俄歇電子像的功能介紹
中文名稱俄歇電子像英文名稱Auger electron image定 義在掃描電子顯微鏡中，用俄歇電子所成的像。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞（三級學科）......閱讀全文
俄歇電子能譜儀的應用
近年來,俄歇電子能譜儀( AES) 在材料表面化學成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微區分析方面嶄露頭角。AES 的優點是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范圍內, 靈敏度高、分析速度快,能探測周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇電子能譜儀主要用于研究工作 ,現已成為一種常規
俄歇電子能譜分析的原理
俄歇電子能譜分析是通過檢測試樣表面受電子或X射線激發后射出的俄歇電子的能量分布來進行表面分析的方法，寫作AES。是電子能譜分析技術之一。其原理是：用具有一定能量的電子束或X射線激發試樣，使表面原子內層能級產生空穴，原子外層電子向內層躍遷過程中釋放的能量又使該原子核外的另一電子受激成為自由電子，該電子
俄歇電子能譜分析的特點
1）分析層薄，0～3nm。AES的采樣深度為1～2nm，比XPS（對無機物約2nm，對高聚物≤10nm）還要淺，更適合于表面元素定性和定量分析。（2）分析元素廣，除H和He外的所有元素，對輕元素敏感。（3）分析區域小，≤50nm區域內成分變化的分析。由于電子束束斑非常小，AES具有很高的空間分辨率，
俄歇效應的相關介紹
俄歇效應是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子（俄歇電子）被發射出來而非輻射X射線（不能用光電效應解釋），使原子、分子成為高階離子的物理現象，是伴隨一個電子能量降低的同時，另一個（或多個）電子能量增高的躍遷過程。以法國人Pierre Victor Auger的名字命名。 當X射線或γ射線輻射
俄歇電子能譜儀AES（PHI-700Xi）掃描俄歇納米探針
PHI的700Xi掃描俄歇電子能譜儀(AES) 提供高性能的掃描俄歇電子(AES) 頻譜分析，俄歇成像和濺射深度分析的復合材料包括：納米材料，催化劑，金屬和電子設備。維持基于PHI?CMA的核心俄歇儀器性能，和響應了用戶所要求以提高二次電子（SE）成像性能和高能量分辨率光譜。PHI的同軸鏡分析儀（C
俄歇電子能譜儀樣品的尺寸的相關介紹
俄歇電子能譜儀對分析樣品有特定的要求,在通常情況下只能分析固體導電樣品。經過特殊處理,絕緣體固體也可以進行分析。粉體樣品原則上不能進行俄歇電子能譜分析,但經特殊制樣處理也可以進行分析。由于涉及到樣品在真空中的傳遞和放置,所以待分析樣品一般都需要經過一定的預處理。 樣品的尺寸 在實驗過程中,樣
透射電子像的功能介紹
中文名稱透射電子像英文名稱transmitted electron image定 義在電子顯微鏡中，用透過樣品的電子所成的像。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞（三級學科）
透射電子像的功能介紹
中文名稱透射電子像英文名稱transmitted electron image定 義在電子顯微鏡中，用透過樣品的電子所成的像。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），電子光學儀器-電子光學儀器一般名詞（三級學科）
通過俄歇電子譜研究化學組態
（1）原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時，與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況如：原子發生電荷轉移(如價態變化)引起內層能級變化，從而改變俄歇躍遷能量，導致俄歇峰位移；（2）原子“化學環境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移(稱化學位移)，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的
XPS圖譜之俄歇電子譜線
電子電離后，芯能級出現空位，弛豫過程中若使另一電子激發成為自由電子，該電子即為俄歇電子。俄歇電子譜線總是伴隨著XPS，但具有比XPS更寬更復雜的結構，多以譜線群的方式出現。特征：其動能與入射光ｈν無關。
俄歇電子能譜成分深度分析
AES的深度分析功能是AES最有用的分析功能，主要分析元素及含量隨樣品表面深度的變化。鍍銅鋼深度分析曲線采用能量為500eV～5keV的惰性氣體氬離子濺射逐層剝離樣品，并用俄歇電子能譜儀對樣品原位進行分析，測量俄歇電子信號強度I （元素含量）隨濺射時間t（濺射深度）的關系曲線,這樣就可以獲得元素在樣
俄歇電子能譜儀的工作原理
當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多余的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等于EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1
俄歇電子能譜儀的測試結果
俄歇電子能譜俄歇電子數目N(E)隨其能量E的分布曲線稱為俄歇電子能譜。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。俄歇電子峰有很高的背底，有的峰還不明顯，不易探測和分辯。為此通常采用電子能量分布的一次微分譜，即N’(E)=dN(E)/dE來顯示俄歇電子峰。這時俄歇電子峰形
俄歇電子能譜儀的特點簡介
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的 俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。 ②俄歇電子
俄歇電子能譜的微區分析
微區分析也是俄歇電子能譜分析的一個重要功能，可以分為選點分析，線掃描分析和面掃描分析三個方面。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法，也是納米材料研究的主要手段。（1）選點分析俄歇電子能譜選點分析的空間分別率可以達到束斑面積大小。因此，利用俄歇電子能譜可以在很微小的區域內進行選點分析。
關于俄歇電子能譜儀離子槍的相關介紹
它由離子源和束聚焦透鏡等部分組成，有如下功能：①清潔試樣表面 用于分析的樣品要求十分清潔，在分析前常用 濺射離子槍對樣品進行表面清洗，以除去附著在樣品表面的污物；②逐層刻蝕試樣表面，進行試樣組成的深度剖面分析。一般采用差分式氬離子槍，即利用差壓抽氣使離子槍中氣體壓強比分析室高103倍左右。這樣當
俄歇躍遷
對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層
俄歇復合
俄歇復合是半導體中一個類似的俄歇現象：一個電子和空穴（電子空穴對）可以復合并通過在能帶內發射電子來釋放能量，從而增加能帶的能量。其逆效應稱作碰撞電離。
關于俄歇效應的作用介紹
俄歇效應作用是研究核子過程（如捕捉過程與內轉換過程）的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度，可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之，由已知能量的俄歇 光譜線，可以校準轉換電子的能量。按照這一效應，已制成俄歇電子譜儀，在表面物理、 化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。
實驗室光學儀器--俄歇電子能譜儀的結構和功能介紹
俄歇能譜儀包括電子光學系統、電子能量分析器、樣品安放系統、離子槍、超高真空系統。以下只介紹核心的電子光學系統和電子能量分析器。電子光學系統電子光學系統主要由電子激發源(熱陰極電子槍)、電子束聚焦(電磁透鏡)和偏轉系統(偏轉線圈)組成。電子光學系統的主要指標是入射電子束能量,束流強度和束直徑三個指標。
俄歇電子能譜儀的電子能量分析器相關介紹
這是AES的心臟，其作用是收集并分開不同的動能的電子。 由于俄歇電子能量極低，必須采用特殊的裝置才能達到儀器所需的靈敏度。目前幾乎所有的俄歇譜儀都使用一種叫作筒鏡分析器的裝置。 分析器的主體是兩個同心的圓筒。樣品和內筒同時接地，在外筒上施加一個負的偏轉電壓，內筒上開有圓環狀的電子入口和出口，激
俄歇電子能譜定量分析
大多數元素在50~1000eV能量范圍內都有產額較高的俄歇電子，它們的有效激發體積（空間分辨率）取決于入射電子束的束斑直徑和俄歇電子的發射深度。 能夠保持特征能量（沒有能量損失）而逸出表面的俄歇電子，發射深度僅限于表面以下大約2nm以內，約相當于表面幾個原子層，且發射（逸出）深度與俄歇電子的能量以
俄歇電子能譜基本原理
俄歇電子能譜儀的基本原理是,在高能電子束與固體樣品相互作用時,原子內殼層電子因電離激發而留下一個空位,較外層電子會向這一能級躍遷,原子在釋放能量過程中,可以發射一個具有特征能量的 X 射線光子,也可以將這部分能量傳遞給另一個外層電子,引起進一步電離 ,從而發射一個具有特征能量的俄歇電子。檢測俄歇電子
俄歇電子能譜基本物理原理
入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以
背散射電子像的功能介紹
背散射電子像是在掃描電子顯微鏡中，通過電子槍產生的電子，經過加速電場、偏轉磁場后，照射到待檢測的樣品表面，待檢測樣品會反射一部分的電子，在掃描電子顯微鏡的工作鏡腔里的背散射電子探頭就會檢測到這些被反射的電子，進而在檢測器上所成的像。
俄歇電子能譜儀粉末樣品的處理
粉體樣品有兩種常用的制樣方法。一是用導電膠帶直接把粉體固定在樣品臺上,一是把粉體樣品壓成薄片,然后再固定在樣品臺上。前者的優點是制樣方便,樣品用量少,預抽到高真空的時間較短；缺點是膠帶的成分可能會干擾樣品的分析,此外荷電效應也會影響到俄歇電子譜的采集。后者的優點是可以在真空中對樣品進行處理,如加
俄歇電子能譜儀的技術發展
新一代的俄歇電子能譜儀多采用場發射電子槍,其優點是空間分辨率高,束流密度大,缺點是價格貴,維護復雜 ,對真空要求高。除 H 和 He 外,所有原子受激發后都可產生俄歇電子,通過俄歇電子能譜不但能測量樣品表面的元素組分和化學態,而且分析元素范圍寬,表面靈敏度高。顯微AES是 AES 很有特色的分析功能
俄歇電子能譜儀的應用領域
通過正確測定和解釋AES的特征能量、強度、峰位移、譜線形狀和寬度等信息，能直接或間接地獲得固體表面的組成、濃度、化學狀態等多種情報。定性分析定性分析主要是利用俄歇電子的特征能量值來確定固體表面的元素組成。能量的確定在積分譜中是指扣除背底后譜峰的最大值，在微分譜中通常規定負峰對應的能量值。習慣上用微分
俄歇電子能譜的基本原理
入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以
俄歇電子能譜的基本原理
入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以