MnSi1.7薄膜熱電性能研究
本文對n型和p型MnSi1.7薄膜進行了俄歇譜分析,研究了化學位移和薄膜電學性能之間的關系。和純Mn相比,p型和n型MnSi1.7薄膜樣品的Mn[MVV]峰分別有+2.0和+7.0 eV的化學位移。與純Mn [LMM]的峰位在545、592、638 eV處相比,p型和n型MnSi1.7薄膜的545 eV的峰位都沒有改變;592 eV的峰位都有-0.5 eV的化學位移;p型MnSi1.7薄膜的638 eV的峰位有+0.5 eV的位移,而n型MnSi1.7薄膜的638 eV的峰位沒有位移。在用磁控濺射制備的兩個樣品中,出現了Mn[MVV]譜中50 eV、Mn [LMM]譜中600、654、705 eV的新的峰位,這些峰在n型樣品中更強,這可能與薄膜中含有Fe雜質有關。與純Si相比,n型和p型樣品的Si[LVV]峰均有+1.0 eV的化學位移。利用磁控濺射鍍膜的方法對n型MnSi1.7薄膜進行了C摻雜,摻雜后樣品還是n型。但是,樣品的......閱讀全文
MnSi1.7薄膜熱電性能研究
本文對n型和p型MnSi1.7薄膜進行了俄歇譜分析,研究了化學位移和薄膜電學性能之間的關系。和純Mn相比,p型和n型MnSi1.7薄膜樣品的Mn[MVV]峰分別有+2.0和+7.0 eV的化學位移。與純Mn [LMM]的峰位在545、592、638 eV處相比,p型和n型MnSi1.7薄膜的545
溶液操作工藝制備的高性能柔性硒化亞銅熱電薄膜
熱電效應是由溫差產生電壓的直接能量轉換現象，這一基本原理于十九世紀初發現，而大規模的溫差電實用技術研究始于二十世紀中葉，其中最成功的應用是在航天器上實現了長時可靠的發電。溫差發電性能可靠、維修少、低噪音，可在極端惡劣的環境下長時間工作。近幾年來，溫差發電機在軍事高科技以及民用方面都表現出良好的應
微納材料熱電性能測量研究方面取得進展
近日，中國科學院工程熱物理研究所儲能研發中心在微納材料的熱電性能表征方法方面取得進展，為微納材料熱電參數的精確測量和一體化原位表征提供了研究思路。 提高材料的熱電性能是學者們一直追求的目標，將材料進行微納結構化是提高熱電性能的重要且有效的方法之一。熱電參數（熱電優值ZT、熱導率k、賽貝克系數S
Hf 摻雜BiSbTe3 結構與熱電性能研究
Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之間， 而且GOF 因子也在2 左右，這說明Rietveld 精修的 結果是可靠的.Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之間， 而且GOF 因子也在2 左右，這說明Rietveld 精修的 結果是可靠的.2.2
寧波材料所熱電材料性能調控研究取得系列進展
熱電轉換材料能夠實現熱能與電能直接相互轉換，在航空航天特殊電源/熱流管理、余熱/廢熱發電和便攜制冷等領域有著重要應用。熱電性能由無量綱優值（ZT=S2σ T/κ）來表征，高轉換效率需要盡可能提高材料的功率因子S2σ 以及盡可能降低熱導率κ。近期，圍繞SnSe和SnTe等幾類環境友好的新型熱電材料
缺陷結構演化實現高性能熱電材料研究獲進展
熱電轉換技術能夠通過塞貝克效應（Seebeck effect）和帕爾貼效應（Peltier effect）實現熱能與電能直接相互轉換。基于該技術制備的熱電器件具有系統體積小、無運動部件、無噪聲、無損耗和無污染等優點，在深空探測、固態制冷和精確控溫等領域有重要應用。熱電轉換效率主要由材料的無量綱熱電
南理工研究成果取得熱電材料性能新突破
日前，南京理工大學副教授唐國棟課題組傳來好消息——他們通過簡單易操作、低成本的低溫化學合成技術制備出了硒化錫—硒化鉛相分離塊體。作為一種新型的熱電材料，該塊體具有制備工藝更簡單、機械性能更穩定、生產成本更低、便于規模化生產應用、熱電優值高等優點。 據悉，熱電材料是實現熱能和電能直接相互轉換的新
缺陷結構演化實現高性能熱電材料研究獲進展
熱電轉換技術能夠通過塞貝克效應（Seebeck effect）和帕爾貼效應（Peltier effect）實現熱能與電能直接相互轉換。基于該技術制備的熱電器件具有系統體積小、無運動部件、無噪聲、無損耗和無污染等優點，在深空探測、固態制冷和精確控溫等領域有重要應用。熱電轉換效率主要由材料的無量綱熱
薄膜測厚儀的性能簡介
薄膜測厚儀的性能簡介?非接觸式測厚儀的測量原理：使用兩個激光傳感器安裝在被測物（紙張）上下方，將傳感器固定在穩定的支架上，確保兩個傳感器的激光能對在同一點上。隨著被測物的移動傳感器就開始對其表面進行采樣，分別測量出目標上下表面分別與上下成對的激光位移傳感器距離，測量值通過串口傳輸到計算機，再通過我們
AlxZn1-xO薄膜光電性能的研究與應用
ZnO是一種被廣泛關注的寬禁帶半導體，在室溫下，其禁帶寬度為3.37eV，能量對應于光譜中的近紫外波段，可用來對該波段的輻射進行探測；激子束縛能60meV，可用于制備室溫下的短波長激光器件；熱穩定性和化學穩定性高且抗輻射能力強，制備的器件適用范圍廣且壽命長。ZnO在摻入低濃度Al離子時可以形成良好的