半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展
最近，《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果，此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。 (Ga,Mn)As兼具半導體和磁性材料的特征，過去十余年中受到了高度關注，已經成為磁性半導體大家族中的代表性材料，但是較低的居里溫度限制了其實際應用。2009年，趙建華研究組曾利用重Mn摻雜的方法獲得了居里溫度為191K的(Ga,Mn)As薄膜，這是當時的國際最高紀錄，相關結果發表在Appl. Phys. Lett. Vol 95, 182505, (2009)。 最近，他們又采用重Mn摻雜和微納加工相結合的辦法，將居里溫度為180K的 (Ga,Mn)As薄膜加工成納米尺寸條狀結構，再通過低溫退火將其居里溫度進一步提高到200K，改寫了之前創造......閱讀全文
半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展
最近，《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果，此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。 (Ga,Mn)A
半導體所等在磁性半導體(Ga,Mn)As研究中取得進展
中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華團隊及合作者美國佛羅里達州立大學教授熊鵬等在有機自組裝分子單層對磁性半導體(Ga,Mn)As薄膜磁性調控研究方面取得新進展，相關成果發表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
磁性半導體的發展歷史
第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體，例如Eu或Cr的硫族化合物：巖鹽
稀磁性半導體的研究進展
從根本上說主要是由于自旋電子之間的交換作用使得磁性半導體具有磁性。經常用于解釋磁性半導體的磁性起源的交換作用模型有描述絕緣體中磁性的直接交換作用和超交換作用、載流子媒介交換作用和描述部分氧化物中摻雜磁性的束縛磁極化子模型。傳統鐵磁金屬之間的鐵磁耦合用直接交換作用機制來描述，而金屬氧化物、硫化物、氟族
半導體摻雜有什么作用
半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學性能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。純正的半導體是靠本征激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本征激發外產生其他的載流子。半導體的常用摻雜技術主要
有機半導體n-型摻雜研究新進展
在國家自然科學基金項目（批準號：21774055、51903117）等資助下，南方科技大學郭旭崗教授團隊與美國Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有機半導體n-型摻雜中取得進展。相關成果以“過渡金屬催化的有機半導體n-型分子摻雜（Transition metal ca
中國科大半金屬磁性材料的理論設計取得新進展
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家實驗室、化學與材料科學學院教授楊金龍研究組在尋找具有室溫半金屬磁性材料方面取得重要理論進展，使得制備可在常溫環境下工作的自旋電子器件成為可能。此成果發表在《美國化學會志》上。 自旋電子器件基于電子自旋進行信息的傳遞、處理與存儲，具有目前傳統半導體
磁性半導體的定義
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。
磁性半導體的分類
磁性半導體研究熱點為主要為兩類半導體：稀磁半導體、鐵磁半導體。