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選址于東海縣的國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心，近日經國家質檢總局批準啟動建設。東海水晶、石英儲量豐富，擁有硅資源加工企業500多家，硅材料產品1000多個品種，硅產業年產值已突破130億元，成為我國硅材料領域的重要高新技術和產業集聚區。 ......閱讀全文
目前，TOKO壓力傳感器芯體材質品種繁多，下面簡單介紹下幾種芯體材質的性能 一、單晶硅 硅在集成電路和微電子器件生產中有著廣泛的應用，主要是利用硅的電學特性；在MEMS微機械結構中，則是利用其機械特性，繼而產生新一代的硅機電器件和裝置。硅材料儲量豐富，成本低。硅晶體生長容易，并存在
一、 中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2－二極管、3－三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：
為探究含硅含硫材料對極重度（礦區）鎘砷復合污染土壤鎘、砷形態動態變化的影響，以及輕、重度鎘砷復合污染耕地土壤與淹水條件下含硅含硫材料對土壤鎘、砷形態變化的影響，本試驗采集三種不同污染程度土壤（極重度礦區污染土壤、重度污染耕地土壤、輕度污染耕地土壤），通過室內土壤培養的方法模擬施用含硅含硫材料，研
硅材料具有優異的電學性能和機械性能，是用量最大、應用最廣的半導體材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是極有害的雜質，因此，電子工業中對硅材料的純度要求極高。 由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此類樣品通常需要加入HF，溫度過高易造成B的損失，另外硅材料中雜質含量通常很低，要求分析儀器具有較高的靈敏度
相對于傳統石墨負極材料（372mAh/g），硅負極材料具有極高的理論比容量（3580mAh/g），是未來高能量密度動力鋰離子電池負極材料首選。但硅負極材料在充放電循環過程中存在體積變化（高達3倍以上），造成硅顆粒粉化，從而引發SEI膜反復再生庫倫效率低，電接觸變差極化增大，使實際硅負極材料循環壽
不少觀點都認為，碳納米管及石墨烯等各種碳類材料將取代現有材料、比如硅，成為電子領域的主角。 硅作為半導體材料，其性能并不高，也曾數度出現過可與之競爭的候補材料，但硅材料總能憑借某些因素而勝出。不過，硅材料也正在接近其真正的極限。最有望成為硅的替代材料的，就是CNT、石墨烯等碳材料。
硅是半導體行業最常見的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中，從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛星等。隨著技術的發展，研究者發現通過傳統的電氣互聯來進行芯片與系統之間的通信已經難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統的要求。為解決這一問題，“光”被認為是一種非常有潛力的
鋰離子電池與鉛酸、鎳鎘、鎳氫等電池相比，由于其較高的能量密度、較長的使用壽命、較小的體積、無記憶效應等特點，成為現今能源領域研究的熱點之一。負極材料是鋰離子電池的關鍵組件之一，其作為鋰離子的受體，在充放電過程中實現鋰離子的嵌入和脫出。因此，負極材料的好壞直接影響鋰離子電池的整體性能。目前，商用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
據德國萊布尼茨固態與材料研究所網站報道，近日，該所參與的一個德法聯合研究小組通過在硅材料中嵌入鍺納米晶體，有效地阻止了熱傳導，使其可用于溫差發電，開創了硅材料新的應用領域。最新一期的《自然·材料》雜志報道了這個或將帶來突破的成果。 硅是微電子的關鍵材料。如果沒有硅，我們今天
自1984年以來，“固態傳感器、執行器及微系統研討會”（The Solid State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop）一直都是最高水平MEMS新技術的展示舞臺。該國際研討會是MEMS領域最具競爭力的會議之一，眾多提交的參會文摘中，只有1
2011年5月18日下午，2011中國材料研討會組織委員華南理工大學李元元校長和中國科學院上海硅酸鹽研究所羅宏杰所長主持的大會特邀報告在北京國家會議中心大會堂B舉行，多年從事材料研究的資深院士、專家為大家帶來一個個精彩的報告。 特邀報告會現場 C.T.
隨著芯片制造業遵循摩爾定律向大尺寸晶圓450mm、光刻線寬nm級、高精度、高效率、低成本發展，集成電路也逐步從微電子時代發展到微納米電子時代，現有的體硅材料和工藝正接近它們的物理極限，遇到了嚴峻的挑戰。應變硅技術、SOI（Silicon-on-Insulator）技術和高K柵介質材料是三項在硅材料與
問：《太陽能發電科技發展“十二五”專項規劃》(以下簡稱《規劃》)是在什么樣的背景下出臺的? 答：太陽光伏發電和光熱利用是近十年來世界上發展最迅猛的可再生能源技術，作為我國重點培育的戰略性新興產業明確列為我國“十二五”科技發展重點。我國的光伏發電和光熱利用兩大產業規模已躋身世界第一
5月16日，科技部在其官方網站分別就《太陽能發電科技發展“十二五”專項規劃》和《潔凈煤技術科技發展“十二五”專項規劃》作出解讀。 《太陽能發電科技發展“十二五”專項規劃》解讀 問：《太陽能發電科技發展“十二五”專項規劃》(以下簡稱《規劃》)是在什么樣的背景下出臺的? 答：
微流控芯片是用于微流控研究的裝置，其中的微通道已經被模塑或圖案化。形成微流控芯片的微通道被連接起來以允許流體流過不同的通道，從一個地方流到另一個地方。這些微流道網絡通過進口和出口連接到外部環境。通過被動方式或外部有源系統（壓力控制器、注射泵或蠕動泵）從微流控芯片中注入、管理、移除液體或氣體。通道
近日，中國科學院過程工程研究所在熱等離子體制備硅納米線負極材料上取得新進展，實現每小時公斤級量產，且制備的電池容量和壽命都達到較高標準，與碳材料復合后循環1000次的容量仍有2000mAh/g，為硅碳負極材料的產業化進展提供了新思路。相關研究結果發表在ACS Nano上。 目前傳統的石墨負極材
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
微流控分析芯片發源于MEMS技術，因此早期常用的材料是晶體硅和玻璃。高分子聚合物材料近年來己經成為微流控芯片加工的主導材料，它的種類繁多、價格便宜、絕緣性好，可施加高電場實現快速分離，加工成型方便，易于實現批量化生產。晶體硅具有散熱好、強度大、價格適中、純度高和耐腐蝕等優點，隨著微電子的發展，硅材料
微流控芯片起源于MEMS(微機電系統)技術，早期常用的材料是硅和玻璃。近年來高分子聚合物材料己經成為微流控芯片加工的主要材料，它的種類多、價格便宜、絕緣性好、性能指標優，可施加高電場實現快速分離，加工成型方便，易于實現批量化生產。 微流控芯片的材料——硅 硅具有散熱好、強度大、價格
2月23日，安徽省科學技術獎勵大會在合肥隆重召開。大會上，中建材蚌埠玻璃工業設計研究院入選十大“首批安徽省實驗室”，被省委、省政府授予“硅基材料安徽省實驗室”。中建材蚌埠院院長、浮法玻璃新技術國家重點實驗室主任彭壽參加大會并接受授牌。 硅基材料安徽省實驗室以解決硅基材料制備過程中的基礎理論和共
硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經考慮用其它材料取代硅，其中的熱門替代材料包括鍺和半導體化合物III-V。 加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經考慮用其它材料取代硅，其中的熱
日前，江蘇省質監局在連云港市東海縣舉行國家硅材料產品質量監督檢驗檢測中心項目論證會。該項目建設方案通過了國家質檢總局以及硅材料領域的專家審核。 東海縣已投入數千萬元，建成了近萬米的科技檢測檢驗大樓，目前初步具備了石英原石、石英玻璃、碳化硅、熔融石英、硅微粉等產品的檢驗檢測能力。該中心的建設
2.4 波帶片透鏡的極限高寬比研究為了實現硬X射線的高效率成像，波帶片透鏡的絕對厚度和大高寬比一直是X射線光學技術發展追求的目標。然而，采用電子束光刻的手段能夠實現的最大高寬比及其影響因素等方面的研究在國內外一直沒有專門報道。本文綜述了我們運用蒙特卡羅模擬法和顯影動力學理論，結合實際電子束光刻的形貌
蚌埠龍子湖畔，一座由玻璃制成的圓形建筑，如同一顆明珠鑲嵌在南北融通之地。這是中國玻璃新材料科技產業園，近年來，一項項玻璃行業的世界紀錄在產業園被刷新。不遠處，南來北往的列車從產業園把“蚌埠創造”向世界傳遞。半個月前，產業園里迎來了一件大事——“硅基材料安徽省實驗室”正式揭牌，蚌埠千億級產業基地邁
2月初，研究者揭示了第一塊硅烯晶體管的相關細節，如果這種硅薄層結構能應用于電子設備的制造，可能會推動半導體工業實現終極的微型化。 七年前，硅烯還只是理論家的一個夢。在對石墨烯（單原子層厚度、蜂巢狀的碳材料）的狂熱興趣的驅動下，研究者推測硅原子也許也能形成類似的層狀結構。而如果這種硅薄層結構能應
1. 微流控芯片的材料剛性材料——單晶硅、無定性硅、玻璃、石英等；剛性有機聚合物材料如環氧、聚脲、聚氨、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯等；彈性材料——二甲基硅氧烷( PDMS) 。2. 微流控分析芯片材料的特點有機聚合物芯片材料的基本要求：①材料應易被加工；②有良好的光學透明性；③在分析條件下材料應是惰
隨著可充電（二次）電池在能源領域的廣泛應用，具有更高能量密度、更大功率密度的可充電電池體系成為研究人員追逐的研究熱點。近年來，隨著二次電池鋰離子電池、鉀離子電池、鎂離子電池以及鋁離子電池等的發展，開發匹配以上二次電池高性能的電極材料成為能否實現新型高性能儲能與能量轉換等目標的關鍵。 近年來，中
7奈米制程節點將是半導體廠推進摩爾定律（Moore’s Law）的下一重要關卡。半導體進入7奈米節點后，前段與后段制程皆將面臨更嚴峻的挑戰，半導體廠已加緊研發新的元件設計構架，以及金屬導線等材料，期兼顧尺寸、功耗及運算性能表現。 臺積電預告2017年第二季10奈米芯片將會量
導讀： 據國外科技媒體本周報道，加州大學河濱分校伯恩斯工程學院開發了一種可用于鋰離子電池的新型紙狀材料，它可以成倍地提高電池單位重量可傳輸的能量。這種紙狀材料是由厚度還不及人類頭發百分之一的海綿狀硅納米纖維材料制成的，它能被用于電動汽車的電池和個人電子設備中。 據國外科技媒體本周報道，加州大學