稀磁性半導體的制備方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技術由于其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點，明顯優 于液相外延法和氣相外延生長法，更有利于生長高質 量DMS薄膜。采用低溫分子束外延（LT-MBE）技術， 能夠有效的抑制新相的析出，同時輔助以高能電子衍 射儀（RHEED），監控生長過程中的表面再構過程， 從而對于樣品的組分及其性能進行控制。但是，LT-MBE方法的生長溫度過低，從而使 GaAs半導體的一些性質依賴于LT-MBE的某些工藝 條件(例如襯底溫度，As過壓等)。金屬有機化學氣相沉積MOCVD法利用有機金屬熱分解進行氣相外延生 長，可以合成組分按任意比例組成的人工合成材料， 形成厚度精確控制到原子級的薄膜，從而又可以制成 各種薄膜結構型材料。MOCVD法主要用于制 備Ⅱ-Ⅵ及Ⅲ-Ⅴ族的稀磁半導體。離子注入法稀磁性半導體在對于DMS 材料的研究中，各國科研人員采用 離子注入方法來引入磁性離子。通常加速電壓在數百 keV......閱讀全文
稀磁性半導體的制備方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技術由于其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點，明顯優 于液相外延法和氣相外延生長法，更有利于生長高質 量DMS薄膜。采用低溫分子束外延（LT-MBE）技術， 能夠有效的抑制新相的析出，同時輔助以高能電子衍 射儀（RHEED），監控生長過程中的表面再
稀磁性半導體的應用
稀磁性半導體是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素取代后形成的磁性半導體，因兼具有半導體和磁性的性質，即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度，因而引起廣泛關注，尚處于研究階段。
稀磁性半導體的發展前景
稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質，使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能，為開辟半導體技術新領域以及制備新型電子器件提供了條件。盡管對于DMS材料應用的研究尚處于實驗探索階段，但已展示出其廣闊的應用前景。如將 DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層，實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的
稀磁性半導體的研究進展
從根本上說主要是由于自旋電子之間的交換作用使得磁性半導體具有磁性。經常用于解釋磁性半導體的磁性起源的交換作用模型有描述絕緣體中磁性的直接交換作用和超交換作用、載流子媒介交換作用和描述部分氧化物中摻雜磁性的束縛磁極化子模型。傳統鐵磁金屬之間的鐵磁耦合用直接交換作用機制來描述，而金屬氧化物、硫化物、氟族
稀磁半導體的基本特性
稀磁半導體（Diluted magnetic semiconductors，DMS）是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素（transition metals，TM）取代后形成的磁性半導體。因為一般摻入的雜質濃度不高，磁性比較弱，因而叫做稀磁半導體，或者半磁半導體。因兼具有半導體和磁性的性質，即
磁性半導體的分類
磁性半導體研究熱點為主要為兩類半導體：稀磁半導體、鐵磁半導體。
磁性半導體的定義
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。
半導體材料的制備方法
不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上 ，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，一
磁性半導體的發展歷史
第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體，例如Eu或Cr的硫族化合物：巖鹽
磁性半導體的應用特點
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。如果在設備里使用磁性半導體，它們將提供一種新型的導電方式。傳統的電子元件都是以控制電荷自由度（從而有n型和p型半導體）為基礎工作，磁性半導體能控制電子的自旋自由度（于是有了
單晶半導體材料的制備方法
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般采用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶(即體單晶)制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由于制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量較
單晶半導體材料的制備方法
具體的制備方法有：①從熔體中拉制單晶：用與熔體相同材料的小單晶體作為籽晶，當籽晶與熔體接觸并向上提拉時，熔體依靠表面張力也被拉出液面，同時結晶出與籽晶具有相同晶體取向的單晶體。②區域熔煉法制備單晶：用一籽晶與半導體錠條在頭部熔接，隨著熔區的移動則結晶部分即成單晶。③從溶液中再結晶。④從汽相中生長單晶
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
雙極磁性半導體的概念和特征
雙極磁性半導體（英文Bipolar Magnetic Semiconductors，縮寫BMS) 是一類特殊的磁性半導體材料，它具有獨特的電子能帶結構：價帶頂和導帶底是100% 自旋極化的，且它們的自旋極化方向是相反的。?雙極磁性半導體具有三個特征能隙：價帶內的自旋翻轉能隙Δ1，半導體帶隙Δ2和導帶
半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展
最近，《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果，此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。 (Ga,Mn)A
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
酵母蛋白質和 RNA 的制備（稀堿法）
實驗概要本實驗介紹了從酵母中分離制備蛋白質和 RNA 的原理和方法。實驗原理酵母細胞富含蛋白質和核酸。用稀堿液（0.2% 的氫氧化鈉）處理酵母使細胞裂解，離心收集上清液，得到酵母核蛋白抽提液。用鹽酸調節抽提液 pH 至 3.0 （核蛋白的等電點），核蛋白溶解度下降大量沉出，離心收集沉淀物為酵母蛋白質
雙極磁性半導體的性質和潛在應用
自旋一般只能通過磁場來調控，這使自旋器件微型化和集成化難以實現，而用電場調控則可解決此矛盾。因此，如何實現利用電場調控電子的自旋，是自旋電子學面臨的關鍵科學問題之一。雙極磁性半導體就是為解決此問題而提出的。此類材料的獨特之處在于其價帶頂與導帶底具有相反的自旋極化方向，因而可通過調節費米能級的位置(例
半導體所等在磁性半導體(Ga,Mn)As研究中取得進展
中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華團隊及合作者美國佛羅里達州立大學教授熊鵬等在有機自組裝分子單層對磁性半導體(Ga,Mn)As薄膜磁性調控研究方面取得新進展，相關成果發表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半導體所在反轉能帶半導體表面磁性全電控制方面取得進展
在國家基金委和中科院創新工程的支持下，半導體研究所常凱研究員和博士生朱家驥與美國斯坦福大學物理系張首晟教授合作，從理論上研究了BiSe等材料表面磁性全電控制的可能性。 通過控制載流子濃度以控制材料磁性是半導體自旋電子學領域的一個重要研究方向。這種控制方案已經在稀磁半導體GaM
物理所寬禁帶半導體磁性起源研究取得新進展
中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）陳小龍研究員及其領導的功能晶體研究與應用中心一直致力于寬禁帶半導體磁性起源問題的研究。最近，他們從實驗和理論上證明了雙空位導致磁性，首次在實驗上給出了直接證據，為通過缺陷工程調控寬禁帶半導體的磁性提供了實驗基礎，相應結果發表在Phy
磁性金屬物測定儀應用模板法制備磁性纖維吸收材料
過研究陽極氧化鋁板,然后在多孔鋁陽極氧化膜的沉積鐵、鎳和其他磁性金屬納米線陣列、吸收材料為鋁磁性納米線陣列、吸收層厚度只有幾微米,最大反射率的衰減6·5dB,材料除了吸收涂層薄,高吸收率,還結合金屬襯底強的特點,是一種之間涂有吸收材料和結構之間的新型吸收材料吸收材料。該材料用于JJCC磁性金屬
“稀貴金屬焊接/裝聯導電材料制備技術”在昆明啟動
近日，國家重點研發計劃“重點基礎材料技術提升與產業化”重點專項“稀貴金屬焊接/裝聯導電材料制備技術”項目啟動暨實施方案咨詢審議會在昆明召開。彭金輝院士等項目咨詢組專家、項目牽頭單位貴研鉑業股份有限公司和各參與單位60余人參加了會議。科技部高技術中心專項辦有關人員、專項總體組專家出席了會議。
摻鈷氧化鋅稀磁半導體的SEM及X射線能譜微分析
采用水熱法,以CoCl2.6H2O為前驅物,KOH作為礦化劑合成了摻鈷氧化鋅稀磁半導體晶體。利用掃描電子顯微鏡(SEM)及X射線能譜儀(XREDS)對合成晶體的微觀形貌、表面及內部摻雜元素Co的相對含量和分布的均勻性進行了研究。研究結果表明:水熱法合成的摻Co氧化鋅晶體具有多種微觀形貌,較大的晶體具
稀糊狀、稀汁樣便和柏油樣黑便分析
稀糊狀或稀汁樣便：? ?常因腸蠕動亢進或分泌物增多所致見于各種感染或非感染性腹瀉，尤其是急性胃腸炎。小兒腸炎時腸蠕動加速，糞便很快通過腸道，以致膽綠素來不及轉變為糞便膽素而呈綠色稀糊樣便。遇大量黃綠色的稀汁樣便并含有膜狀物時應考慮到偽膜性腸炎；艾滋病伴有發腸道隱孢子蟲感染時也可排也大量稀汁樣便。副溶
中國科大二維磁性半導體材料研究獲進展
中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員閆文盛、孫治湖和劉慶華組成的研究小組在教授韋世強的帶領下，利用同步輻射軟X射線吸收譜學技術，在研究二維超薄MoS2半導體磁性材料的結構、形貌和性能調控中取得重要進展。該研究成果發表在《美國化學會志》上。 二維超薄半導體納米片具有宏觀上的超薄性、透明性
南京工業大學新方法制備超薄半導體材料
“我們制備了超薄的高質量二維碘化鉛晶體，并且通過它實現了對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控。”孫研興奮地介紹。日前，南京工業大學王琳教授課題組的這一成果，發表在國際權威期刊《先進材料》(Advanced materials)上。 “我們首次制備的這一超薄碘化鉛納米片，專業術語稱為‘原子級厚
磁性金屬物檢測方法的總結
???? 食品的健康以及是否環保是我們大家都希望得到的，但是隨著人類對自然的不斷開發，食品藥物的使用，很多食品已經不再存在環保，而且還對大自然造成了一定的危害。我們在對食品的環保上進行考慮的同時，也需要對加工過程中存在的儀器破損也是要關注的，使用過的儀器要進行及時的處理，像磁性金屬測定儀就是其中
半導體材料的提純方法
半導體材料的提純“主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分