臺積電擴廠典禮引發民眾焦慮，美國高興壞了
12月26日消息，近期臺積電宣布擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發“去臺化”疑慮。據中國臺灣媒體報道，臺積電將于12月29日舉行3nm量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。 根據臺積電發出活動通知顯示，預計將于12月29日在臺南科學園區的晶圓18廠新建工程基地，舉行3nm量產暨擴廠典禮，屆時將有上梁儀式。值得注意的是，在今年的6月30日，三星電子搶先宣布了3nm GAA技術的量產，并于7月25日舉行了3nm GAA制程芯片的出廠儀式。顯然，從時間上來看，臺積電3nm量產時間比三星晚了近半年。 臺積電總裁魏哲家于今年臺積電臺灣技術論壇中說，3nm技術發展很困難，有好多客戶踴躍合作，臺積電3nm沿用鰭式場效晶體管（FinFET）架構，是經過考慮良久，制程技術推出不是好看、要實用，要協助客戶讓產品持續推進。 相較于5nm，臺積電3納米制程技術的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%......閱讀全文
臺積電優勢不再！－全球首個2nm芯片制造技術發布
藍色巨人終于開始發力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工藝上取得重大突破，聲稱已打造出全球首個2nm芯片制造技術，為半導體研發再創新的里程碑。 IBM在新聞稿中稱，在運行速度方面，與當前許多筆記本電腦和手機中使用的主流7nm芯片相比，IBM的這顆2nm芯片計算速度要快45%，
臺積電早期－5nm－測試芯片良率－80％－HVM－（二）
通常情況下，芯片制造商會首先咋移動處理器上小試牛刀，以分攤新工藝的高昂成本嗎，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面積接近 110 平方毫米）。盡管?AMD?Zen 2 芯片看起來很大，但并非所有組件都采用 EUV 工藝生產。不過展望未來，它也更適合遷移至 5nm EUV
臺積電早期－5nm－測試芯片良率－80％－HVM－（一）
在今天的 IEEE 國際電子器件大會（IEDM 2019）上，臺積電概述了其在 5nm 工藝上取得的初步成果。目前，該公司正在向客戶提供基于 N7 和 N7P 工藝的產品。但在向 5nm 進發的時候，兩者賈昂共享一些設計規則。據悉，與 7nm 衍生工藝相比，N5 新工藝將增加完整的節點，并在
臺積電TSMC公司LED照明研發中心完工
隨著旗下LED照明研發中心的即將完工，臺系半導體制造商臺積電TSMC已經將公司之后的發展目標鎖定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED廠商分別是：飛利浦(Royal Philips Electronics)、歐司朗(Osram)、美國Cree、日亞化學(Nichia)及豐田合成( Toyo
臺積電STTMRAM技術細節（二）
圖6．Rap和Rp的電阻分布間距在計入寄生電阻時變小為了感測MTJ的電阻，必須在讀取期間將其兩端的電壓通過晶體管N1和N2鉗位到一個低值，以避免讀取干擾，并對其進行微調以消除感測放大器和參考電流偏移。參考電阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如圖7所示。圖7．具有微調能力
臺積電STTMRAM技術細節（三）
MRAM寫入操作低阻態Rp和高阻態Rap的MRAM寫入操作需要如圖9所示的雙向寫入操作。要將Rap狀態寫到Rp需要將BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以寫入0狀態。要寫入1狀態，將Rap變成Rp需要反方向的電流，其中BL為0，SL為VPP，WL為VREG＿W1。圖9．平行低電阻狀態Rp
臺積電在日本建立海外最大設計中心
12月1日，據日經中文網報道，臺積電今天正式在大阪市開設支援半導體設計的“設計中心”，這是繼神奈川縣橫濱市之后的日本國內第二處設計中心，預計將成為該公司海外最大的一個設計中心。臺積電事實上，臺積電2020年就在日本橫濱市開設了設計中心基地，而且還在廣招人才。據悉，包括2023年4月入職的人員在內，該
臺積電STTMRAM技術細節（四）
圖15． 在－40度時，1M循環后寫入誤碼率小于1 ppm。圖16． 熱穩定性勢壘Eb控制著數據保持能力的溫度敏感度，在150℃（1ppm）下數據保留超過10年。在基于自旋的STT－MRAM的許多應用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積0．3mm厚的磁屏蔽層，如圖16所示，實驗表明
臺積電STTMRAM技術細節（一）
在ISSCC 2020上臺積電呈現了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環的寫入耐久性，在150度下10年以上的數據保持能力和高抗磁場干擾能力。ULL 22nm STT－MRAM的動機與閃存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
臺積電擴廠典禮引發民眾焦慮，美國高興壞了
12月26日消息，近期臺積電宣布擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發“去臺化”疑慮。據中國臺灣媒體報道，臺積電將于12月29日舉行3nm量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。 根據臺積電發出活動通知顯示，預計將于12月29日在臺南科學園區的晶圓18廠新建工程基地
臺積電建廠美國，納米級芯片緣盡中國？
臺積電位于美國亞利桑那州的新工廠已經基本完成建設，并且即將擴建二期，將會有更大的廠房面積，這也意味著臺積電已經將4nm和5nm的生產線正式帶到美國，而蘋果方面也有動作，CEO庫克在公開場合表態，將會從臺積電亞利桑那工廠直采芯片，今后多個大廠將會從美國直采4nm和5nm芯片！臺積電亞利桑那工廠一期將于
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（三）
圖8顯示了具有不同位線配置的NBL耦合電平，表明可配置金屬電容器C1可以隨位線長度調節，從而可以減輕具有不同位線長度的耦合NBL電平的變化。圖8．具有不同位線配置的NBL耦合電平。寫入輔助的第二種方法是降低單元VDD（LCV）。LCV的常規技術需要強偏置或有源分壓器才能在寫操作期間調整列式存儲單元的
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（四）
在寫操作中，LCV使能信號（LCVEN）變為高電平，它關閉下拉NMOS（N1），以將電荷共享電容器C1與地斷開。COL ［n：0］選擇一列以關閉P0，并將陣列虛擬電源軌CVDD ［0］與真實電源VDDAI斷開。由于金屬線電容隨存儲單元陣列的縮小而縮小，因此它也有利于SRAM編譯器設計，并在變
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（一）
長期以來，技術領先一直是臺積電成功的關鍵。臺積電5nm工藝擁有世界上最小的SRAM單元（0．021平方微米），除開創性的器件工藝，例如高遷移率溝道（HMC），極紫外（EUV）圖形化的應用外（可在此高級節點上實現更高的良率和更短的生產周期），他們還持續精進其寫入輔助（write assist）電路
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（五）
高遷移率通道通過約18％的驅動電流增益提高了5nm工藝的性能，如圖12所示。該技術已在IEDM 2019上進行了詳細描述。圖12．高遷移率溝道（HMC）性能提升約18％。這種性能提升的例子是用于L1高速緩存應用的高速SRAM陣列在0．85V電壓下達到了4．1GHz，如圖13 的shmoo圖所示。圖1
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（二）
為了降低功耗，一種關鍵方法是降低SRAM陣列的最小工作電壓Vmin。5nm工藝中增加的隨機閾值電壓變化限制了Vmin，進而限制了功耗的降低。SRAM電壓減小趨勢如圖4所示，其中藍線表示沒有寫輔助的Vmin，紅線表示有寫輔助的Vmin，顯示了每一代寫輔助的巨大好處。可以看出，從7nm到5nm的Vmin
半導體行業再動蕩：臺積電被控16項ZL侵權
半導體代工廠格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美國和德國提出多起訴訟，指控臺積電（TSMC）使用的半導體技術侵犯了 16 項 GF 的ZL，并希望美國貿易主管部門發布進口禁令，以停止臺積電“侵權”生產的產品進口，并尋求獲得“實質性”損害賠償。臺積電否認侵權，并稱將積極
帶上寵物、孩子包機赴美－臺積電將在美設3納米晶圓廠？
臺積電創辦人張忠謀21日早些時候透露，臺積電將在美國亞利桑那州設立3納米先進制程的晶圓廠。消息引發外界關注。臺積電當晚對此低調回應稱，目前尚無進一步消息。對于臺積電可能進一步出走美國，中國國民黨前民代蔡正元痛批，民進黨當局樂于把臺積電變成“美積電”。 據環球網報道報道，其實先前已有外媒報道稱臺
英特爾CEO證實將把兩款處理器最關鍵CPU芯片塊首度交給臺積電生產
英特爾CEO帕特·基辛格證實，英特爾將把兩款處理器最關鍵的CPU芯片塊首度交給臺積電生產。據悉，相關訂單將采用臺積電3納米生產，為雙方未來在2納米制程的合作埋下伏筆。
臺積電都得排隊搶購，什么企業訂單一直到2023年？
由于半導體芯片產能緊缺，作為全球第一大晶圓代工廠的臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道，這兩年芯片產能緊缺，但是比芯片產能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購
臺積電2024年4月起將在日本興建第二座工廠
IT之家 7 月 11 日消息，臺積電已在日本熊本設廠，預計 2024 年量產。董事長劉德音則表示，目前正評估設第二座廠，建廠地點還會在熊本，仍以成熟制程為主 日刊工業新聞稱，臺積電計劃明年 4 月起在日本熊本縣興建第二家工廠，并希望在 2026 年底前投產。 據介紹，第二工廠將主要生產 1
若美國禁令不變，臺積電9月14日起斷供華為
7月16日，在臺積電二季度業績說明會上，該公司透露，未計劃在9月14日之后為華為繼續供貨。而美國政府5月15日宣布的對華為限制新規將于9月15日生效。 截至發稿，華為方面尚未對此作出回應。 4天前（7月13日），臺媒鉅亨網曾報道，臺積電已向美國政府遞交意見書，希望能在華為禁令120天寬限期滿
把芯片“命根”拿捏的死死的，臺積電新突破意外助力大陸
目前，臺積電作為全球芯片代工業的領頭羊，為增強自身的核心競爭力，一直在未雨綢繆，近期更是在1納米芯片生產線上實現破冰。不過，有趣的是，臺積電這一新的突破，卻無形中提升了我國半導體產業的地位，因為它的“命根”很大程度上為大陸掌控。 眾所周知，前幾年美國向我們中國扔出禁止紙片芯片的禁令，臺積電突然
消息稱索尼將與臺積電打造半導體工廠：日本補貼一半
據位不具名的知情人士，臺積電和索尼計劃在日本西部熊本縣投資興建一座價值8000億日元（約合71.4億美元）的半導體工廠。 消息人士們透露，工廠將位于索尼所有的土地上，與索尼的圖像傳感器工廠毗鄰。索尼可能持有負責管理該工廠的一家新公司的少數股權，工廠計劃于2023或2024年投入運營，將生產用于
機構：至去年，臺積電已在12英寸晶圓廠花費約1350億美元
集微網消息，近日，半導體成本和價格建模領域數據分析機構IC Knowledge對臺積電的支出和成本做了分析。多年來，該機構發布跟蹤全球所有 12英寸晶圓廠的數據庫。他們檢查戰略成本和價格模型的建模結果，其中一種方法是將臺積電12英寸晶圓廠的建模支出與其報告的支出進行比較。下圖顯示了臺積電（TSMC）
投資26億美元！中國臺灣半導體巨頭力積電、SBI共建芯片工廠
晶圓代工廠力積電（PSMC）與日本SBI控股株式會社已決定在日本宮城縣設廠的方案，計劃2024年開始建廠，目標2026年開始運營，生產55nm至28nm的運算處理芯片，為包括汽車在內的各行業使用的芯片提供更穩定的供應，月產能目標為10000片直徑12英寸晶圓。 力積電與SBI控股株式會社7月宣
臺積電－2nm－制程報價直逼－2.5－萬美元，新品價格持續走高
IT之家 6 月 27 日消息，據臺媒《電子時報》援引 IC（集成電路，即芯片行業 / 半導體行業）從業者報道表示，當前臺積電 2nm 制程業務已經與廠商展開合作洽談，盡管半導體產業目前處于逆風，臺積電仍然維持強勢狀態。 業內人士稱，在 3nm 制程報價維持 2 萬美元上下的同時，將于 20
臺積電劉德音：預計AI需求比一年前樂觀
臺積電今日召開股東會，董事長劉德音指出，預計AI需求比一年前樂觀。針對是否AI開發應用的問題，劉德音稱，不打算改變臺積電的商業模式和客戶競爭，不打算投入AI服務。?
芯片等電聚焦分離
芯片等電聚焦分離蛋白質的原理與常規毛細管等電聚焦基本相同，都是依據蛋白質的等電點(pI)不同而進行分離。Hofmann等首次將毛細管等應用于蛋白質分析。Li等在PDMS芯片和聚碳酸酯(PC)芯片上，采用等電聚焦模式分離廠牛血清白蛋白和增強型綠色熒光蛋白(EGFP)。Das等。26 3采用高聚物芯片，
臺積電－2700－億在美設廠遭質疑：“一場毫無道理的投資”
作為世界上最大的先進計算機芯片制造商，臺積電正在升級和擴建位于美國亞利桑那州的一家新工廠，該工廠有望幫助美國走向更加獨立自主的技術未來。臺積電在美國建廠然而，對于臺積電內部的一些人來說，這個規模達到 400 億美元 (約合 2758 億元人民幣) 的投資項目卻是另外一回事：一個糟糕的商業決策。根據外
