2019IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分別發表了若干篇論文，其中包括一篇合作的Nanosheet論文。我有機會采訪到與IBM高級邏輯與內存技術總監卜惠明和IBM高級工程師Veeraraghavan Basker，之后又分別采訪了Leti advanced CMOS實驗室負責人Francois Andrieu和工藝整合工程師Shay Reboh。IBMIBM在奧爾巴尼（CNSE）中心擁有一條研發產線，在那里他們開發了5nm技術，現已轉讓給三星，并且正在從事3 ／ 2nm技術節點的研究。盡管器件架構發生了變化，因此需要使用一些獨特的設備，但與5nm相比，設備的復用率很高。當他們開始研發新器件的時候，他們在微縮之前會使用測試結構來評估設備和材料。如果使用上一個節點的結構來開發材料和設備，那么工藝微縮將會成為問題。IBM的第一篇論文是“Multiple－Vt Solutions in Nanosheet Technolog......閱讀全文
2019 IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分別發表了若干篇論文，其中包括一篇合作的Nanosheet論文。我有機會采訪到與IBM高級邏輯與內存技術總監卜惠明和IBM高級工程師Veeraraghavan Basker，之后又分別采訪了Leti advanced CMOS實驗室負責人Francois Andr
2019 IEDM：IBM和Leti（二）
Leti在我的Leti訪談中，我們討論了他們與IBM的合作論文，“ Imaging， Modeling and Engineering of Strainin Gate－All－Around Nanosheet Transistors ”。在這項工作中，他們再次專注于納米片／納米線，他們
IBM全球最大研發中心之一落戶無錫
8月28日，IBM公司全球最大規模的研發中心之一的IBM中國系統與科技(無錫)開發中心順利簽約落戶江蘇無錫。這也是繼2008年全球首個商業云計算中心入駐無錫濱湖后，IBM與無錫的再度“聯姻”。 “此次在無錫設立的研發中心是跨國企業在中國設立的最大規模研發中心。”IBM全球副總裁兼中國
IBM推出新一代模擬大腦芯片
IBM的新型“神經突觸計算機芯片” IBM公司的研究人員8月8日（北京時間）發布了新一代“神經突觸計算機芯片”。這種芯片基于一種被稱為“認知計算系統”的全新架構，能夠模擬人腦認知和活動能力。其尺寸只有一張郵票大小，性能卻直逼超級計算機；70毫瓦的超低功耗更是讓普通芯片望塵莫及。研究人員稱
上海微系統所歐欣被授予“2010 IIT國際會議青年科學家”榮譽
日前，在日本京都舉行的第十八屆國際離子注入技術大會（18th International Conference on Ion Implantation Technology, IIT 2010）上，王曦院士指導、中科院上海微系統與信息技術研究所與德國Rossendorf研
清華大學和IBM啟動“清水計算”網格研究項目
清華大學與IBM公司日前正式啟動了全球網格大同盟“清水計算”研究項目。該項目旨在利用先進的物理水資源過濾處理技術，解決中國大規模城鎮化的發展進程中存在著的諸多水資源污染管理問題。而IBM全球網格大同盟(WCG)項目免費提供的強大計算能力，將有力地支持該項目中污染水處理過程的數字模擬，幫助研究人員
IBM類人腦芯片再獲突破 擅長感覺和圖形識別
據物理學家組織網近日報道，美國空軍研究實驗室與IBM公司合作研發的人工智能超級計算機再度引起關注，這一模擬人腦神經網絡設計的64芯片系統，數據處理能力已經相當于包含6400萬個神經細胞和160億個神經突觸的類腦功能，機器學習性能超過了目前任何其他硬件模型。 這個名叫“TrueNorth（真北）
先進CMOS工藝一覽（一）
2020年6月15日至18日（美國時間，第二天為日本時間）舉行了“ 2020年技術與電路專題討論會（VLSI 2020年專題討論會）”，但實際上所有的講座錄了視頻，并可付費觀看至2020年8月底。如果像過去那樣在酒店場所召開會議，則您只能參加眾多平行會議中的一個會議。但是以視頻點播形式，您可
《2019研究前沿》和《2019研究前沿熱度指數》發布
《2019研究前沿》報告和《2019研究前沿熱度指數》報告26日發布，反映相關學科發展趨勢，并評估世界主要國家在十個大學科領域100個熱點前沿和37個新興前沿的研究活躍程度。 上述兩份報告由中科院科技戰略咨詢研究院、中科院文獻情報中心與科睿唯安聯合向全球發布。 報告顯示，2019年在十大學科
臺積電5nm SRAM技術細節解析（一）
長期以來，技術領先一直是臺積電成功的關鍵。臺積電5nm工藝擁有世界上最小的SRAM單元（0．021平方微米），除開創性的器件工藝，例如高遷移率溝道（HMC），極紫外（EUV）圖形化的應用外（可在此高級節點上實現更高的良率和更短的生產周期），他們還持續精進其寫入輔助（write assist）電路