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本論文主要利用表面分析技術俄歇電子能譜（AES）較系統的研究了鋁薄膜在鈾基體上的生長行為特征以及膜基界面反應,并采用密度泛函方法,模擬計算了鋁原子在金屬鈾和UO2（001）面上的吸附能,對實驗結果從理論上進行了合理的解釋和推論。主要研究結果有: 1) 室溫下,在金屬鈾表面逐步沉積鋁原子的過程中,沉積Al原子與鈾原子相互作用,電子從鋁原子向鈾原子轉移,界面擴散行為不明顯;鈾表面連續沉積鋁薄膜時,鈾/鋁界面作用較逐步沉積時的界面作用強;室溫下,金屬鈾表面的鋁薄膜是以島狀方式生長的,且為納米薄膜。 2) 室溫下,在UO2表面濺射沉積制備鋁薄膜過程中,鋁與UO2之間相互作用,電子從鋁原子向UO2中的鈾離子轉移:UO2/Al之間的擴散行為較U/Al界面擴散行為明顯,鋁擴散到UO2和基體鈾的界面處,形成了氧化態鈾、金屬鈾和鋁三者共存區;室溫下,UO2表面的鋁薄膜是以島狀方式生長的,生長過程中由于擴散行為的影響,導致確定薄膜生長方式的強度變化......閱讀全文
本論文主要利用表面分析技術俄歇電子能譜（AES）較系統的研究了鋁薄膜在鈾基體上的生長行為特征以及膜基界面反應,并采用密度泛函方法,模擬計算了鋁原子在金屬鈾和UO2（001）面上的吸附能,對實驗結果從理論上進行了合理的解釋和推論。主要研究結果有: 1) 室溫下,在金屬鈾表面逐步沉積鋁原子的過程中,沉
在俄歇電子能譜(AES)儀超高真空分析室中利用氬離子濺射沉積方法將Al沉積在U基體上。對不同Al沉積量的鈾表面實時采集AES和低能電子損失譜(EELS),以研究沉積Al原子與U表面原子間的相互作用以及Al膜的生長過程。將實驗樣品進行退火處理后進行深度剖析。研究結果表明:Al沉積在U基體上是以島狀方
主要利用俄歇電子能譜(AES)原位分析了室溫下鈾與UO2表面鋁薄膜的生長行為。在俄歇電子能譜儀超高真空室中,利用Ar+槍濺射鋁靶,使其沉積到鈾基體上,然后利用電子槍適時采集表面俄歇電子能譜, 原位分析鋁薄膜的生長過程。在UO2表面沉積鋁膜時,先往真空室中充入氧氣,將清潔鈾表面氧化成UO2, 然后再
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。
室溫下在俄歇電子能譜(AES)分析儀超高真空室中,通入適量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+槍濺射鋁箔,使鋁沉積在UO2表面形成Al薄膜。沉積過程中實時采集UO2表面的AES譜和低能電子損失譜(EELS),原位分析鋁薄膜在UO2表面的生長過程和膜間界面反應。研究表明,室溫下,UO
金屬鈾在核燃料領域有著非常重要的應用,然而由于鈾擁有特殊的外層電子,因此性質非常活潑,極易遭受腐蝕,鈾的使用過程中必須考慮腐蝕防護。通過物理氣相沉積的方法在鈾表面制備防腐蝕薄膜是一種有效地防腐蝕手段,但是實際工藝中,鈾易氧化的特性使得膜基界面形成氧化層,影響長期應用中的膜基結合力。本文采用離子氮化
鎂合金在汽車、電子以及航空航天工業上的應用日益廣泛,但較差的耐蝕性限制了其在這些領域的推廣應用。氣相沉積技術作為一種綠色防腐技術正開始受到鎂合金表面處理工作者的關注。本文采用磁控濺射、離子注入等現代化技術手段在AZ31鎂合金表面制備了多種防護性膜層,利用場發射掃描電鏡（FESEM）、原子力顯微鏡（
在600℃,7Pa的低真空條件下對表面為藍紫色UO2的貧鈾進行高溫熱氧化處理,得到表面為銀白色的致密氧化膜。俄歇深度剖析表明氧化層中C、O元素具有偏析富集現象。利用腐蝕電化學綜合測試儀的線性極化、動電位極化和交流阻抗譜技術研究了真空熱氧化膜的抗腐蝕性能。采用掃描電子顯微鏡(SEM)及其附帶的X射線
俄羅斯科學家與斯洛文尼亞和以色列研究人員合作，研制出一種可有效抑制腫瘤細胞生長的鋁基納米結構。 據俄《消息報》報道，俄托木斯克國際科學實驗室研發的這種鋁基納米結構可讓腫瘤細胞完全停止生長，卻不會對人體造成傷害，并可自然排出體外。小鼠實驗顯示，鋁基納米結構注入小鼠腫瘤胞外空間24小時后，腫
本文利用俄歇電子能譜(AES)研究了清潔純鐵、離子注入碳純鐵、清潔鈾以及離子注入碳鈾表面與氧氣吸附及初始氧化的過程。 首先,實驗分析了不同氧暴露劑量對純鐵、離子注入碳純鐵、鈾、離子注入碳鈾表面吸附及初始氧化過程的影響,研究結果表明:室溫下,純鐵表面吸附氧氣及初始氧化的速率大于離子注入碳純鐵表面吸附