年9月21日-24日在北京.中國國際展覽中心(新館)隆重舉行,同期舉辦
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
寧波材料所在電場輔助連接技術研究中取得進展
碳纖維增強碳復合材料（Carbon fiber reinforced carbon composites, Cf/C）具有密度低、高熱導、低熱膨脹系數以及在高溫下良好的抗熱震性和優異的耐磨性質，被認為是火箭防護罩、噴管及航天飛行器剎車片的候選材料之一。同時，由于其較低的中子活性，在核聚變/裂變堆
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
攻關克難－寧波材料所碳化硅先驅體研究獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐輻照、強度大、硬度高、熱膨脹率小等優異的綜合性能，在能源安全領域扮演著重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用傳統的粉末方法，即從微粉制備、成型（包括壓延、擠塑、干壓、等靜壓、澆注、注射等方式）、燒結到加工這一過程。近30年來，陶瓷材
我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。 通常，國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高
物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材
碳化硅場效應器件的模型及關鍵工藝技術研究
新型寬禁帶半導體材料SiC兼有高飽和電子漂移速度、高擊穿電場、高熱導率等特點,在高溫、大功率、高頻、光電子、抗輻射等領域具有廣闊的應用前景。作為最重要的SiC器件,SiC場效應器件(主要指SiC金屬—半導體場效應晶體管,MESFET和金屬—氧化物—半導體場效應晶體管,MOSFET)以及基于MOS技術
麻省理工學院開發碳化硅核燃料包殼材料
近期，美國麻省理工學院(MIT)的研究人員正在測試碳化硅(SiC)陶瓷基體燃料包殼材料，這種材料能把產生氫氣的風險降低幾千倍，并為核燃料提供與鋯合金類似的保護。 世界上其他研究機構也提出將SiC用于核燃料包殼，而MIT目前正在開展最為詳細的測試和模擬。MIT的Kazimi教授及其團隊不僅在
我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機車索引、新能源汽車、現代國防武器裝備等重大戰略領域對高性能、大功率電力電子器件的迫切需求，被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器
此類新型材料在催化領域中的應用
近日，大連化學物理研究所電鏡技術研究組（DNL2002）劉岳峰副研究員與法國斯特拉斯堡大學Cuong Pham-Huu主任研究員、意大利科學院ICCOM研究所Giuliano Giambastiani主任研究員、常州大學郭向云教授等團隊合作發表綜述文章，系統總結了多孔碳化硅材料在多相催化領域中的
我國學者突破SiC/Al薄壁件高精密研制助力“－北斗三號”雙星
2018年11月19日2時7分，我國在西昌衛星發射中心用長征三號乙運載火箭， 以“一箭雙星”方式成功發射“北斗三號”第18、19星，隨著這兩顆衛星的成功入軌，北斗三號基本系統的部署圓滿完成，并將于今年底前開通運行，向“一帶一路”沿線國家和地區提供基本的導航服務，其定位精度可達2.5米至5米，較北
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展 近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏