閃存技術大餐——架構／顆粒／接口／可靠性全面解析架（一）
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架構/顆粒/接口/可靠性全面解析 閃存最明顯特點就是穩定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數據保護等追求所有軟件特性都基于Inline實現，如Inline重刪、壓縮、Thin-Provisioning(尤其是重刪，一方面SSD價格還是偏高，重刪壓縮可以節約投入成本；另一方面也減少了IO下盤次數提高SSD壽命)。但對于閃存，我們所關注的特性和技術指標遠遠不止這些。 閃存架構 閃存的Scale out能力：橫向擴展能力是應對并發訪問和提升性能容量的最基本特性，所以閃存是必須具備的功能。目前XtremIO支持16控，solidfire已經支持但100個控制器節點。 控制器對稱A/A 能力：閃存的主要應用場景如OLTP等，傳統的A/P、ALUA陣列在主控制器......閱讀全文
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片
據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的、功能更強大的無線設備，大幅提高數據傳輸速度——這是改
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片 將計算機運行速度提高一百倍 科技日報北京3月26日電（記者劉霞）據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片
據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。 北京大學現代光學所陳建軍研究員對科技日報記者說，到目前為止，研制
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片應用案例一
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片 根據科技日報消息，據美國《每日科學》網站報道，以色列科學家利用金屬氧化氮氧化硅（MONOS）結構設計出一種新型集成光子回路制備技術。該技術在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將目前標準的8—16千兆
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技術 我們知道閃存磁盤是在HDD以后出現的，由于SSD優異的隨機性能、越來越大的容量和越來越低的成本等優勢，使得閃存熱度上升、乃至替換HDD的趨勢。由于歷史繼承性等原因，SSD在設計是也是借鑒了部分HDD技術，包含接口技術，現在絕大多數SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（一）
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架構/顆粒/接口/可靠性全面解析 閃存最明顯特點就是穩定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數據保護等追求所有軟件特性都基于Inlin
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash顆粒解析 學習過模擬電路的同學都知道，在模電原理里三極管分兩種，一種是雙極性三極管，主要基于載流子用來做電流放大，另一種叫做CMOS場效應三極管，通過電場控制的金屬氧化物半導體。NAND Flash就是基于場效應P/N溝道和漏極、柵極技術通過浮柵Mosfet對柵極充電
IBM相變存儲技術實現每單元存3比特數據 成本接近閃存
據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。 目前的存儲器種類包
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片 將計算機速度...
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片 將計算機速度提高百倍據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的
石墨烯聯手輝鉬礦催生新型閃存
據物理學家組織網近日報道，瑞士洛桑聯邦理工學院的科學家通過將石墨烯和輝鉬礦(分子式為MoS2)兩種具有優越電性能的材料相結合，制成了新型閃存的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相關研究報告發表在近期出版的《美國化學學會?納米》雜志上。 輝