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2018年3月7日，北京大學工學院材料系張艷鋒課題組在期刊Nature Communications (DOI: 10.1038/s41467-018-03388-5)在線發表題為“Batch production of 6-inch uniform monolayer molybdenum disulfide catalyzed by sodium in glass”的研究論文，報道了他們在大尺寸均勻單層MoS2材料的可控制備和生長機理研究方面的最新進展。單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如，難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢......閱讀全文
基于二維材料的范德瓦爾斯異質結（vdWHs）可以通過化學氣相沉積（CVD）或者干/濕轉移法制備。它們通常具有明顯且高質量的二維界面，為研究界面相關的性質提供了一個優質平臺。另外，vdWHs中子系統成分、樣品厚度以及界面旋轉角的多樣選擇也為操控它們的光學和電學性質提供了更多自由度。其中，由于單層過
低維納米材料由于在發光和電子輸運等方面有著豐富的物理特性，得到了廣泛關注。日前，北京大學方哲宇、朱星課題組利用石墨烯量子點（GQDs）等離激元實現了對單層MoS2的高效電荷摻雜以及發光光譜的動態調控，相關成果近期發表于《先進材料》。 單層danS2是一種直接帶隙半導體材料，具有較高的光致熒光發