響應設備更新政策|半導體制造工藝、結構與表征解決方案
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增,碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2 鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損傷與原子等級的厚度精準控制更對納米等級柵槽的形貌達成完美的詮釋。應用案例全自動刻蝕和沉積設備在 3D Sensor 批量生產中的應用原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)使碳化硅與氮化鎵功率器件更高效提供 MicroLED 芯片制造解決方案虛擬實境 ARVR 光學衍射組件制造技術 篩選低閾值 FET,用于低功耗低溫電子器件半導體結構與表征摩爾“定律”在過去 50 年間持續推動半導體行業向器件小型化趨勢發展,對半導體材料、制造工藝和檢測技術提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技術已被廣泛應用......閱讀全文
響應設備更新政策-|-半導體制造工藝、結構與表征解決方案
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增,碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2?鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損
半導體集成電路的制造工藝
集成電路在大約5mm×5mm大小的硅片上,已集成了一臺微型計算機的核心部分,包含有一萬多個元件。集成電路典型制造過程見圖1。從圖1,可以看到,已在硅片上同時制造完成了一個N+PN晶體管,一個由 P型擴散區構成的電阻和一個由N+P結電容構成的電容器,并用金屬鋁條將它們連在一起。實際上,在一個常用的
「官網」2024深圳12屆國際半導體晶圓制造工藝展「半導體展會」
「官網」2024深圳12屆國際半導體展「半導體展會」展會時間:2024年4月9日-11日論壇時間:2024年4月9日-11日舉辦地點深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模:?面積10萬平米,展商1800余家,展位3600多個,觀眾近10萬人次展會報名:136 (李先生)中間四位數:5
集電器的制造工藝
導電環 導電環材料應具有:良好的導電性,抗火花燒傷性;良好的抗腐蝕性和抗有機污染性能;耐磨性和小的摩擦系數,以減少摩擦力矩,提高壽命;良好的工藝性能。 導電環常采用銀銅合金(如AgCu10)、銀鎳銅合金(如AgCuNi20-2)等管材,通過車加工得到,也可以用板材沖制而成。有的航空電機導電環
漫談半導體工藝節點(二)
可能的選擇 短期內,芯片制造商們明確地會在FinFet和二維的FD-SOI技術上將節點推進到10nm。到了7nm之后,溝道上的的“門”就會上去控制,這就亟待一種全新的晶體管架構。 7nm上的一個領先競爭者就是高電子遷移率的FinFet,也就是在溝道上使用III-V 材料的FinFet
漫談半導體工藝節點(一)
近來,GlobalFoundries宣布將會推進7nm FinFET工藝,引發了行業對工藝節點、光刻等技術的探討。本文是來自SemiEngineering 2014年的一篇報道,帶領大家了解7nm工藝及以后的半導體業界的發展方向。(由于推測是2014年的,事實上可能有點過時,希望
漫談半導體工藝節點(三)
Brand指出,環形柵極場效應管并沒有想象中那么不穩定,它其實非常實用,你甚至可以把它當做FinFET的改良版。實際上它只是在溝道上增加了幾個面。Brand不確定環形柵極場效應管是否能在7nm實現,或者在5nm實現,這一切都取決于業界的進展。更決定于公司在降低柵極長度上是否足夠激進。
傳感器制造工藝簡述
石油儀器中的傳感器作為工業發展過程中重要的檢測裝置,一直以來有著重要地位;傳感器在石油儀器設備行業同樣肩負著重要的使命。為了加深大家對于傳感器的了解,今天就為大家揭開傳感器制造工藝的什么面紗: 傳感器制造的簡易步驟: 1)以注塑方法,成型傳感器本體; 2)將帶有感應頭的電路板安裝在
2015-CISILE分論壇—儀器制造業制造工藝
分析測試百科網訊 第十三屆中國國際科學儀器及實驗室裝備展覽會(CISILE)于4月23日至25日在北京國家會議中心召開。本屆CISILE展會秉承一貫的優良傳統,除了大規模展商展覽之外,大會期間還舉辦了五大高峰論壇。24日,儀器制造業制造工藝專題論壇成功舉行,吸引了行
增材制造中TPU材料的性能表征
摘要:增材制造中材料性能影響到其在3D打印中加工的性能以及最終產品的質量,TPU是首批可用于SLS工藝的柔性材料之一。本文從粉末流動性,粒度粒形以及比表面積等各項性能來表征TPU材料的性能,用于評估其對于最終加工性能的影響。 關鍵詞:增材制造;性能表征;粉末流動性;粒度粒形表征;比表面
半導體設備制造展|2024上海國際半導體設備制造展覽會「官網」
展會名稱:2024中國(上海)國際半導體展覽會英文名稱:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間:2024年11月18-20日?論壇時間:2024年11月18-19日?展會地點:上海新國際
充氣式試驗變壓器的制造結構及工藝指標要求
充氣式試驗變壓器適用于各種電器產品、電氣設備、絕緣材料等在規定電壓下的絕緣強度試驗,考核產品的絕緣水平,發現被試品的絕緣缺陷及衡量承受過電壓的能力。是發電站、供配電系統及科研單位等廣大用戶的基本試驗設備。充氣式試驗變壓器產品特征:1、充氣是試驗變壓器選材優良,質量可靠,穩定性好;2、該油變采用新式絕
半導體工藝廢氣如何處理
半導體廢氣處理廢氣介紹:由于半導體工藝對操作室清潔度要求極高,通常使用風機抽取工藝過程中揮發的各類廢氣,因此半導體行業廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發為主。這些廢氣主要可以分為四類:酸性廢氣、堿性廢氣、有機廢氣和有毒廢氣。廢氣危害:半導體制造工藝中產生的廢氣如果沒有經過很好的
先進的半導體工藝:FinFET簡介
FinFET簡介 FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。閘長已可小于25奈米。該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明教授。Fin是魚鰭的意思,FinFET命名根據晶體管的形狀
鋰電池的制造工藝簡介
鋰離子電池有兩種制造工藝,分別為:卷繞工藝和疊片工藝。這兩種工藝的首要差異和工藝稱號的來歷是鋰電池極片安裝方法的差異。 卷繞電池與疊片電池的放電平臺有差距。電池工藝的不同,會影響鋰離子電池的放電——能量密度。 能量密度(Wh/L)=電池容量(mAh)×3.7(V)/厚度(cm)/寬度(cm)
石墨電極制造的工藝過程
石墨電極制造的工藝過程1.加工電極固定板。電極固定板可用厚度為8—15mm的鋁板或鋼板制成,形狀可以是長方形或與電極上端面一致。石墨電極外形輪廓的加工及電火花成形加工時的電極安裝,常以電極固定板為基準,因此對電極固定板應有一定的精度要求。2.準備樣板。電極型體不易直接測量,對較為特殊的曲線截面應制作
超純水制造系統工藝流程
超純水的工藝大致分成以下3種: 1、采用離子交換樹脂制備電子工業超純水的傳統水處理方式,其基本工藝流程為:原水→多介質過濾器→活性炭過濾器→精密過濾器→中間水箱→陽床→陰床→混床(復床)→超純水箱→超純水泵→后置保安過濾器→用水點 2、采用反滲透水處理設備與離子交換設備進行組合制備電子工業超純
電力變壓器的制造工藝
電力變壓器由器身和附件兩大部分組成。器身又由線圈、絕緣件、鐵心、分接開關、變壓器油和油箱組合而成。變壓器的附件有儲油柜、冷卻器、套管、瓦斯繼電器、壓力釋放器及溫度計等。其中冷卻器、絕緣油、套管、分接開關、瓦斯繼電器、壓力釋放器及溫度計等都是從外面采購。下面僅簡單介紹幾種主要部件的制造工藝。 1
半導體集成電路的工藝保障
1)原材料控制。包括對掩膜版、化學試劑、光刻膠、特別對硅材料等原材料的控制。控制不光采用傳統的單一檢驗方式,還可對關鍵原材料采用統計過程控制(statisticalprocesscontrol,SPC)技術,確保原材料的質量水平高,質量一致性好。 2)加工設備的控制。除采用先進的設備進行工藝加
手機鋰離子電池工藝制造流程
提到電池,很多人都會知道其基本結構,如正負極耳、正負極片、隔膜、電解液等,但對于電池是怎么做出來的,知道的就很少。 而今天,我就來說說電池是如何生產出來的,當然主要說的是手機電腦等鋰離子電池,其它設備的電池制造工序也大同小異,在此就不介紹了。 首先說一下電池的基本制造工序,后面我再對各個工序
真空電子器件制造相關工藝簡介
玻璃封接工藝 玻璃之間和玻璃與金屬之間的熔封是常用的工藝之一,多已實現自動化操作。利用這種技術制成電極引線或芯柱,并將管殼與芯柱封接在一起。 銦封工藝 兩種膨脹系數相差很大的玻璃或玻璃與各種晶體、玻璃與金屬間的真空密封,可用高純銦作焊料冷壓而成。這種工藝常用于攝像管窗口和管殼間的封接。它適
搪玻璃反應釜的制造工藝
搪玻璃反應釜是將含有高二氧化硅的玻璃襯在鋼制容器的內表面上,并在高溫下將其燃燒而牢固地粘附在金屬表面上,從而成為復合產品。所以它是一種優良的耐腐蝕設備。那它的生產過程是什么? 搪玻璃反應釜首先用胎具將鋼板壓制成符合燒制要求的折流板,其橫截面類似字母“Ω”形,擋板的寬度h為釜體直徑的1/8 ~
動力電池制造過程的卷繞工藝與疊片工藝介紹
動力電池一般分為方殼、軟包、圓柱三種形態,多采用卷繞和疊片兩種工藝,存在各自不同的優劣勢。以卷繞方式組合成形的電芯所組成的電池,稱為卷繞電池;疊片電池即應用疊片工藝的車用鋰電池。從電池放電平臺方面看,卷繞鋰電池由于內阻高極化大,一部分電壓被消耗于電池內部極化,因而放電平臺略低。 疊片鋰電池內阻較低
我國半導體芯片制造底層技術短板待補
原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511585.shtm在過去200多年中,人們在半導體中發現了許多物理效應,其中真正改變人們生活的偉大發現有三個:晶體管、半導體激光器和白光照明。晶體管是半導體芯片的基礎,從人工智能、移動通訊到云計算、互
半導體芯片制造廢水處理方法
? ?芯片制造生產工藝復雜,包括硅片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交叉,生產中使用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3?H2O等。?所以一般芯片制造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。
元素半導體的結構
具有半導體特性的元素,如硅、鍺、硼、硒、碲、碳、碘等組成的材料。其導電能力介乎導體和絕緣體之間。主要采用直拉法、區熔法或外延法制備。工業上應用最多的是硅、鍺、硒。用于制作各種晶體管、整流器、集成電路、太陽能電池等方面。其他硼、碳(金剛石、石墨)、碲、碘及紅磷、灰砷、灰銻、灰鉛、硫也是半導體,但都尚未
半導體工藝廢氣如何處理有效果
半導體行業中使用的清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等溶劑中含有大量有機物成分,在工藝過程中,這些有機溶劑大部分通過揮發成為廢氣排放。其廢氣的主體是VOCs,同時廢氣中還混合了HCl、氨、HF等危險污染物。半導體有機廢氣處理辦法采用RTO設備處理RTO蓄熱式氧化爐是在高溫下將可燃廢氣氧化成氧化物和水,凈
Agilent-B1500A-半導體器件參數分析儀/半導體表征系統主機
Agilent B1500A 半導體器件參數分析儀/半導體表征系統主機? 15815566786=======================================深圳佳捷倫電子儀器有限公司聯系人:陳娟/歐陽手機:15815566786/13510500080電話:0755-8951811
「官網」2024深圳12屆國際半導體制造展「半導體展會」
「官網」2024深圳12屆國際半導體展「半導體展會」展會時間:2024年4月9日-11日論壇時間:2024年4月9日-11日舉辦地點深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模:?面積10萬平米,展商1800余家,展位3600多個,觀眾近10萬人次展會報名:136 (李先生)中間四位數:5