半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展
最近，《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果，此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。 (Ga,Mn)As兼具半導體和磁性材料的特征，過去十余年中受到了高度關注，已經成為磁性半導體大家族中的代表性材料，但是較低的居里溫度限制了其實際應用。2009年，趙建華研究組曾利用重Mn摻雜的方法獲得了居里溫度為191K的(Ga,Mn)As薄膜，這是當時的國際最高紀錄，相關結果發表在Appl. Phys. Lett. Vol 95, 182505, (2009)。 最近，他們又采用重Mn摻雜和微納加工相結合的辦法，將居里溫度為180K的 (Ga,Mn)As薄膜加工成納米尺寸條狀結構，再通過低溫退火將其居里溫度進一步提高到200K，改寫了之前創造......閱讀全文
半導體所等在磁性半導體(Ga,Mn)As研究中取得進展
中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華團隊及合作者美國佛羅里達州立大學教授熊鵬等在有機自組裝分子單層對磁性半導體(Ga,Mn)As薄膜磁性調控研究方面取得新進展，相關成果發表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展
最近，《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果，此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。 (Ga,Mn)A
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
磁性半導體的發展歷史
第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體，例如Eu或Cr的硫族化合物：巖鹽
稀磁性半導體的研究進展
從根本上說主要是由于自旋電子之間的交換作用使得磁性半導體具有磁性。經常用于解釋磁性半導體的磁性起源的交換作用模型有描述絕緣體中磁性的直接交換作用和超交換作用、載流子媒介交換作用和描述部分氧化物中摻雜磁性的束縛磁極化子模型。傳統鐵磁金屬之間的鐵磁耦合用直接交換作用機制來描述，而金屬氧化物、硫化物、氟族
半導體摻雜有什么作用
半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學性能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。純正的半導體是靠本征激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本征激發外產生其他的載流子。半導體的常用摻雜技術主要
中國科大半金屬磁性材料的理論設計取得新進展
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家實驗室、化學與材料科學學院教授楊金龍研究組在尋找具有室溫半金屬磁性材料方面取得重要理論進展，使得制備可在常溫環境下工作的自旋電子器件成為可能。此成果發表在《美國化學會志》上。 自旋電子器件基于電子自旋進行信息的傳遞、處理與存儲，具有目前傳統半導體
有機半導體n型摻雜研究新進展
在國家自然科學基金項目（批準號：21774055、51903117）等資助下，南方科技大學郭旭崗教授團隊與美國Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有機半導體n-型摻雜中取得進展。相關成果以“過渡金屬催化的有機半導體n-型分子摻雜（Transition metal ca
磁性半導體的分類
磁性半導體研究熱點為主要為兩類半導體：稀磁半導體、鐵磁半導體。
磁性半導體的定義
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。
我國學者發現磁性拓撲絕緣體中的雙分量反常霍爾效應
反常霍爾效應是磁性材料的基本輸運性質之一。經過長達一百多年的研究，直至本世紀初物理學家們才認識到反常霍爾效應與電子能帶的貝里曲率相關。近年來，磁性拓撲絕緣體中的自旋結構、貝里曲率和反常霍爾效應之間的關系受到了廣泛的關注。一個重要的實驗進展是在Cr、V等摻雜的(Bi,Sb)2Te3薄膜中觀察到了量
稀磁半導體的磁學機理和物理特性
磁性離子摻入到半導體中替代部分陽離子的位 置形成稀磁半導體，通過局域自旋磁矩和載流子之間 存在強烈的自旋-自旋交換作用，在外加電場或者磁 場的影響下，會使載流子的行為發生改變，從而產生 異于半導體基質的特性。自旋-自旋交換相互作用是 DMS 材料區別于非磁半導體材料的關鍵，也是形成 各種磁極化子的主
摻雜空氣可讓有機半導體更導電
瑞典林雪平大學的研究人員開發了一種新方法，在空氣作為摻雜劑的幫助下，可讓有機半導體變得更具導電性。發表在最新一期《自然》雜志上的這項研究，是邁向未來生產廉價和可持續有機半導體的重要一步。林雪平大學副教授西蒙娜·法比亞諾表示，這種方法可以顯著影響有機半導體的摻雜方式。新方法中所有組件都是實惠的、容易獲
摻雜空氣可讓有機半導體更導電
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlne科技日報北京5月19日電?（記者張佳欣）瑞典林雪平大學的研究人員開發了一種新方法，在空氣作為摻雜劑的幫助下，可讓有機半導體變得更具導電性。發表在最新一期《自然》雜志上的這項研究，是邁向未來生產廉價和可持續有機半導體的重要一步。
稀磁性半導體的應用
稀磁性半導體是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素取代后形成的磁性半導體，因兼具有半導體和磁性的性質，即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度，因而引起廣泛關注，尚處于研究階段。
磁性半導體的應用特點
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。如果在設備里使用磁性半導體，它們將提供一種新型的導電方式。傳統的電子元件都是以控制電荷自由度（從而有n型和p型半導體）為基礎工作，磁性半導體能控制電子的自旋自由度（于是有了
稀磁性半導體的制備方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技術由于其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點，明顯優 于液相外延法和氣相外延生長法，更有利于生長高質 量DMS薄膜。采用低溫分子束外延（LT-MBE）技術， 能夠有效的抑制新相的析出，同時輔助以高能電子衍 射儀（RHEED），監控生長過程中的表面再
中國科大二維磁性半導體材料研究獲進展
中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員閆文盛、孫治湖和劉慶華組成的研究小組在教授韋世強的帶領下，利用同步輻射軟X射線吸收譜學技術，在研究二維超薄MoS2半導體磁性材料的結構、形貌和性能調控中取得重要進展。該研究成果發表在《美國化學會志》上。 二維超薄半導體納米片具有宏觀上的超薄性、透明性
Al3+對Mn2+摻雜高硅玻璃光致發光和輻致發光影響研究進展
近日，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光單元技術實驗室探究了Al3+對Mn2+摻雜高硅玻璃光致發光和輻致發光性能，相關研究成果以Effect of Al3+?on the Photoluminescence and Radioluminescence Properties of Mn2+-D
鄭小宏課題組在二維二氧化錫材料研究中取得進展
近日，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所計算物理與量子材料研究部研究員鄭小宏課題組在二維二氧化錫（SnO2）材料研究中取得進展。研究人員基于第一性原理計算方法理論預測SnO2的二維單層δ相（P-4m2）可以穩定存在，并發現δ相的二維SnO2材料具有平面內負泊松比特性。此外，通過空穴載流子
福建物構所稀土摻雜半導體納米發光材料研究取得新進展
稀土摻雜TiO2納米晶敏化發光和上轉換發光示意圖 稀土離子和半導體納米晶(或量子點)本身都是很好的發光材料，二者的有效結合能否生出新型高效發光或激光器件一直是國內外學者關注的科學問題。與絕緣體納米晶相比，半導體納米晶的激子玻爾半徑要大得多，因此量子限域效應對摻雜半導體納米晶發光
半導體所在石墨烯的化學摻雜及其物性研究方面取得新進展
石墨插層化合物自1841年被發現以來，一直廣泛應用于電極、電導體、超導體和電池等方面。但是，傳統的石墨插層化合物由于其厚度和大尺寸的限制，很難應用于納米器件。另一方面，石墨烯在納米電子和光電子器件方面具有顯著的潛在應用，提高其載流子濃度和遷移率一直是基礎物理和器件應用研究領域所致力解決的目標之一
稀磁性半導體的發展前景
稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質，使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能，為開辟半導體技術新領域以及制備新型電子器件提供了條件。盡管對于DMS材料應用的研究尚處于實驗探索階段，但已展示出其廣闊的應用前景。如將 DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層，實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的
中國科大自旋電子學材料的理論設計獲進展
近日，中國科學技術大學楊金龍教授研究組在電場調控半導體載流子自旋取向方面取得重要理論進展，使得制備電學可控的自旋電子學材料成為可能。該成果發表在《美國化學會志》上。 自旋電子學是基于電子的自旋進行信息的傳遞、處理與存儲的，它具有目前傳統微電子學無法比擬的優勢。在自旋電子學應用中，如何實現用電場
化物所金盛燁組發現錳離子摻雜鈣鈦礦單晶熒光動力機理
近日，中國科學院大連化學物理研究所超快時間分辨光譜與動力學研究組（1110組）研究員金盛燁團隊在正二價錳離子（Mn2+）摻雜的單一CsPbCl3鈣鈦礦微晶中，通過改變激發條件，成功實現了連續、可逆、寬范圍、高穩定性的發光顏色調控，發現錳離子摻雜鈣鈦礦單晶熒光動力學調控機理。 CsPbX3(X=
物理所寬禁帶半導體磁性起源研究取得新進展
中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）陳小龍研究員及其領導的功能晶體研究與應用中心一直致力于寬禁帶半導體磁性起源問題的研究。最近，他們從實驗和理論上證明了雙空位導致磁性，首次在實驗上給出了直接證據，為通過缺陷工程調控寬禁帶半導體的磁性提供了實驗基礎，相應結果發表在Phy
新技術在水溶液中精確摻雜有機半導體
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516074.shtm
新技術在水溶液中精確摻雜有機半導體
由日本國立材料科學研究所、東京大學和東京科學大學組成的研究團隊，首次開發出能在水溶液中精確摻雜有機半導體的技術。最新技術不需要在真空中使用特殊設備獲得氮氣環境，有望給半導體領域帶來全新突破，并在醫療保健和生物傳感領域找到用武之地。相關論文發表于最新一期《自然》雜志。 在最新研究中，科學家開發出
國內外學者在有機半導體n型摻雜研究方面取得進展
圖1 基于過渡金屬催化的n-型分子摻雜概念和對應的催化摻雜機理 在國家自然科學基金項目（批準號：21774055、51903117）等資助下，南方科技大學郭旭崗教授團隊與美國Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有機半導體n-型摻雜中取得進展。相關成果以“過渡金屬催化的有
山東大學團隊：電控磁效應調控二維磁性材料物性新進展
近日，山東大學微電子學院教授王以林團隊及合作者在電控磁效應調控二維磁性材料物性研究中取得新進展，相關成果發表在材料領域權威期刊《先進功能材料》。 二維磁性材料由于其超薄厚度和弱層間范德華相互作用，其磁性能如居里溫度（奈爾溫度）、磁各向異性、矯頑力等可以通過載流子濃度、層間距、應力應變、界面等多