拓撲晶態絕緣體碲化錫納米線研究獲得新進展
拓撲絕緣體(Topological Insulator)是一種新奇的物質狀態,它的體相是絕緣態而表面卻是零帶隙的金屬態。尤其它的表面是受拓撲保護的導電態,不受非磁性雜質和晶體缺陷的干擾,因而在無損耗的量子計算和新奇的自旋電子器件等領域具有重要的應用價值。時間反演對稱性保護的三維拓撲絕緣體如Bi2Te3, Sb2Te3和Bi2Se3 的發現和研究激勵著研究者們尋求新的對稱性保護的拓撲絕緣體。2012年,一種由晶格對稱性引起的拓撲絕緣體在理論上獲得證實,理論學家將其稱之為‘拓撲晶態絕緣體’(Topological Crystalline Insulator),同年碲化錫(SnTe)被理論學家預測為拓撲晶態絕緣體,在它的高對稱性晶體表面如{001}, {110} 和 {111}具有導電的拓撲態。隨后碲化錫單晶(001)面的Dirac錐在實驗上通過角分辨光電譜測試獲得證實。碲化錫是首個被證實為具有拓撲晶態絕緣體的......閱讀全文
拓撲晶態絕緣體碲化錫納米線研究獲得新進展
拓撲絕緣體(Topological Insulator)是一種新奇的物質狀態,它的體相是絕緣態而表面卻是零帶隙的金屬態。尤其它的表面是受拓撲保護的導電態,不受非磁性雜質和晶體缺陷的干擾,因而在無損耗的量子計算和新奇的自旋電子器件等領域具有重要的應用價值。時間反演對稱性保護的三維拓撲絕緣體如B
北大拓撲絕緣體納米材料光熱電效應研究獲突破
據北京大學新聞網消息,拓撲絕緣體的材料制備和量子輸運特性是近年來國際研究前沿的一個熱點。在眾多拓撲絕緣體材料中,Bi2Se3是拓撲絕緣體家族中一種重要的三維強拓撲絕緣體。拓撲絕緣體納米結構因其巨大的比表面積和增強的表面電導貢獻非常有利于探索拓撲絕緣體奇異表面態的物理性質和開發拓撲絕緣體在自旋電子
新發現:拓撲晶體的絕緣體態
拓撲晶體絕緣體(TCI)是一類受晶體對稱性保護的非平庸拓撲態。在保持時間反演對稱性的體系中,理論上已預言了三種類型的TCI,分別受到鏡面、滑移面和旋轉對稱性保護。角分辨光電子能譜(ARPES)實驗已證實了鏡面對稱性保護TCI材料SnTe,并在KHgSb中觀測到滑移面保護TCI態的部分實驗證據。2
首次在磁性拓撲絕緣體中觀測到清晰的拓撲表面態
近十幾年來,拓撲絕緣體已經成為凝聚態物理領域的一個重要研究方向。對于Z2拓撲絕緣體,其拓撲性質受到時間反演對稱性的保護。如果將Z2拓撲絕緣體的時間反演對稱性破壞,會形成一類新的拓撲態,即磁性拓撲絕緣體。磁性拓撲絕緣體可以表現出一系列新奇的物理性質,例如量子反常霍爾效應、手性馬約拉納費米子、軸子絕
科學家實現新型聲學拓撲絕緣體
近日,中國科學院聲學研究所噪聲與振動重點實驗室副研究員賈晗與華中科技大學物理學院副教授祝雪豐等合作的研究“反常弗洛奎型聲學拓撲絕緣體的實驗論證”在《自然—通訊》上在線發表。 拓撲絕緣體是一類不同于金屬和絕緣體的全新物態,其內部為絕緣體但表面卻能導電,且該表面導電性源自材料的內稟性質,不受雜質和
拓撲絕緣體的實驗研究獲系列進展
中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室(籌)表面物理國家重點實驗室馬旭村研究員領導的研究組與清華大學物理系薛其坤教授領導的研究組合作,在三維拓撲絕緣體薄膜的外延生長、電子結構及有限尺寸效應方面進行研究,取得一系列進展。 ? 拓撲絕緣體是最近幾年發現的一種新的物質形態。
拓撲絕緣體內奇異量子效應室溫下首現
科技日報北京10月27日電 (記者劉霞)據《自然·材料》雜志10月封面文章,美國科學家在研究一種鉍基拓撲材料時,首次在室溫下觀察到了拓撲絕緣體內的獨特量子效應,有望為下一代量子技術,如能效更高的自旋電子技術的發展奠定基礎,也將加速更高效且更“綠色”量子材料的研發。 拓撲絕緣體是一種特殊的材料,內
什么是納米晶非晶態金屬
它是一種特殊用途的金屬,粒徑已經達到納米級,但是沒有固定的形態結構,納米非晶態金屬比納米晶態金屬有更大的比表面積。因此其在催化劑行業用途比較廣泛。如納米鎳非晶態顆粒,是一種高效的燃料催化劑。
首個光學拓撲絕緣體研制成功
據物理學家組織網近日報道,以色列和德國科學家攜手合作,成功研制出首個光學拓撲絕緣體,這種新設備通過一種獨特的“波導”網格,為光的傳輸護航,可減少傳輸過程中的散射。科學家們表示,最新研究對光學工業的發展大有裨益。研究發表在最新一期的《自然》雜志上。 隨著計算機的運行速度不斷加快以及芯片變得越
科學家實現聲二階拓撲絕緣體
日前,南京大學教授盧明輝、陳延峰團隊與蘇州大學教授蔣建華團隊合作,在聲子晶體中發現二階拓撲相和多維拓撲相變,相關研究成果近日在線發表于《自然-物理》。 研究人員在空氣聲系統中首次觀測到不同空間維度的拓撲相變,并利用多維度的拓撲相和拓撲相變實現了二階拓撲絕緣體,揭示了高階拓撲相形成的新機制。