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碳納米管自上世紀90年代初發現以來，已經引起了研究者極大興趣。碳納米管具有金屬性或者半導體性取決于它的手性指數，但是手性指數即電子能帶結構不可控一直是一個難題。由于半導體性與金屬性納米管混存且難以分離，造成了碳納米管納電子學應用的瓶頸。三元B-C-N納米管可被看作是碳納米管晶格中的部分C原子被B、N原子取代摻雜后的產物。石墨相B-C-N三元化合物是介于石墨（半金屬）與六方氮化硼（h-BN，絕緣體）之間的半導體，能隙隨成分變化可連續可調；相應地，三元B-C-N納米管也呈現出半導體性，其電子能帶結構主要取決于納米管的成分，而與手性指數無關。由于電學性質具有較好的可控性與較大的可調性，B-C-N納米管有望在納電子學與光電子學等領域比碳納米管率先獲得應用。然而，與碳納米管相比，三元B-C-N納米管實驗合成的難度要大得多，尤其是單壁納米管的合成，是一個具有很大挑戰性的課題。 中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗......閱讀全文
硅材料在20世紀迅猛發展不僅得益于人們對界面科學與工程的深入研究，而且更是將廣泛應用的半導體微電子學帶入千家萬戶。出席日前在蘇州舉行的以“碳基半導體界面科學與工程”為主題的第386次香山科學會議的專家指出，碳基半導體界面科學與工程方面是一個非常復雜的體系，還有許多重大的科學問題亟待解決
過去幾十年，硅基電子學在小型化、高集成度和高速度方面取得了巨大的成功。但是，傳統的電子學器件是基于平面結構的，具有不可彎折、不可拉伸的缺點，這在很大程度上限制了電子器件的應用。近二十年發展起來的柔性電子學和最近剛剛興起的可拉伸電子學為人們帶來了全新的概念，使得電子學器件可以應用在
盡管安全性一度遭到質疑，但基因編輯技術發展勢頭不可阻擋。 基因測試新技術 新概念造影劑“納米MRI燈” 巴西轉基因大豆 記錄DNA數據 具隱身效果的膜材料（模擬效果圖） 耐水性超薄太陽能電池 美 國 基因編輯技術火熱 干細胞研究獲突破 美科學家開展了該國首個對人類胚胎的基因編輯
7月13日，中科院微生物所副研究員齊建勛來到上海光源南門，按照慣例拿到了實驗用的門禁卡。從上海光源出光起，齊建勛就經常往返京滬兩地，已經是上海光源不折不扣的老用戶了。 上海光源的所在地，位于張江科技園區的張衡路和蔡倫路之間。這些以中國古代科學家命名的街道，讓齊建勛感受到濃烈的科學氛圍。 今