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利用稀薄氣體中的高頻放電現象使氣體電離，一般用來產生低電荷態正離子，有時也從中引出負離子，作為負離子源使用。 在高頻電場中，自由電子與氣體中的原子(或分子)碰撞，并使之電離。帶電粒子倍增的結果，形成無極放電，產生大量等離子體。高頻離子源的放電管一般用派勒克斯玻璃或石英管制作。高頻場可由管外螺線管線圈產生，也可由套在管外的環形電極產生。前者稱為電感耦合,后者稱為電容耦合高頻振蕩器頻率為10 ～10 Hz，輸出功率在數百瓦以上。 從高頻離子源中引出離子可有兩種方式。一種是在放電管頂端插入一根鎢絲作為正極，在放電管尾端裝一帶孔負電極，并把該孔做成管形，從中引出離子流。另一種方式是把正極做成帽形，裝在引出電極附近，而放電區則在它的另一側。不管采用哪種引出方式，金屬電極都要用石英或玻璃包起來，以減少離子在金屬表面的復合。 在高頻放電區域中加有恒定磁場時，由于共振現象可提高放電區域中的離子濃度。有時，還在引出區域加非均勻磁場來改善......閱讀全文
利用稀薄氣體中的高頻放電現象使氣體電離，一般用來產生低電荷態正離子，有時也從中引出負離子，作為負離子源使用。 在高頻電場中，自由電子與氣體中的原子(或分子)碰撞，并使之電離。帶電粒子倍增的結果，形成無極放電，產生大量等離子體。高頻離子源的放電管一般用派勒克斯玻璃或石英管制作。高頻場可由管外螺線
在外磁場約束下產生反射放電的離子源，是弧放電離子源的改進。在弧放電離子源中，陽極另一端和陰極對稱的位置上，裝一與陰極等電位的對陰極，使陰極發射的電子流在中空的陽極內反射振蕩，提高了電離效率，改變了放電機制。陰極一般用鎢塊制成，由電子轟擊加熱，稱間熱陰極離子源。反射放電電壓較高時，可在冷陰極狀態下
離子源的作用是接受樣品產生離子，常用的離子化方式有: 電子轟擊離子化(electron impact ionization，EI)EI是最常用的一種離子源，有機分子被一束電子流(能量一般為70eV)轟擊，失去一個外層電子，形成帶正電荷的分子離子(M+)，M+進一步碎裂成各種碎片離子、中性離子或
工頻、高頻、超高頻及微波電磁場測定儀 滿足工業場所物理因素測量標準，適用于工作場所工頻、高頻、超高頻及微波電磁場的測定，低頻（NF）主機內置三維各向同性電磁傳感器和電場傳感器，滿足工頻和高頻電磁場測定，例如用于測量電器、工業設備、感應爐、變壓器、電力系統設備等低頻領域電磁輻射。高頻（HF）主機
高溫夾具 1） 與加熱爐配套使用，用于高溫下圓形螺紋接頭試樣和板材疲勞試樣； 2） 配置M16內螺紋接頭以滿足同樣規格外螺紋試樣的使用； 3） 配置相應夾具以滿足厚度0.5～2mm板材試樣的使用； 4） 高溫試驗時，應保證試驗和設備的安全正常進行，如需要進行夾具連接件的
RJ-2型高頻近區電磁場強儀，是一種專門用于測定中短波范圍近區場的電場和磁場強度的儀器，專門用于測量高頻焊接、高頻熱合機、高頻淬火、射頻醫療設備、調頻廣播、電視發射機等高頻設備的近區場強和環境場強，以便跟據標準確定危害范圍，并采取相應的有效防護措施。可供勞動保護、環境監測、衛生防疫、科研、部隊
1、毛細管、電暈放電針 TQMS離子源探頭中不銹鋼樣品毛細管的位置相對于采樣錐孔來說，通常水平距離為4mm，垂直距離為8mm，毛細管伸出探頭的長度0.5mill。如毛細管或探頭尖出現不可回復的阻塞、有劃痕或遭到損壞時，需及時清洗或更換。 另外，當使用APCI源時如發現電暈放電針看上去被腐蝕、
① 離子摻雜與離子束改性 從20世紀60年代開始，人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制；摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節，用離子
高頻紅外碳硫分析儀是集光、機、電、計算機、分析技術等于一體的高新技術產品，具有測量范圍寬、分析結果準確可靠等特點。 由于采用了計算機技術，儀器的智能化、屏幕顯示的圖、文及數據的采集、處理等都達到了目前國內先進水平，是諸多行業測定碳、硫兩元素理想的分析設備。 主要技術參
高頻感應加熱爐 ⑴．高頻爐輸出功率：2500W；頻率：20MHz ⑵．自動檢漏，過時、過流報警 ⑶．電流/電壓/功率/選擇方式調節爐溫：適合于不同材質的樣品 ⑷．氣路：高精度流量控制器保證氣流穩定及進口氣路系統 ⑸．粉塵過濾器：0.4微米超微孔金屬過濾器，確保粉塵