WIKI資訊
即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。 以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使V......閱讀全文
即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～1
電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。 按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。 場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。 2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。 3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型M
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效
場效應管（Field Effect Transistor，縮寫FET）是場效應晶體管的簡稱，是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。 它主要有兩種類型：結型場效應管和金屬 -氧化物半導體場效應管，具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍
N溝道的有國產的3D01，4D01，日產的3SK系列。G極（柵極）的確定：利用萬用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓 降均大于2V，即顯示“1”，此腳即為柵極G。再交換表筆測量其余兩腳，壓降小的那次中，黑表筆接的是D極（漏極），紅表筆接的是S極（源極）。 1、電壓檔： 在檢測或制作時，
與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。 （1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）； （2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好； （4）它組成的放大電路的電
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。 3.場效應管可以用作可變電阻。 4.場效應管可以方便地用作恒流源。 5.場效應管可以用作電子開關