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高溫四探針測試儀可以實現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其他導電薄膜的方塊電阻。 那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢？ 測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四 探針法。 直排四探針法 經典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。 采用雙電測組合四探針的出現，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創造了有利條件。目前雙電測組合（亦稱雙位組合）四探針法有三種模式：模式（1），模式（2），模式（3），高溫四探針測試儀采用模式（2），通過用計算機對三種模式的理論進行比較研究的結果表明......閱讀全文
高溫四探針測試儀采用四探針雙電測量方法，適用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料在高溫、真空及氣氛條件下測量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能。 是為了滿足材料在高溫環境下的阻抗特性測量需求而設計的。它
高溫四探針測試儀可以實現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其他導電薄膜的方塊電阻。 高溫四探針測試儀的測量原理 測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是
高溫四探針測試儀可以實現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其他導電薄膜的方塊電阻。那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢？測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容 -電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是
高溫四探針測試儀的測量原理測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法。經典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差。當被測