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入射電子與樣品相互作用后，使樣品原子較外層電子(價帶或導帶電子)電離產生的電子，稱二次電子。二次電子能量比較低，習慣上把能量小于50 eV電子統稱為二次電子，僅在樣品表面5 nm-10 nm的深度內才能逸出表面，這是二次電子分辨率高的重要原因之一。 當入射電子與樣品相互作用時，入射電子與核外電子發生能量傳遞，一般幾至幾十個電子伏特。如果核外電子所獲得的能量大于其臨界電離能，則該電子可脫離原子成為自由電子，如果這些自由電子離樣品表面很近，而且其能量大于相應的逸出能，則可能從樣品表面逸出而成為二次電子。二次電子像是表面形貌襯度，它是利用對樣品表面形貌變化敏感的物理信號作為調節信號得到的一種像襯度。因為二次電子信號主要來處樣品表層5-10 nm的深度范圍，它的強度與原子序數沒有明確的關系，而對微區表面相對于入射電子束的方向卻十分敏感，二次電子像分辨率比較高，所以適用于顯示形貌襯度。......閱讀全文
入射電子與樣品相互作用后，使樣品原子較外層電子(價帶或導帶電子)電離產生的電子，稱二次電子。二次電子能量比較低，習慣上把能量小于50 eV電子統稱為二次電子，僅在樣品表面5 nm-10 nm的深度內才能逸出表面，這是二次電子分辨率高的重要原因之一。 當入射電子與樣品相互作用時，入射電子與核外電
SEM電鏡吧，這主要是它的成像原理導致的其可以反映樣品表面或者斷面的形貌信息。SEM的工作原理為：從電子槍陰極發出的直徑20(m～30(m的電子束，受到陰陽極之間加速電壓的作用，射向鏡筒，經過聚光鏡及物鏡的會聚作用，縮小成直徑約幾毫微米的電子探針。在物鏡上部的掃描線圈的作用下，電子探針在樣品表面作光
你說的是SEM電鏡吧，這主要是它的成像原理導致的其可以反映樣品表面或者斷面的形貌信息。SEM的工作原理為：從電子槍陰極發出的直徑20(m～30(m的電子束，受到陰陽極之間加速電壓的作用，射向鏡筒，經過聚光鏡及物鏡的會聚作用，縮小成直徑約幾毫微米的電子探針。在物鏡上部的掃描線圈的作用下，電子探針在樣品
1、性質不同：二次電子像是以入射方向逸出樣品的電子。背散射電子像是在掃描電子顯微鏡中，通過電子槍產生的電子，經過加速磁場、偏轉磁場后，照射到待檢測的樣品表面，待檢測樣品會反射一部分的電子。2、特點不同：在掃描電子顯微鏡的工作鏡腔里的背散射電子探頭就會檢測到這些被反射的電子，進而在檢測器上所成的像。二
從書上查了一些內容，書的年代比較久遠，可能買不到...有興趣的話，嘗試著去圖書館借一下吧。 SEM工作時，電子槍發射的入射電子束打在試樣表面上，向內部穿透一定的深度，由于彈性和非彈性散射形成一個呈梨狀的電子作用體積。電子與試樣作用產生的物理信息，均由體積內產生。 二次電子是入射電子在試樣內部
入射電子與樣品相互作用后，使樣品原子較外層電子（價帶或導帶電子）電離產生的電子， 稱二次電子。二次電子能量比較低，習慣上把能量小于 50eV 電子統稱為二次電子。二次電 子能量低，僅在樣品表面 5nm－10nm 的深度內才能逸出表面，這是二次電子分辨率高的重 3 要原因之一。凸凹不平的樣品表
SEM工作時，電子槍發射的入射電子束打在試樣表面上，向內部穿透一定的深度，由于彈性和非彈性散射形成一個呈梨狀的電子作用體積。電子與試樣作用產生的物理信息，均由體積內產生。 二次電子是入射電子在試樣內部穿透和散射過程中，將原子的電子轟擊出原子系統而射出試樣表面的電子，其中大部分屬于價子激發，所以能量
如果在樣品的上方安裝一個環形電子檢測器，用于搜集從樣品出射的能量在0~E。范圍內的電子，可以獲得一條類似圖的曲線，橫坐標為出射電子能量E，縱坐標為電子數量N。曲線最右端E。處是彈性背散射電子峰，僅占一小部分，大部分背散射電子在E。左邊I區域，其能量損失小于40%，對于多數中等和高原子序數的樣品出射
波譜儀是一種用于地球科學、材料科學、考古學領域的分析儀器，于2010年12月29日啟用。 技術指標 分析范圍：原子數(Z): 5-92；定量分析精度:主要元素>2%, 次要元素大于5%；加速電壓0.2-30kv；二次電子成像分辨率1-5um；放大倍數50-300000,；電子束流：10-12
文章闡述了二次電子發射能譜的基本概念,介紹了兩種比較常規的二次電子發射能譜測試方法,以及國內外比較具有代表性的二次電子發射能譜的測試設備。詳細地闡述了當前Vaughan模型和Furman模型并對兩個模型進行了詳細的比較分析,總結了各自的優勢與不足。研究表明二次電子發射能譜在二次電子發射研究領域具有非