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隨著集成電路的發展特征尺寸不斷下降,制備厚度薄且具有良好熱穩定性的擴散阻擋層變得越來越具有挑戰性。因此在Cu膜中直接添加少量元素來制備Cu種籽層的無擴散阻擋層結構受到了廣泛關注。本論文采用磁控濺射方法,制備了無擴散阻擋層Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了單獨摻雜大原子Sn,小原子C以及同時摻雜大原子Sn和小原子C對Cu膜的微結構和性能的影響。大原子Sn在Cu中有一定的固溶度,且特別容易和Cu發生反應形成化合物。為了研究這一類原子在Cu膜中的擴散阻擋機制,制備了不同含量的Cu(Sn)薄膜。研究結果顯示電阻率隨著Sn含量的減少在下降。不同含量的Sn在薄膜中所處狀態不同,阻擋效果產生了差異。Sn含量超過了在Cu中的固溶度在薄膜中會形成Cu-Sn化合物,Sn被薄膜中的Cu消耗使得阻擋效果沒有很好的顯示出來。而添加元素Sn在Cu中保持固溶狀態,不形成化合物析出,Sn起到了一定的阻擋效果。本文中研究了C含量不同的Cu(......閱讀全文
隨著集成電路的發展特征尺寸不斷下降,制備厚度薄且具有良好熱穩定性的擴散阻擋層變得越來越具有挑戰性。因此在Cu膜中直接添加少量元素來制備Cu種籽層的無擴散阻擋層結構受到了廣泛關注。本論文采用磁控濺射方法,制備了無擴散阻擋層Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了單獨摻雜大原子Sn,小
隨著集成電路的發展特征尺寸不斷下降,制備厚度薄且具有良好熱穩定性的擴散阻擋層變得越來越具有挑戰性。因此在Cu膜中直接添加少量元素來制備Cu種籽層的無擴散阻擋層結構受到了廣泛關注。本論文采用磁控濺射方法,制備了無擴散阻擋層Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了單獨摻雜大原子Sn,小
隨著超大規模集成電路中器件和互連線尺寸的不斷減小,厚度薄且具有良好的阻擋性能及電學性能的擴散阻擋層的制備變得越來越具有挑戰性,必須要引進新材料和新工藝來解決這一問題,因此向Cu膜中直接加入少量元素來制備Cu種籽層的無擴散阻擋層結構成為了該領域的重要研究內容。本論文采用磁控濺射在單晶Si(100)基
為適應電子、家電等行業滿足RoHS指令的需要,迫切需要研制開發可替代Sn-Pb釬料的無鉛釬料。研究無鉛釬料的目的,不只是簡單地提供一種替代品,還需要考慮無鉛釬料的力學性能、釬焊性能及焊點可靠性能夠與傳統的Sn-Pb釬料相近、釬焊設備與工藝盡量改動不大等因素,因此開展無鉛釬料的研究具有十分重要的理論
銅是一種過渡元素，化學符號Cu，英文copper，原子序數29。銅呈紫紅色光澤的金屬，密度8.92克/立方厘米。熔點1083.4±0.2℃，沸點2567℃。有很好的延展性。導熱和導電性能較好。 銅（Cu）的相對原子質量是63.5，準確應為：63.546。 銅常見的價態是+1和+2。 銅(I
5．引腳可焊性鍍層對焊接可靠性的影響 1）Au鍍層 （1）鍍層特點。該鍍層有很好的裝飾性、耐蝕性和較低的接觸電阻，鍍層可焊性優良，極易溶于釬料中。其耐蝕性和可焊性取決于有否足夠的鍍層厚度及無孔隙性。薄鍍層的多孔隙性，易發生銅的擴散，帶來氧化問題而導致可焊性變差。而過厚的鍍層又會造成因Au的脆
近期，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所研究員秦曉英課題組在Cu3SbSe4熱電性能研究中取得新進展。通過協同調控功率因子和導熱性，提高銅銻合金的熱電性能，相關研究成果發表在Materials Today Energy上。 隨著工業社會的發展，化石燃料供應減少，為世界人口提供可持
近期，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所研究員秦曉英課題組在Cu3SbSe4熱電性能研究中取得新進展。通過協同調控功率因子和導熱性，提高銅銻合金的熱電性能，相關研究成果發表在Materials Today Energy上。 隨著工業社會的發展，化石燃料供應減少，為世界人口提供可持
CO2還原，既關乎環境，又關乎能源，是目前材料、化學領域科學家關注的重點議題。今天，我們要分享的是來自國際頂級研究團隊關于CO2還原最新的2篇Nature Catalysis工作。 一篇來自斯坦福大學崔屹團隊，主要是關于理論指導Sn/Cu合金催化劑的設計制備，并在低過電位條件下實現了CO2高選
稱取試樣0 . 200 0 g置于250 m L燒杯中，加人鹽酸（密度1 .19 g/mL）30 mL,3滴HF，低溫加熱分解30-60 min，取下稍冷，加入硝酸（密度1.42 g/mL） SmL，高氯酸（密度1. 67 g/m L） 10mL，繼續加熱冒高氯酸煙10 min。取下冷卻，