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三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足夠的電場牽引，最終導致碰觸極桿或者飛出電場而無法通過質量選擇器。......閱讀全文
三重四級桿也叫做QQQ質譜。 第一個四級桿根據設定的質合比范圍掃描和選擇所需的離子。 第二個四級桿，也稱碰撞池，用于聚集和傳送離子。在選擇離子飛行的途中，引入碰撞氣體氮氣。 第三個四級桿用于分析在碰撞池中產生的碎片離子。 簡單的說：Q1可以篩選母離子mz1;Q2通過碰撞碎裂打碎離子，形成碎
單四級桿與三重四級桿有何不同？三重的可以做MS-MS,如果只從聚焦來講三重其實是個雙四級桿,而單的不能做MSMS.沒有只有雙四級桿的儀器,至少現在還沒有.單四級桿也可以實驗MSMS，可以通過源內CID實現。單四極桿碎片較少，定性信息不如三重四極桿。三重四極桿，實際上起碎片作用的是兩重，中間那個是起碰
物質氣化后以分子狀態進入質譜儀，經過燈絲發射的電子轟擊后，形成各種不同碎片，有的失去氫，有的失去一個基團，有的成為更小的碎片，碎片進入四極桿后，四極桿通過不同電的方向變換。碎片通過四極桿時，由于碎片質量和所帶電核不同，其會隨四極桿電方向變換而改變前進方向，帶電碎片到達終點的時間不同，其方向變換也
三重四級桿也叫做QQQ質譜。第一個四級桿根據設定的質合比范圍掃描和選擇所需的離子。第二個四級桿，也稱碰撞池，用于聚集和傳送離子。在選擇離子飛行的途中，引入碰撞氣體氮氣。第三個四級桿用于分析在碰撞池中產生的碎片離子。簡單的說：Q1可以篩選母離子mz1;Q2通過碰撞碎裂打碎離子，形成碎片離子峰;Q3篩選
單四級桿與三重四級桿有何不同？三重的可以做MS-MS,如果只從聚焦來講三重其實是個雙四級桿,而單的不能做MSMS.沒有只有雙四級桿的儀器,至少現在還沒有.單四級桿也可以實驗MSMS，可以通過源內CID實現。單四極桿碎片較少，定性信息不如三重四極桿。三重四極桿，實際上起碎片作用的是兩重，中間那個是起碰
三重四級桿環境條件 環境要求實驗室溫度為?15～27℃，溫度變化℃／，相對濕度< 80="">，質譜儀在工作時，電路板及分子蝸輪泵會產生大量的熱量，要求室溫不大于27℃。長期處于高溫下運行，會導致電路板損壞及降低泵的使用壽命。儀器需要的氣體有3處，分別是霧化氣，干燥氣和碰撞氣。安捷倫三重四級桿質
三重四級桿的日常維護 機械泵的日常維護 日常使用中，必須每周逆時針擰開機械油泵氣鎮閥，把油氣分離器內多余的泵油放回泵內。 每周定期檢查確認泵油液位在標識的最高和最低刻度之間。若不及時把泵油回流到機械泵內，當泵內油位低于上限時，會損壞機械泵。 建議半年換一次泵油，可從側面觀察泵油的顏色，當渾
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足
三重四級桿質譜原理: 在U的值為500-2000 V，V為0-3000?V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量