俄歇電子能譜分析的原理
俄歇電子能譜分析是通過檢測試樣表面受電子或X射線激發后射出的俄歇電子的能量分布來進行表面分析的方法，寫作AES。是電子能譜分析技術之一。其原理是：用具有一定能量的電子束或X射線激發試樣，使表面原子內層能級產生空穴，原子外層電子向內層躍遷過程中釋放的能量又使該原子核外的另一電子受激成為自由電子，該電子稱為俄歇電子，其能量與激發源能量無關并帶有特征性。用能量分析器(常用靜電型）檢測這些電子的能量分布，得到以其動能為橫坐標，電子計數率（或一階導數）為縱坐標的俄歇電子能譜圖。它可以檢測除氫和氦以外的所有元素，更適于輕元素的定性定量分析；根據譜峰位置與峰形可推測表面原子的種類和化學狀態；探測深度小于2nm。若入射電子束沿試樣表面掃描可進行二維表面元素分析；結合離子濺射剝蝕，可研究試樣沿深度方向的成分變化，獲得三維的元素分布信息。 ......閱讀全文
俄歇電子能譜分析的用途
元素的定性和半定量分析（相對精度30%）；元素的深度分布分析（Ar離子束進行樣品表面剝離）；元素的化學價態分析；界面分析
俄歇電子能譜分析的特點
橫向分辨率取決于入射束斑大小；俄歇電子來自淺層表面(電子平均自由程決定)，其信息深度為1.0-3.0nm；檢測極限可達10-3單原子層（可以有效的用來研究固體表面的化學吸附和化學反應）；并且其能譜的能量位置固定，容易分析；適用于輕元素的分析
俄歇電子能譜分析的原理
俄歇電子能譜分析是通過檢測試樣表面受電子或X射線激發后射出的俄歇電子的能量分布來進行表面分析的方法，寫作AES。是電子能譜分析技術之一。其原理是：用具有一定能量的電子束或X射線激發試樣，使表面原子內層能級產生空穴，原子外層電子向內層躍遷過程中釋放的能量又使該原子核外的另一電子受激成為自由電子，該電子
俄歇電子能譜分析的依據
俄歇電子的激發方式雖然有多種（如X射線、電子束等），但通常主要采用一次電子激發。因為電子便于產生高束流，容易聚焦和偏轉。分析依據：俄歇電子的能量具有特征值，其能量特征主要由原子的種類確定，只依賴于原子的能級結構和俄歇電子發射前它所處的能級位置, 和入射電子的能量無關。測試俄歇電子的能量，可以進行定性
俄歇電子能譜分析的特點
1）分析層薄，0～3nm。AES的采樣深度為1～2nm，比XPS（對無機物約2nm，對高聚物≤10nm）還要淺，更適合于表面元素定性和定量分析。（2）分析元素廣，除H和He外的所有元素，對輕元素敏感。（3）分析區域小，≤50nm區域內成分變化的分析。由于電子束束斑非常小，AES具有很高的空間分辨率，
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜簡稱AES，是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用
俄歇電子能譜分析被測樣品要求
導體或半導體材料，表面清潔
俄歇電子能譜分析的基本原理
俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程：一定能量的電子束轟擊固體樣品表面，將樣品內原子的內層電子擊出，使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位，同時以兩種方式釋放能量：發射特征X射線；或引起另一外層電子電離，使其以特征能量射出固體樣品表面，此即俄歇電子。俄歇電子躍遷過程俄歇電子躍遷過程能級圖俄
俄歇電子能譜（2）
基本原理物理原理入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。俄歇電子和X射線產額入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子
俄歇電子能譜（1）
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜（3）
俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一
俄歇電子能譜法（AES）
AES可以用于研究固體表面的能帶結構、表面物理化學性質的變化（如表面吸附、脫附以及表面化學反應）；用于材料組分的確定、純度的檢測、材料尤其是薄膜材料的生長等。俄歇電子能譜（Auger Electron Spectrometry，簡稱AES）是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢
俄歇電子能譜儀簡介
俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜的原理
向樣品照射電子束后，電子和物質之間產生劇烈的相互作用，如下圖（上)所示，各種電子和電磁波被釋放出來。由于其中俄歇電子具備各個元素特有的能量，所以如對能譜進行解析，可以鑒定物質表面所存在的元素(定性分析)通過峰強度對比則可以定量測定元素(定量分析)。另外，俄歇電子在物質中非彈性散射情況下前進的距離（平
俄歇電子能譜的特點
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。②俄歇電子只能從20
俄歇電子能譜儀器構造
俄歇能譜儀包括電子光學系統、電子能量分析器、樣品安放系統、離子槍、超高真空系統。以下分別進行介紹。電子光學系統電子光學系統主要由電子激發源（熱陰極電子槍）、電子束聚焦（電磁透鏡）和偏轉系統（偏轉線圈）組成。電子光學系統的主要指標是入射電子束能量，束流強度和束直徑三個指標。其中AES分析的最小區域基本
關于俄歇電子能譜的俄歇電流的基本介紹
俄歇電子能譜的俄歇電流，從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip，Ip是入射電子束流。 俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算，但由于受多種因子的影響。 計算很復雜，并與實驗符合得不好。 在實際測量時，為了使俄歇電流達到最大，必須選擇適當的EP/EW比例。EP是入射電子的能量，EW是最初
俄歇電子能譜儀的簡介
歐杰電子能譜術也稱俄歇電子能譜儀（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄
俄歇電子能譜法的簡介
中文名稱俄歇電子能譜法英文名稱Auger electron spectroscopy定 義測量和分析試樣產生的俄歇電子的能譜的電子能譜法。應用學科機械工程（一級學科），分析儀器（二級學科），能譜和射線分析儀器-能譜和射線分析儀器分析原理（三級學科）
俄歇電子能譜的物理原理
入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以X光的形式放出,即產生特征X射線,也可能又使核外另一電子激發成為自由電子,這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以
俄歇電子能譜儀的應用
近年來,俄歇電子能譜儀( AES) 在材料表面化學成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微區分析方面嶄露頭角。AES 的優點是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范圍內, 靈敏度高、分析速度快,能探測周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇電子能譜儀主要用于研究工作 ,現已成為一種常規
俄歇電子能譜成分深度分析
AES的深度分析功能是AES最有用的分析功能，主要分析元素及含量隨樣品表面深度的變化。鍍銅鋼深度分析曲線采用能量為500eV～5keV的惰性氣體氬離子濺射逐層剝離樣品，并用俄歇電子能譜儀對樣品原位進行分析，測量俄歇電子信號強度I （元素含量）隨濺射時間t（濺射深度）的關系曲線,這樣就可以獲得元素在樣
關于俄歇電子能譜的簡介
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出
俄歇電子能譜法（AES）介紹
俄歇電子能譜法是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度，從而獲得有關材料表面化學成分和結構的信息的方法。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發射的俄歇電子對試樣微區的表面成分進行的定性定量分析。
俄歇電子能譜的工作原理
當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多余的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等于EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1、L
芯片引線鍵合點失效的俄歇電子能譜分析
采用俄歇電子能譜法(AES),對某芯片的正常引線鍵合點和失效引線鍵合點進行了分析.實驗結果表明:失效引線鍵合點表面出現了Cl元素,其失效原因是在鍵合點處形成的氯化物腐蝕鍵合點,導致鍵合點失效;濺射20min后,鍵合點內發生Ni金屬的遷移,這也是導致鍵合點失效的原因之一.?
芯片引線鍵合點失效的俄歇電子能譜分析
采用俄歇電子能譜法(AES),對某芯片的正常引線鍵合點和失效引線鍵合點進行了分析.實驗結果表明:失效引線鍵合點表面出現了Cl元素,其失效原因是在鍵合點處形成的氯化物腐蝕鍵合點,導致鍵合點失效;濺射20min后,鍵合點內發生Ni金屬的遷移,這也是導致鍵合點失效的原因之一.?
俄歇電子能譜的起源和介紹
俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的