射頻功率放大器（RFPA）概述（三）
半導體材料的變遷：Ge(鍺)、Si(硅)→→→GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、SiGe(鍺化硅)、SOI(絕緣層上覆硅) →→→碳納米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs工藝。另外，GaAs HBT，砷化鎵異質結雙極晶體管。其中HBT（heterojunction bipolar transistor，異質結雙極晶體管）是一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構成的雙極晶體管。CMOS工藝雖然已經比較成熟，但Si CMOS功率放大器的應用并不廣泛。成本方面，CMOS工藝的硅晶圓雖然比較便宜，但CMOS功放版圖面積比較大，再加上CMOS PA復雜的設計所投入的研發成本較高，使得CMOS功放整體的成本優勢并不那么明顯。性能方面，CMOS功率放大器在線性度，輸出功率，效率等方面的性能較差，再加上CMOS工藝固有......閱讀全文
射頻功率放大器（RF－PA）概述（三）
半導體材料的變遷：Ge(鍺)、Si(硅)→→→GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、SiGe(鍺化硅)、SOI(絕緣層上覆硅) →→→碳納米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs工藝。另外，GaAs HBT，
射頻功率放大器（RF－PA）概述（二）
1、晶體管晶體管有很多種，包括當前還有多種結構的晶體管被發明出來。本質上，晶體管的工作都是表現為一個受控的電流源或電壓源，其工作機制是將不含內容的直流的能量轉化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區別，這也是
射頻功率放大器（RF－PA）概述（一）
基本概念射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大（緩沖級、中間放大級、末級功率放大級）獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大
RF射頻原理是什么
射頻(RF)是一種高頻的電磁波，由每秒鐘電場的正負極變化高達數百萬次交變電場產生，能夠直接穿透皮膚的表皮層抵達真皮組織，將膠原纖維加熱至55℃-65℃，使膠原纖維收縮而變粗，持續地增加膠原蛋白的增殖和分泌，補充隨著年齡日漸流失的彈性膠原蛋白，撫平皺紋。
六級射頻和rf射頻的區別
六級射頻與RF射頻的區別在于所使用的射頻技術、熱作用深度和治療中的舒適度區別。1、RF射頻射頻波長、作用深、維持時間長。但功率較大，一般需要專業醫生操作，確保對能量的控制。2、六級射頻能量更高效，且作用范圍更均勻、更深入，釋放更均勻，本質上屬于網狀射頻，增生膠原的效果更顯著。
射頻功率放大器簡介
射頻功率放大器（RF PA）是各種無線發射機的重要組成部分。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。 射頻功率放
射頻功率放大器的介紹
射頻功率放大器（RF PA）是各種無線發射機的重要組成部分。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。
什么是射頻放大器
射頻功率放大器（RF PA）：各種無線發射機的重要組成部分。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。
射頻功率放大器的分類
射頻功率放大器（RF PA）是各種無線發射機的重要組成部分。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器
射頻PA在通信領域的作用及重要性－（三）
不同材料工藝的 PA 產業分工略有不同 普通硅工藝集成電路和砷化鎵 / 氮化鎵等化合物集成電路芯片生產流程大致類似，但與硅工藝不同的是化合物半導體制程由于外延過程復雜，所以形成了單獨的磊晶產業。? ? 磊晶是指一種用于半導體器件制造過程中，在原有芯片上長出新結晶以制成新半導體層的技
射頻功率放大器基本概念、分類及電路組成－（一）
基本概念 ? 射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大（緩沖級、中間放大級、末級功率放大級）獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功
射頻功率放大器基本概念、分類及電路組成－（二）
1-3、輸入輸出匹配電路 ? 匹配電路的目的是在選擇一種接受的方式。對于那些想提供更大增益的晶體管來說，其途徑是全盤的接受和輸出。這意味著通過匹配電路這一個接口，不同的晶體管之間溝通更加順暢，對于不同種的放大器類型來說，匹配電路并不是只有“全盤接受”一種設計方法。一些直流小、根基淺的小
5G－時代，射頻前端騰飛在即
在過去幾年中，通信廠商和硬件制造商都在積極布局5G產品，例如針對毫米波、MIMO、載波聚合等一系列軟硬件應用的開發。 ? 當前最新的5G硬件都是在配合相關標準，例如3GPPR16。雖然5G的規范和更新還在進行中，但是可以通過軟件更新的方式來滿足要求。 ? 目前已經推出的5G模組
華為5G芯片率先完成SA/NSA全部測試的背后面臨哪些挑戰3
因此對前端模塊（PA和LNA）、雙工器、混頻器和濾波器等RF通信組件進行特性分析將面臨著一系列新的測量挑戰。為在較大帶寬下實現更高的能效和線性度，5G PA引入了數字預失真（DPD） 等線性化技術。由于電路模型難以預測記憶效應，因此降低記憶效應唯一有效方法是測試PA并在時域信號通過D
一文讀懂28GHz－5G通信頻段射頻前端模塊－（一）
隨著 5G 毫米波預期即將進入商用，行業內關鍵公司的研發正在順利推進，已經完成定制組件指標劃定、設計和驗證。實現未來毫米波 5G 系統所需的基本組件是射頻前端模塊(FEM)。該模塊包括發射機的最終放大級以及接收機中最前端的放大級以及發射 / 接收開關(Tx/Rx)以支持時分雙工(T
幾種常見的射頻電路類型及主要指標
1 低噪聲放大器（LNA）LNA是一種特殊的放大器，主要用于射頻接收機前端，將天線接收的信號以小的噪聲和大的增益進行放大，對提高接收信號質量，降低噪聲干擾，提高接收靈敏度有著極其重要的意義，它的性能好壞關系到整個通信系統的質量。低噪聲放大器的主要指標有：噪聲系數（NF）、增益（Gain）、輸
射頻導納物位計概述
射頻導納物位計產品的結構分為主電極和補償電極兩部分。在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，因而具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產品。 由于保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現克服物料粘附對物位測量的影響。
射頻PA在通信領域的作用及重要性－（二）
PA 也是射頻前端器件中價值量較大的器件 手機目前仍然是射頻前端最大的終端應用市場，在所有射頻前端器件中，射頻 PA 的價值量僅次于濾波器，是射頻前端器件中價值量較大的器件。根據 Yole 的數據顯示，2017 年手機射頻前端中射頻 PA 市場規模約 50 億美元，在整個射頻前端中
射頻PA在通信領域的作用及重要性－（一）
電磁波傳輸距離和發射功率成正比，射頻 PA 性能直接決定通訊距離、信號質量和待機時間（或耗電量），根據 Yole 數據顯示，2017 年手機射頻前端中射頻 PA 市場規模約 50 億美元，在整個射頻前端中價值量占比 35%，僅次于濾波器，也是射頻前端價值量最高的單類型芯片。 ?
射頻PA在通信領域的作用及重要性－（五）
基站射頻市場未來幾年有望翻番 由于基站建設呈現一定的周期性，因此基站射頻市場也相應的呈現一定的周期性。根據賽迪顧問的數據顯示，中國基站射頻市場規模有望從 2020 年的不到 50 億元增長到 2023 年的超過 110 億元，整體市場份額增長超過一倍，之后每年的市場份額將逐年下降。?
射頻PA在通信領域的作用及重要性－（四）
5G 具有更大的帶寬 4G 走向 5G 時另一個重大的變化是手機必須支持更大的帶寬，提高帶寬是實現以全新 5G 頻段為目標的更高數據速率的關鍵。LTE 頻段不高于 3GHz，單載波帶寬僅為 20MHz，到了 5G 時代，FR1 的信道 / 單載波帶寬高達 100MHz，FR2 的單
降低CDMA/WCDMA蜂窩電話的射頻功耗
為了滿足IS95/3GPP擴頻標準中規定的嚴格的線性和鄰信道功率抑制比(ACPR)指標，CDMA/WCDMA無線手機需要采用高線性度的A類或AB類RF功率放大器。在最大輸出功率Po = 28dBm下，這類PA的功效(PAE)只有35%，輸出功率較低時功效更低。語音模式下，PA并非工作在連續模式。
射頻導納液位計的概述
導納料位儀工作原理 射頻導納料位儀由傳感器和控制儀表組成，如圖所示。傳感器可采用棒式、同軸或纜式探極安裝于倉頂。 傳感器中的脈沖卡可以把物位變化轉換為脈沖信號送給控制儀表，控制儀表經運算處理后轉換為工程量顯示出來，從而實現了物位的連續測量。由于采用了射頻導納檢測技術，提高了可靠性并使安裝調試
RF無線射頻電路設計中的常見問題及設計原則（二）
3.2.2電氣分區原則 功率傳輸原則。蜂窩電話中大多數電路的直流電流都相當小，因此，布線寬度通常不是問題。不過．必須為高功率放大器的電源單獨設定一條盡可能寬的大電流線，以將傳輸壓降減到最低。為了避免太多電流損耗，需要采用多個通孔來將電流從某一層傳遞到另一層。 高功率器件的電源去耦。如
通用RF器件的載波功率電平、OIP3－指標和單載波/多載波ACL...
通用RF器件的載波功率電平、OIP3 指標和單載波/多載波ACLR之間的關系 ACLR/IMD 模型 ? 為了了解 RF 器件的 ACLR 來源可以對寬帶載波頻譜進行模擬，相當于獨立的 CW 副載波集合。每個副載波都會攜帶一部分總的載波功率。下圖所示就是這樣一個模型，連續 RF
關于射頻導納液位計的概述
射頻導納料位儀由傳感器和控制儀表組成，傳感器可采用棒式、同軸或纜式探極安裝于倉頂。 傳感器中的脈沖卡可以把物位變化轉換為脈沖信號送給控制儀表，控制儀表經運算處理后轉換為工程量顯示出來，從而實現了物位的連續測量。由于采用了射頻導納檢測技術，提高了可靠性并使安裝調試變得非常簡便。
5G毫米波無線電射頻技術概述
業界普遍認為，混合波束賦形（例如圖 1 所示）將是工作在微波和毫米波頻率的 5G 系統的首選架構。這種架構綜合運用數字(MIMO) 和模擬波束賦形來克服高路徑損耗并提高頻譜效率。如圖 1 所示，m 個數據流的組合分割到 n 條 RF 路徑上以形成自由空間中的波束，故天線元件總數為乘
射頻混頻器設計Harmonic－balance－simulation－speeds－RF－mixer－design1
Harmonic balance simulation speeds RF mixer designHarmonic balance simulation speeds RF mixer designStephen Maas, Chief Technical Officer, ?Applied Wa
射頻混頻器設計Harmonic－balance－simulation－speeds－RF－mixer－design2
Figure 3. Performance of a somewhat idealized Marchand balun with Z0o = 25 ohms, Z0e = 180 ohms, and ZL = 60 ohmsThe output terminals are each treat
5G－RF前端對先進封裝技術的依賴超乎想象?
在智能手機電子設計領域，5G RF前端（RFFE）復雜功能的出現對系統設計提出了一系列新挑戰。在智能手機的有限空間內，對多個5G頻率、TDD和FDD的需求，甚至多個毫米波天線模塊的需求，都促使業界尋求解決方案，以解決這種復雜性問題。 ? 5G設計中應用的主要技術不僅專注在最基礎的硅芯片