太陽能發電系統的國產“體檢醫生”問世
一段時期以來，太陽能發電系統出廠時的嚴格“體檢”，只能由昂貴的進口“洋醫生”來完成。4日，記者從復旦大學信息科學與工程學院獲悉，國產的太陽能發電系統“體檢醫生”——光伏并網逆變器測試系統，將正式亮相工博會。 “太陽能電池板發出的是直流電，需要先轉變為交流電才能并入電網。承擔這種功能的設備——逆變器就成為了整個系統的核心器件。”研發團隊負責人、復旦大學信息工程學院教授孫耀杰說，“對太陽能發電系統‘體檢’的關鍵，就是對于逆變器性能的檢測。” 復旦研發的這套光伏并網逆變器測試系統，憑借光伏陣列模擬電源和電網特性模擬電源來模擬逆變器在實際應用中兩端接口的電流情況，并通過追蹤動態過程，對逆變器性能進行評價。 “光伏電池陣列模擬電源不僅能夠模擬簡單的光伏電池板輸出電流，還可以模擬陰影遮擋或者溫度和照度變化造成的電流波動，從而全方位地模擬真實光伏電池陣列的特性。” 孫耀杰說，“正是這種全方位的環境模擬，才能夠真正檢測出逆......閱讀全文
國內光伏逆變器巨頭進軍光伏電站總包服務
國內最大的光伏逆變器制造商京儀集團旗下京儀綠能公司和裕昆新能源近日在北京簽約，中標云南楚雄4兆瓦光伏電站的EPC總包服務。 相對于國內動輒10兆瓦的光伏電站相比，4兆瓦并不是一個大數字，但京儀綠能副總經理黃曉紅表示，期望通過一個良好的開始，在今后3年內，成為國內“三足鼎立”的電站總包
光伏逆變器自動測試系統簡介
? 光伏逆變器自動測試系統是針對太陽能、風能、車載逆變器測試所設計，集成直流源、多通道功率分析儀和交直流電子負載等測試儀器，可自動調節逆變器輸入/輸出，以及測量逆變器電性能參數，并進行數據管理、分析。光伏逆變器自動測試系統各部分的作用：? 可程控直流電源供應器：替代太陽能電池板的直流電輸出，一般來說
光伏逆變器：被遺忘的重要功能
對于光伏電站來說，光伏組件和逆變器無疑是其中的核心設備，組件即電池板，把太陽光轉換成電能類似若干個小電池，逆變器把直流變成交流可以并網應用。 業界對逆變器的能量轉換功能已認識得很清楚，決定逆變器轉換質量的無疑是其效率指標，業界普遍存在這樣的認識：組件選定后直流輸出功率就確定了，逆變器選定后系統
如何讓光伏逆變器效率測量變得更快捷？
根據工信部《光伏逆變器制造行業規范條件》，含有變壓器的光伏逆變器加權效率不得低于96%，不含變壓器的光伏逆變器加權效率不低于98%。那逆變器相關企業如果保證逆變器效率測試，如何讓逆變器效率測試變得簡單快捷將是取得行業內的制勝的關鍵。 根據光伏十三五規劃，2016到2020年期間，我國光
易事特150臺500K光伏逆變器挺進服務甘肅大型光伏發電站
在全球光伏行業面臨寒冬之際，易事特光伏市場拓展傳來重要喜訊，150臺500K光伏逆變器將正式服務甘肅某大型光伏發電站。10月29日，整裝出發的十輛超大型貨車已經將第一批大型光伏逆變器運往甘肅，稍后第二批大型光伏逆變器也將正式運往甘肅，服務該省某大型光伏發電站。此舉充分展現了易事特在光伏
我國大功率光伏逆變器轉換率達98.8%
我國云南楚雄擁有優越的自然生態資源，經濟發展急需清潔能源支持。近日，京儀綠能公司和裕昆新能源在北京簽約，京儀綠能中標裕昆新能源的云南楚雄4MW光伏電站的EPC總包服務，助力楚雄彝族自治州綠色發展。項目將應用京儀綠能自主知識產權JYNB-250KHE高效250kW光伏逆變器。 據介紹，
古瑞瓦特布魯塞爾1.2兆瓦光伏逆變器項目順利并網
近日，古瑞瓦特新能源宣布由其為比利時布魯塞爾的光伏屋頂項目提供的1.2MW光伏逆變器已經全部實現并網。古瑞瓦特新能源共為該項目提供60臺Growatt20k三相逆變器。該項目的成功并網再次展示出了古瑞瓦特三相逆變器在歐洲市場的強勁需求和生命力。 Growatt10-20k系列三相
2015年全球光伏逆變器出貨量或超過50GW
美國GTM Research最新報告顯示，2014年，全球太陽能逆變器出貨量實現38.7吉瓦，并預計2015年將逾50吉瓦。 報告預測，2018年之前，光伏逆變器出貨量將繼續保持13.1%的平均年增長率。相同期間內，全球太陽能逆變器銷售額至71億美元，不過平均年增率僅為2.8%。 預計201
中國南車新型光伏逆變器性能達國際先進水平
近日，中國南車旗下“南車株洲電力機車研究所有限公司”(簡稱中國南車株洲所)研制的500千瓦新型光伏逆變器，在青海某高原光伏電站成功裝機并網發電。公司光伏產品完全能滿足大型光伏電站復雜電網工況接入要求，具備量產條件。 據了解，此次并網發電成功的新型500千瓦逆變器，與原500千瓦逆變器相比，
電子器件的光伏逆變器研制及示范應用項目通過驗收
?? 近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。?? 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET