磁阻元件的阻值變化為什么受溫度影響大
在圖中可看到，在0～t1這區間里電阻R隨溫度升高而減小；在t1～t2這區間里電阻R隨溫度的升高而增大；在t2～t3這區間里電阻R隨溫度的升高而減小．在家庭電路中電壓不變，電熱器的電功率P=U2R，可知電阻器的發熱功率與電阻成反比．在溫度升到t1前，電阻R隨溫度的升高而減小，功率增大，溫度升高更快；溫度一旦超過t1，電阻R隨溫度的升高而增大，功率減小，放出熱量減小，溫度升高變慢，漸漸穩定．故答案為：先變大，后變小：t1～t2．......閱讀全文
磁阻元件的阻值變化為什么受溫度影響大
在圖中可看到，在0～t1這區間里電阻R隨溫度升高而減小；在t1～t2這區間里電阻R隨溫度的升高而增大；在t2～t3這區間里電阻R隨溫度的升高而減小．在家庭電路中電壓不變，電熱器的電功率P=U2R，可知電阻器的發熱功率與電阻成反比．在溫度升到t1前，電阻R隨溫度的升高而減小，功率增大，溫度升高更快；溫
磁阻效應的概念
磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義:是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時,由于受到電磁場的變化產生的洛倫茲力作用,產生了磁阻效應。
常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)對所有非磁性金屬而言，由于在磁場中受到洛倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。磁阻效應最初于1856年由威廉·湯姆森，即后來的開爾文爵士發
磁阻效應的應用
磁阻效應廣泛用于磁傳感、磁力計、電子羅盤、位置和角度傳感器、車輛探測、GPS導航、儀器儀表、磁存儲(磁卡、硬盤)等領域。磁阻器件由于靈敏度高、抗干擾能力強等優點在工業、交通、儀器儀表、醫療器械、探礦等領域得到廣泛應用，如數字式羅盤、交通車輛檢測、導航系統、偽鈔檢別、位置測量等。其中最典型的銻化銦（I
磁阻效應的分類
若外加磁場與外加電場垂直，稱為橫向磁阻效應；若外加磁場與外加電場平行，稱為縱向磁阻效應。一般情況下，載流子的有效質量的馳豫時時間與方向無關，則縱向磁感強度不引起載流子偏移，因而無縱向磁阻效應。磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等常磁阻(OrdinaryMagnetor
什么叫做磁阻效應
1、磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義：是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時，由于受到電磁場的變化產生的洛倫茲力作用，產生了磁阻效應。2、霍耳傳感器它將霍耳元件固定于彈性敏感元件上，在壓力的作用下霍耳元件隨彈性敏
巨磁阻的概念
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應，它產生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的
超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效應（也稱龐磁阻效應）存在于具有鈣鈦礦(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(GMR)不同，而且往往大上許多，所以被稱為“超巨磁阻”。 如同
磁阻效應的主要種類
磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等。
磁阻效應的發展經歷
材料的電阻會因為外加磁場而增加或減少，則稱電阻的變化稱為磁阻（MR）。磁阻效應是1857年由英國物理學家威廉·湯姆森發現的，它在金屬里可以忽略，在半導體中則可能由小到中等。從一般磁阻開始，磁阻發展經歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直沖磁阻（BMR）和異常磁阻（EMR）。
異向磁阻的概念
異向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的變化，與磁場和電流間夾角有關，稱為異向性磁阻效應。此原因是與材料中s軌域電子與d軌域電子散射的各向異性有關。由于異向磁阻的特性，可用來精確測量磁場。
磁阻效應的實驗原理
一定條件下，導電材料的電阻值R隨磁感應強度B的變化規律稱為磁阻效應。如圖1所示，當半導體處于磁場中時，導體或半導體的載流子將受洛侖茲力的作用，發生偏轉，在兩端產生積聚電荷并產生霍耳電場。如果霍耳電場作用和某一速度載流子的洛侖茲力作用剛好抵消，那么小于或大于該速度的載流子將發生偏轉，因而沿外加電場方向
穿隧磁阻效應的概念
穿隧磁阻效應(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效應是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1納米)-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。此效應首先于1975年由MichelJulliere在鐵磁材料(Fe)與絕緣體材料(Ge)發現；室溫穿隧磁阻效應則于19
石墨烯呈現創紀錄高磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498393.shtm 科技日報北京4月12日電 （記者張佳欣）據最新一期《自然》雜志上發表的論文，英國曼徹斯特大學研究人員報告了在環境條件下石墨烯中出現的創紀錄的高磁阻。 在磁場下能強烈改變電阻率
應答元件
中文名應答元件外文名response element定????義調控基因專一性表達的DNA序列，應答元件(response element)是位于基因上游能被轉錄因子識別和結合，從而調控基因專一性表達的DNA序列。特????點不同基因中應答元件拷貝數相近
有源元件和無源元件的區別
簡單地講就是需能（電）源的器件叫有源器件，無需能（電）源的器件就是無源器件。有源器件一般用來信號放大、變換等，無源器件用來進行信號傳輸，或者通過方向性進行“信號放大”。容、阻、感都是無源器件，IC、模塊等都是有源器件。（通俗的說就是需要電源才能顯示其特性的就是有源元件，如三極管。而不用電源就能顯示其
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（二）
5、抗干擾性——很多領域里傳感器的使用環境沒有任何評比，就要求傳感器本身具有很好的抗干擾性。包括電子羅盤、金融磁頭等。（1）電子羅盤：大多數電路板產生的雜散磁場為地磁場的50倍以上；（2）金融磁頭：內部的各種電機產生的磁場的強度為磁性油墨磁場的50倍以上；（3）POS機磁頭：手機信號的磁場為磁頭磁場
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（三）
五、TMR磁傳感器產品在各個領域中的實際應用TMR磁傳感器產品的應用非常廣泛，包括工業控制、金融器具、生物醫療、消費電子、汽車領域等，其典型特征是低功耗、小尺寸、高靈敏度。1、在流量計領域中，智能水表、智能熱量表一般都采用電池供電，因此對傳感器的功耗要求非常苛刻。當前水表方案采用干簧管、低功耗霍爾器
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（一）
一、概述1、磁阻概念：材料的電阻會因外加磁場而增加或減少，電阻的變化量稱為磁阻（Magnetoresistance）。物質在磁場中電阻率發生變化的現象稱為磁阻效應。同霍爾效應一樣，磁阻效應也是由于載流子在磁場中受到洛倫茲力而產生的。從一般磁阻開始，磁阻發展經歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、異
光學元件清潔
在購買光學元件后，行之有效的保養可保持其質量并延長其使用的壽命。選擇合適的清潔產品和使用適當的方法與清潔元件本身同樣重要。不當的清潔方法可 能會損壞如光學透鏡，反射鏡，過濾器或光柵等使用的光學產品拋光的表面或專業膜，降低幾乎任何應用的性能。另外，在清潔光學產品時，請注意您的衣服和您的 環
激素應答元件
中文名稱激素應答元件英文名稱hormone response element定 義基因的啟動子或增強子中能與細胞核內的激素受體相結合的DNA序列。應用學科遺傳學（一級學科），分子遺傳學（二級學科）
血清應答元件
中文名稱血清應答元件英文名稱serum response element;SRE定 義血清及生長因子誘導基因表達時，基因啟動子中的一段DNA序列。應用學科遺傳學（一級學科），分子遺傳學（二級學科）
衍射光學元件（DOE元件）在醫療美容中的應用
介紹?隨著激光技術的使用成為醫學和美容治療領域中更不可或缺的工具，在基于激光的醫療設備中操縱光束輸出的能力變得越來越重要。衍射光學元件（DOE）通過允許以多種方式操縱光束，提供了獨特的解決方案，同時重量輕，薄而緊湊。?皮膚修復?皮膚重鋪包括廣泛的治療方法，旨在使皮膚外觀免受許多因素造成的瑕疵的影響，
感光元件的應用
圖像傳感器，或稱感光元件，是一種將光學圖像轉換成電子信號的設備，它被廣泛地應用在數碼相機和其他電子光學設備中。早期的圖像傳感器采用模擬信號，如攝像管（video camera tube）。隨著數碼技術、半導體制造技術以及網絡的迅速發展，市場和業界都面臨著跨越各平臺的視訊、影音、通訊大整合時代的到
敏感元件相關介紹
敏感元件指能夠靈敏地感受被測變量并做出響應的元件。是傳感器中能直接感受被測量的部分。 技術工藝，是衡量一個企業是否具有先進性，是否具備市場競爭力，是否能不斷領先于競爭者的重要指標依據。隨著我國生物敏感元件市場的發展，與之相關的核心生產技術應用與研發必將成為業內企業關注的焦點。了解國內外生物敏
敏感元件的簡介
敏感元件指能夠靈敏地感受被測變量并做出響應的元件引。是傳感器中能直接感受被測量的部分。 它是傳感器的重要組成部分,下一環節是轉化元件。 能敏銳地感受某種物理、化學、生物的信息并將其轉變為電信息的特種電子元件。 有些傳感器,它的敏感元件與轉化元件合并在一起.例如,半導體氣體,濕度傳感器等.
Ty元件的定義
中文名稱Ty元件英文名稱Ty element定 ?義一種酵母轉座子組分,是酵母基因組內長約6.3 kb且兩端各有一段約340 bp同向重復序列的一組散在的DNA片段,約有35個拷貝。應用學科生物化學與分子生物學(一級學科),基因表達與調控(二級學科)
偏振元件原理特點
中文名稱偏振元件英文名稱polarizer定 義從自然光中獲得面偏振光的元件。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），顯微鏡-顯微鏡一般名詞（三級學科）
轉座元件的定義
中文名稱轉座元件英文名稱transposable element定 義生物體內非游離的、能自復制或自剪切拷貝的、并能以相同或不相同拷貝在該生物體基因組內不斷移動位置的功能性DNA片段。應用學科生物化學與分子生物學（一級學科），基因表達與調控（二級學科）
識別元件的定義
中文名稱識別元件英文名稱recognition element定 義(1)DNA分子上能與其他分子結合的區域。如在細菌啟動子上有RNA聚合酶α亞基結合的部位。(2)生物傳感器上的一部分，可用其進行定量和半定量分析。(3)在轉移核糖核酸(tRNA)中促進tRNA經相關氨酰tRNA合成酶催化而進行氨酰