蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環境穩定性，使得其在核探測領域具有很好的應用前景，在新型核電池領域也具有巨大的應用潛力。因為GaN輻生伏特效應核電池相比于常規的窄帶半導體核電池而言，具有更高的輸出功率和轉換效率優勢。 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米加工平臺副研究員陸敏及其團隊使用藍寶石襯底的GaN晶片從事核應用的研究，取得了一系列的成果。 在核探測器研究方面，成功制備出GaN基PIN結構X射線探測器，在X射線輻照下的光電流與暗電流之比高達27.7，并對實驗過程中觀測到的兩步電流增長機制給出了模型解釋。該研究工作已被固體物理類雜志Physica Status Solidi（a）接受發表。......閱讀全文
半導體探測器簡介
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂
半導體探測器簡介
半導體探測器（semiconductor detector）是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似。半導體探測器發現較晚，1949年麥凱（K.G.McKay）首次用α 射線照射PN結二極管觀察到輸出信號。5O年代初由于晶體管問世后，
半導體探測器的發展歷史
半導體探測器的前身可以認為是晶體計數器 。早在1926年就有人發現某些固體電介質在核輻射下產生電導現象。后來，相繼出現了氯化銀、金剛石等晶體計數器。但是，由于無法克服晶體的極化效應問題，迄今為止只有金剛石探測器可以達到實用水平。半導體探測器發現較晚，1949年開始有人用α 粒子照射鍺半導體點接觸
哪些半導體光電探測器有增益
雪崩光電二極管。它應用光生載流子在二極管耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電 流的雪崩倍增。這種器件具有小型、靈敏、快速等優點,適用于以微弱光信號的探測和接收,在光纖通信、激光測距和其他光 電轉換數據處理等系統中應用較廣。
半導體X射線探測器相關介紹
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。鍺和硅是我們最通用的半導體探測材料，其基本原理與氣體電離室相類似。晶體計數器可以認為是半導體探測器的前身，20世紀初期人們發現在核輻射下可以通過某些固體電介質產生電導現象，在這之后金剛石、氯化銀等晶體計數器又相繼被人們發明。可是我們至今無法解決晶
半導體探測器的應用領域
隨著科學技術不斷發展需要，科學家們在鍺鋰Ge(Li)、硅鋰Si(Li)、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測器的基礎上研制出許多新型的半導體探測器，如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等，并廣泛應用在高能物理、天體物理、工業、安全檢測、核醫學、X光成像、軍事等各個領域。世界各大高能物理實驗室幾乎都采用
半導體探測器的基礎知識
半導體原子規則排列成點陣狀態。其最小單元叫作晶包，對鍺來講是小四面體，即金剛石結構。電子在晶體中為晶包所公有，形成能帶結構，如圖4-1-1所示。下面的能帶稱為價帶，又稱滿帶，平時被電子填滿。中間是禁帶（又稱能隙）。上面是導帶，平時沒有電子（又稱空帶）。在價帶以下還有更低能量的價帶；在導帶以上還有更高
半導體探測器的實際操作運用
丁肈中領導的AMS實驗，目標是在宇宙線中尋找反物質和暗物質。它的探測器核心部分的徑跡室采用了多層硅微條探測器。由美國、法國、意大利、日本、瑞典等參加的GLAST實驗組的大面積γ射線太空望遠鏡的核心部分也使用了多層硅微條探測器，總面積大于80平方米，主要用來作為γ→ e-+e+ 的對轉換過程的徑跡
P-N結半導體探測器的類型
擴散結(Diffused Junction)型探測器 采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入 ；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。 金硅面壘(Surface Barrier)探測器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
半導體探測器的趨勢和應用領域
趨勢 上述各種γ射線探測器均須在低溫下工作。人們日益注意探索可在常溫下探測γ射線的半導體材料。一些原子序數較大的化合物半導體，如碲化鎘、砷化鎵、碘化汞、硒化鎘等，均已用于制備X、γ射線探測器,并已取得不同程度的進展。 應用領域 隨著科學技術不斷發展需要，科學家們在鍺鋰Ge(Li)、硅鋰Si
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環境穩定性，使得其在核探測領域具有很好的
P-N結半導體探測器的工作原理
多數載流子擴散，空間電荷形成內電場并形成結區。結區內存在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高于本征電阻率 [4] 。 在P-N結上加反向電壓，由于結區電阻率很高，電位差幾乎都降在結區。 反向電壓形成的電場與內電場方向一致。 在外加反向電壓時的反向電流
半導體探測器的基本原理和特點
基本原理 半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號 [2] 。 我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子－空穴對統稱為探測器的信息載流子。產生每個信息載流
高純鍺(HPGe)半導體探測器的相關介紹
簡介 隨著鍺半導體材料提純技術的進展，已可直接用超純鍺材料制備輻射探測器。它具有工藝簡單、制造周期短和可在室溫下保存等優點。用超純鍺材料還便于制成X、γ射線探測器,既可做成很大靈敏體積，又有很薄的死層,可同時用來探測X和γ射線。高純鍺探測器發展很快，有逐漸取代鍺。 工作原理 采用高純度的
CdZnTe半導體探測器X射線能譜響應特性分析
CdZnTe是一種性能優異的高能射線探測材料,在空間科學、核安全以及核醫學等眾多領域有廣泛的應用前景.本文選取了3枚不同等級的CdZnTe探測器,在詳細闡述了CdZnTe探測器工作原理的基礎上,對比分析了他們的能譜響應曲線和載流子輸運特性的關系.重點分析了CdZnTe探測器能量分辨率、電荷收集效率和
半導體所在柔性一維光電探測器研究方面取得系列進展
隨著科學技術日新月異的發展，人們對便攜化、娛樂化、健康化的可穿戴式電子設備不斷追求，促使其相應的柔性傳感器件向著高效、低成本、大面積制造等方向發展。近些年，為了實現光電探測器的便攜化和可移植化，柔性光電探測器的設計與制備受到了研究人員的廣泛關注。柔性光探技術的快速發展對敏感材料的敏感性與柔韌性要
“新型CZT半導體X射線和γ射線探測器研制”專項通過驗收
科技部評估中心于2017年4月14日在北京組織了由我校主持完成的首批國家重大科學儀器設備開發專項“新型CZT半導體X射線和γ射線探測器研制”項目綜合驗收評審會。以中國工程院潘自強院士為驗收專家組組長的13名評審專家對項目進行了嚴格審查，最終以97.4分順利通過了項目綜合驗收。 該項目于2011
酒精傳感器應用于酒精檢測儀
酒精傳感器應用于酒精檢測儀：酒精探測器的核心部件是酒精探測器，當被測試人員通過測試出風口向酒精探測器吹氣時，酒精探測器通過酒精探測器對呼出的氣體產生一定的反應，因此酒精探測器的質量影響酒精探測器的測試精度。酒精傳感器的種類和區別:目前普遍使用的只有燃料電池型(電化學型)和半導體型。這兩種可制造便攜式
蘇州納米所GaN基核探測器研究取得新進展
GaN基材料作為第三代半導體的杰出代表，已經被廣泛應用于光電子領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。另外，GaN基材料具有很好的抗輻射性和很高的化學穩定性，近年來人們逐漸開始關注其在核探測領域的基礎和應用研究。常規GaN基材料因其背景載
無線高壓數字核相儀更換電池
高壓相位檢測儀的發射器和接收器各用1 節9v 堿性電池更換步驟如下: 1 、拆下電極； 2、 擰開單元頂上的螺帽； 3、 推動單元頂上的金屬螺絲帽以推動電子模塊； 4、當電子模塊在塑料殼內發生移動，即可去掉塑料殼取下金屬罩取得外殼內部位于電子電路一側的電池更換新電池；
無線高壓核相儀更換電池步驟
更換電池無線高壓核相儀的發射器和接收器各用1節9V堿性電池，更換步驟如下：1）拆下電極；2）擰開單元頂上螺帽；3）推動單元頂上的金屬螺絲帽以推動電子模塊；4）當電子模塊在塑料殼內發生移動，即可去掉塑料殼，取下金屬罩，取得外殼內部位于電子電路一側的電池，更換新電池；5）按上述相反程序重新恢復，要保證金
半導體所銻化物二類超晶格紅外探測器研究取得重要突破
銻化物InAs/GaSb二類超晶格材料具有二型能帶結構，電子有效質量大，俄歇復合率低，波長調節范圍大（約3-30微米），在高性能制冷型紅外探測器領域具有重要應用。與碲鎘汞紅外探測器相比，二類超晶格紅外探測器材料均勻性好，成本低，在中波及長波波段與碲鎘汞探測器性能相當，在甚長波波段
“華龍一號”全球首堆堆外核測探測器成功研制
近日，“華龍一號”全球首堆示范工程福清核電5號機組堆外核測探測器通過驗收，標志著我國實現了三代核電堆外核測探測器的技術突破，打破了百萬千瓦級核電機組堆外核測產品的國外技術壟斷。 據了解，堆外核測探測器安裝在反應堆壓力容器外，用來監測反應堆中子注量率，能夠提供反應堆從啟動到滿功率運行期間的功率水
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
熒光分析在半導體材料領域有什么應用
半導體材料的早期應用：半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制
無線高低壓核相儀的技術指標
功????能高低壓無線語音核相、相位測試、相序判斷、驗電、頻率測試等電????源探測器：7V～9VDC(內置大容量可充鋰電池，7.4V/1000mAh，充滿電連續工作40小時)接收器：7V～9VDC(LR6、1.2V、6節大容量鎳氫充電電池，總9000mAh，充滿電連續工作40小時)?核相方式接觸式
CCD探測器與CID探測器
CCD（Charge-coupled Device）的概念CCD，英文全稱：Charge-coupled Device，中文全稱：電荷耦合元件。可以稱為CCD圖像傳感器。CCD是一種半導體器件，能夠把光學影像轉化為數字信號。 CCD上植入的微小光敏物質稱作像素（Pixel）。一塊CCD上包含
半導體所鈣鈦礦太陽電池研究取得進展
近幾年，有機無機雜化鈣鈦礦太陽電池被廣泛關注。該材料具有帶隙可調、吸收系數高、載流子壽命長和載流子遷移率高等優點。鈣鈦礦太陽電池被報道的最高效率已超過20%。近日，中國科學院院士、中科院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室王占國課題組，在鈣鈦礦太陽電池載流子輸運管理研究方面取得了新進展。 作為
利用半導體鈍化層降低車用鋰電池起火風險
盡管電動汽車發展迅速，但鋰離子電池的安全性仍然令人擔憂，其樹枝狀晶體具有多個分支，會導致電動汽車電池起火。據美國化學學會出版物官網近日消息，韓國研究人員已經使用半導體技術來提高鋰離子電池的安全性。由儲能研究中心李仲基（音譯）博士領導的韓國科學技術研究所的研究小組，通過在鋰電極表面形成保護性半導體