薄膜襯底材料中俄歇電子能譜的蒙特卡洛模擬
薄膜材料在現代材料技術中應用廣泛。光學鍍膜技術中,經常在特定的襯底上沉積一層薄膜,可以改善材料的物理化學性質。許多工業和技術設備都需要覆蓋具有特定化學性質的薄膜,薄膜材料具有許多獨特的光學與電學性質,這些性質和薄膜本身的制作工藝有關,同時也與薄膜的厚度密切有關。因此,表征納米量級的薄膜厚度具有十分重要的研究意義。在眾多表面分析技術中,俄歇電子的采樣深度一般為納米級別,具有很高的表面靈敏度,適合材料表面定的性和定量分析,因此本文的主要研究目的是:整合當前最新的電子與固體原子的散射理論,用蒙特卡洛方法模擬研究薄膜對襯底俄歇能譜的影響,并用襯底的俄歇峰強度來表征襯底材料上均勻薄膜的厚度,得出俄歇信號強度與薄膜厚度的一般關系式,并推導出相關的有效衰減長度。下面介紹文章的具體內容。在第一章中,我們介紹了俄歇電子以及俄歇能譜應用的基本原理,俄歇電子能譜技術已經成功應用到許多科學領域。然后介紹了薄膜襯底材料的電子能譜學實驗中幾個常用的物理量:......閱讀全文
薄膜襯底材料中俄歇電子能譜的蒙特卡洛模擬
薄膜材料在現代材料技術中應用廣泛。光學鍍膜技術中,經常在特定的襯底上沉積一層薄膜,可以改善材料的物理化學性質。許多工業和技術設備都需要覆蓋具有特定化學性質的薄膜,薄膜材料具有許多獨特的光學與電學性質,這些性質和薄膜本身的制作工藝有關,同時也與薄膜的厚度密切有關。因此,表征納米量級的薄膜厚度具有十分重
用X射線能譜儀測定襯底材料上的薄膜厚度
本文利用薄膜對入射電子束流的衰減作用和薄膜對襯底的x射線的吸收,提出了一種直接利用襯底的x射線的強度比來測量薄膜厚度的方法。并在各種實驗條件下,對Cu薄膜的厚度進行了測量,得到了較為滿意的結果。?
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜簡稱AES，是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用
俄歇電子能譜（2）
基本原理物理原理入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。俄歇電子和X射線產額入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜（3）
俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一
俄歇電子能譜（1）
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出
俄歇電子能譜的原理
向樣品照射電子束后，電子和物質之間產生劇烈的相互作用，如下圖（上)所示，各種電子和電磁波被釋放出來。由于其中俄歇電子具備各個元素特有的能量，所以如對能譜進行解析，可以鑒定物質表面所存在的元素(定性分析)通過峰強度對比則可以定量測定元素(定量分析)。另外，俄歇電子在物質中非彈性散射情況下前進的距離（平
俄歇電子能譜的特點
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。②俄歇電子只能從20